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Si24R2E集成NVM的超低功耗2.4GHz GFSK/FSK无线发射芯片
6 A: U0 E$ J) `$ l; }: {( o Si24R2E是一颗工作在2.4GHz ISM频段，专为低功耗有源RFID应用场合设计，集成嵌入式发射基带的无线发射芯片、128次可编程NVM存储器以及自动发射模块。工作频率范围为2400MHz-2525MHz，共有126个1MHz带宽的信道。
4 S; W& I% N* S9 N 当打开启自动发射功能，内部Watchdog与内部RCOSC工作时，芯片睡眠状态下待机电流仅为700nA。当内部timer定时到时，自动发射控制器自动完成数据从NVM的装载与发射，数据发射完成后，芯片立即进入睡眠状态，因此Si24R2E的平均功耗非常低，对于电池供电应用，可以非常容易实现五年以上的待机时间。
2 m' p. w: t/ L3 y/ i4 d
3 N/ W3 z/ {; | e Si24R2E操作方式非常方便，可以不需要外部mcu，可以自动完成数据装载与发射。NVM存储器可以存储寄存器配置与发射的数据内容，掉电后不会丢失，数据可保持10年以上。在3.3V供电电压下，无需外部高压，外部MCU可以通过芯片的四线SPI接口完成NVM的配置编程，芯片最大可编程次数为128次，芯片支持NMV加锁，防止NVM配置数据回读，保证用户数据安全。, h/ P2 N* o2 k: D& A n2 V
! F \: R% w( X, @! v& j* D! {
Si24R2E也可以在外部MCU控制下工作，芯片不需要额外接口，外部微控制器（MCU）通过SPI接口对芯片少数几个寄存器配置即可以实现数据的发射，芯片完全兼容Si24R1发射功能，在不打开自动发射功能时，芯片功能与配置方法与Si24R2完全相同。; b n2 [5 w/ k; v- V
1 I* Z8 u2 S$ _8 ^) \8 _ w2 R Si24R2E具有非常低的系统应用成本，可以不需要外部MCU，仅少量外围无源器件即可以组成一个无线数据发射系统。内部集成高PSRR的LDO电源，保证1.9-3.6V宽电源范围内稳定工作。7 \( W! ^$ N5 X; Z/ `+ b3 o6 ~
主要特性
6 n1 w; f- n/ v7 W }% e1 D4 A. Q7 ?0 r* W* X6 V
内置128次可编程NVM存储器. M3 _* G- P6 g$ Y$ t
" R: P' ~' m ^
3.3V编程电压
5 ^( Q5 V- @; ^, G% u/ T ( N4 @1 @/ t9 f2 g2 z7 O7 R
5 D8 ?6 f" S& f& t' e1 F C( u& Z
超低功耗自动发射功能/ x+ g+ A, u+ b) `# I7 K4 s6 ]) P
& I( T4 \/ v' \+ D 内置硬件Watchdog7 {1 N, y5 ?' |, n2 R6 S
: c7 S9 F: p6 n* W- r) n
, u/ {) z( \! a6 f2 y; Y6 Z" m. k 内置3KHZ RCOSC
5 l2 p B2 A5 p! A
, q. b- @: z: @; a9 P' E 内置低电压自动报警功能
6 u9 F c) J$ s4 D& P3 x) a5 E" K
+ m& ^2 w/ `! e: A* ~; W/ w9 {' R
) b2 f6 l7 A3 @. `# ^, h8 p5 ~ 超低关断功耗：0.7uA
* E7 {6 F- D! _
6 E, X4 u4 c0 Q/ y+ w% @6 S 宽电源电压范围：1.9-3.6V
' W- L3 |/ y8 ]/ D a4 C9 ] / a# h) f2 V' t) `8 k
/ K% q$ J$ y j( M
超低待机功耗：<15uA( M, p+ N* n9 A& U0 m- D' }
' ?) r# Q! z k4 |; G
数字IO电压:3.3V/5V
t n6 D6 M. W q; H ~. A * ?0 \. Y+ ^3 C* Z: w. u
$ p5 J* ]. p- Z( e H! U
发射电流（2Mbps）:13.5mA（0dBm）7 ~9 D" N' @0 p h
! E$ C) ^* z/ a3 y! e# J
内部集成高PSRR LDO; ?$ t" m2 y% c
: d( |4 u: j( c* s9 I
! V8 u: C5 {* }7 \
最高发射功率：7dBm （23mA）
* l; d/ m. i/ O( z6 t5 _3 D T" J, _4 j! l1 \
10MHz四线SPI模块
! q2 e6 O) J+ G' p& D K
/ V* h$ X k6 ^# [: W ' l" B$ v! Q+ q, z/ @9 w
调制方式：GFSK/FSK8 X+ w* l* K5 f7 G0 c
& S& v% [' r a) L: j# z; A
收发数据硬件中断输出1 l! E$ U g4 w6 ^* o4 f- m6 {$ x3 P8 O
& D, d, @; |! f0 W4 x, }9 G' v. y
( b! |2 L5 ]# |! V
数据速率：2Mbps/1Mbps/250Kbps
+ ]" D M: G3 X! Y 8 O* B) C$ j4 a7 l2 [
完全兼容Si24R2 l9 v9 g1 t# E5 Y9 ^" f' r* z" \
; v3 f1 d& _/ `( _
" K2 Z2 n+ r! { 快速启动时间：<130uS
& G+ O F1 @0 N4 H0 Q
0 ~0 a+ V5 D; K 完全兼容Si24R1发射功能
5 Z; f0 S6 U2 |# P3 j+ m" g
% K& V. ]; m# n/ D- }" Y& I
/ a1 z8 F3 H7 S; Z2 q 低成本晶振：16MHz±60ppm6 a) k0 E( c! _3 @
9 K) D m3 O$ z$ c: ?' b1 z QFN20封装或COB封装 目前这款对这款芯片有点小心得，项目也开始启动量产，我将这个芯片的数据手册以及案例发上来，给大家参考，同时欢迎各路大佬给建议或者交流。4 e0 V+ u0 u l
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发表于 2019-12-26 10:21
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