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不同的多层板层数为什么阻抗可以不一样?

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  • TA的每日心情
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    2025-11-22 15:00
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    [LV.10]以坛为家III

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    1#
    发表于 2018-7-13 09:30 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    x
    拿PCI 标准来说
    4 e$ x7 d- Q. D8 ], l% w5 y % A8 a/ b/ ^& ], Q, z9 d
    6层差分100ohm。8/10层就减少到85欧姆了?这怎么计算?有什么规律吗?还是那100ohm还做也没关系吧?. {# b2 x) e3 Y  T
    . L" X2 R( r" ?; M3 t

    该用户从未签到

    2#
    发表于 2018-7-13 15:19 | 只看该作者
    阻抗跟层厚有关哦

    点评

    请问具体是为什么?该如何计算呢? 一般不都是规定单根50欧姆。差分100欧姆吗?  详情 回复 发表于 2018-7-16 08:14

    该用户从未签到

    3#
    发表于 2018-7-13 19:14 | 只看该作者
    先把这篇看懂
    2 r, j. ?  R3 g% D& Z1 u8 k6 Nhttps://www.eda365.com/forum.php? ... amp;highlight=POLAR; d, a2 e6 D$ @4 J! n. C# q% u" [- Y

    点评

    谢谢!这个贴没回答为什么会不同层数。设计的阻抗要不同呢? 单根50欧姆。差分100欧姆这难道不是固定的吗?  详情 回复 发表于 2018-7-16 08:15
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    4#
     楼主| 发表于 2018-7-16 08:14 | 只看该作者
    V-zhong 发表于 2018-7-13 15:19
    % J; n: H2 H9 k$ V阻抗跟层厚有关哦

    $ Y3 j" y" @2 P1 R/ B请问具体是为什么?该如何计算呢?
    5 k0 n4 ?' m) x% y/ U一般不都是规定单根50欧姆。差分100欧姆吗?
    / p% V0 q( Y$ Q6 ?4 @1 e$ W( e
    ! Z5 K6 |/ ^0 [! u# `" h: j9 d4 g2 }7 l& `# n* g5 R8 e
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    5#
     楼主| 发表于 2018-7-16 08:15 | 只看该作者
    Aubrey 发表于 2018-7-13 19:14
    + Q& W$ Y/ ^% o  N& ]- y先把这篇看懂
    2 o/ F3 X9 u' {2 f) Nhttps://www.eda365.com/forum.php?mod=viewthread&tid=55684&highlight=POLAR
    8 j/ H/ ?) m( H  Z% q$ Y
    谢谢!这个贴没回答为什么会不同层数。设计的阻抗要不同呢?! u# A8 P( r. h/ ?6 H. Q3 B
    单根50欧姆。差分100欧姆这难道不是固定的吗?  Y$ V0 v8 A1 U
    1 s8 s/ x; N  D- |5 m- s

    7 T9 S6 C5 J9 u

    点评

    这个跟DDR3到底要走fly-by拓扑还是T型拓扑结构的选择道理一样,有专门的说明就按要求来协议规定确实是这样:  详情 回复 发表于 2018-7-19 10:58

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    7#
    发表于 2018-7-19 10:58 | 只看该作者
    we167527 发表于 2018-7-16 08:15
    . l! d1 u/ C3 h) k; c谢谢!这个贴没回答为什么会不同层数。设计的阻抗要不同呢?# U5 H. X; Z' l4 \
    单根50欧姆。差分100欧姆这难道不是固定的 ...
    : P3 @5 w5 n& C5 {
    这个跟DDR3到底要走fly-by拓扑还是T型拓扑结构的选择道理一样,有专门的说明就按要求来协议规定确实是这样:% \3 J& ^( }( W1 C

    ( r, V6 l0 N- n% f+ V2 r1 P PCI Express layout guide.pdf (491.08 KB, 下载次数: 1) ; a4 _  S8 s3 B, j1 ]  g3 z0 `* a" H

    , |/ L% ]4 ~# o1 Q+ [& l$ W2 U1 \

    点评

    我想问这是为什么? 为什么要怎么做阻抗?  详情 回复 发表于 2018-7-19 12:01
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    8#
     楼主| 发表于 2018-7-19 12:01 | 只看该作者
    Aubrey 发表于 2018-7-19 10:58$ f( ]1 v6 E; s0 \9 q1 |
    这个跟DDR3到底要走fly-by拓扑还是T型拓扑结构的选择道理一样,有专门的说明就按要求来协议规定确实是这 ...
      e6 d5 d! O7 ^* }0 _: @
    我想问这是为什么?
    * H; T5 ~9 r/ E- _# U. p# i* p4 D为什么要怎么做阻抗?
    6 E( k4 t; D& r: K' G! S5 m5 U: W) ~" ~
    # W/ v+ a8 I2 ?7 {# z' j3 T( Q% |

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    9#
    发表于 2018-7-23 09:54 | 只看该作者
    当然可以100OHM,不过你会发现更多层的时候85OHM更容易实现。

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    是不是可以理解为是为了妥协! 100Ohm的。做85Ohm是为了更容易制作。 但是100Ohm信号比85差不了多少。但是会比85Ohm好?  详情 回复 发表于 2018-7-24 19:31
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    10#
     楼主| 发表于 2018-7-24 19:31 | 只看该作者
    ykwym 发表于 2018-7-23 09:54
    7 p- i+ O) C! i; q当然可以100OHM,不过你会发现更多层的时候85OHM更容易实现。

      Z- E: t4 e! _# n8 H6 L; b: s是不是可以理解为是为了妥协!7 ]! n6 c" g) N) t: B6 y) n9 o
    100Ohm的。做85Ohm是为了更容易制作。' n, `; F$ m9 [1 U3 |5 L5 @
    但是100Ohm信号比85差不了多少。但是会比85Ohm好?
    * J. Y5 M5 {9 b% h" H

    点评

    那个差异几乎可以忽略不计。  详情 回复 发表于 2018-7-25 09:22

    该用户从未签到

    11#
    发表于 2018-7-25 09:22 | 只看该作者
    we167527 发表于 2018-7-24 19:31
    ' Q% w, x! H8 e' R6 G是不是可以理解为是为了妥协!
    & h- a' z9 H$ }; B7 F8 E! v100Ohm的。做85Ohm是为了更容易制作。4 w7 o! z  u" v) Z0 m5 `1 t* o
    但是100Ohm信号比85差不了多少。 ...

    $ C- u( P9 ~/ Z, M$ @那个差异几乎可以忽略不计。& O! M9 W3 ?- e! D

    点评

    噢~  详情 回复 发表于 2018-7-25 20:59
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    2025-11-22 15:00
  • 签到天数: 1286 天

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    12#
     楼主| 发表于 2018-7-25 20:59 | 只看该作者
    ykwym 发表于 2018-7-25 09:22/ ^* D7 N& b! f' x! i, d( i3 j9 c
    那个差异几乎可以忽略不计。
    ' a3 t" E4 X) n! w/ I3 d) C1 H
    噢~
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