TA的每日心情 | 慵懒
2020-8-28 15:16 |
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目前倒装芯片逐渐成为主流的封装互连技术。传统的FCBGA的发展趋势如下：4 S9 s+ y, K! r* J
1. 凸点节距：
9 u; q3 {% {! }" Z) }6 la. 减小凸点节距能够提高I/O密度；
2 k" U6 f( C5 E4 fb. 节距变化趋势：250um逐渐降低至75um，CP bump节距可以做到更低；: E$ |. M( e7 E! {. U& ]
2. 焊锡凸点沉积方法： 蒸镀-->丝网印刷-->电镀；
8 H0 r+ }: L- y) e, f* S/ f3. bump焊料组分：高铅-->共晶-->无铅（Sn-Ag）-->Cu柱节距<125um；6 j7 b* H' `) `
4. 封装组成： 陶瓷基板-->高密度互连层压基板-->预浸层压基板-->低热膨胀系数层压基板-->无芯基板；# M7 N: K9 B8 a! O4 V
5. 封装结构： 密封单片盖（SPL）-->非密封单片盖-->加强筋+盖子-->裸芯片-->模塑9 e# t7 ? x* q6 }* K7 B, y
/ L% P2 {7 Q! a% s
现在由于小节距阵列和无铅化要求，晶圆制造中容易出现高应力的凸点结构以及脆弱的层间电解质层。以上材料的特性在封装过程中容易出现可靠性不稳定的情况，如ILD（电介质层）开裂，UBM分层，凸点开裂，或其他与应力有关的问题。解决此类问题，封装工程师需要向晶圆制造商询问硅叠层及其有关强度的情况。以及在以下方面进行调查;
7 n" T7 x+ K' t9 b$ n: j7 H1. 顶层Cu或Al的厚度；7 X. `# @0 Q R
2. 非ELK覆盖层数；( _. c, G! U0 i' i: p
3. 通孔密度；
) j) B) @9 F# a8 U" z( C4. 硅一侧凸点焊盘开口；8 F5 y5 D) z4 I% Q
5. 凸点UBM的直径和高度；" a; h; H2 [. _
6. 在凸点结构下方添加钝化层，如聚酰亚胺（PI）或PBO；, }- v0 O. Q2 c6 q! w t% m
7. UBM叠层，如厚度和材料；4 K$ x3 B% T8 ^7 g s/ A/ q
8. PCB焊盘尺寸及阻焊层开口（SMO）；) B6 D7 C6 Q. F$ \
9. UBM/SMO对比；" L; x) o$ z& N- t. j( o# V- P1 a
10. UBM应力； c* M7 z2 j$ b7 L% C/ r9 k
11. 芯片/封装之比；7 T! ]2 _: X+ Q+ {9 {
12.底部填充材料；如高Tg
5 a4 U2 \1 E5 T/ i5 V+ o13. 回流温度曲线，如缓慢冷却；+ }8 w+ ?) V, |! j$ S
14. 增加密封盖或其他强度更高的结构单元；
" p( K$ y5 |: o15. 基板芯材及厚度；* [8 i! N' W2 U. ^: \7 |! l
16.基板热膨胀系数
+ v' C$ M e- b2 `$ E% H) S4 n$ O" L# Z
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发表于 2020-12-3 13:40
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