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请教一些仿真的问题

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1#
发表于 2008-11-4 16:16 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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最近刚开始学习PCB仿真,遇到很多不懂的地方,特来请教各位大虾~
, h  ~3 G5 F& A) u: B3 k+ G" i% S( Y" d5 U6 }
1.信号的过冲和下冲:
, _  s: |" H- ?2 ?6 n& j假设是一个3.3V电压工作的芯片,那么输入高电平信号VIH的MAX值一般是VDD+0.3V,在芯片的DATASHEET中有时候有附加说明允许小于3ns的5V多的脉冲,那么信号的正向过冲允许值应该是3.6V还是3.9V(电源范围3~3.6V)还是5V多的那个值?
! ^5 k6 R: H0 X4 k5 Z2 o" L/ r下冲的要求是不是以不跨越阀值为标准?
7 Z- d" j# F3 s% r2 G. F
' h  y6 a: ~! N9 a, y  i% U+ z2.时序问题:
: w  u# H9 E# d* F5 ~5 M6 W+ pSDRAM的时钟信号一般是从ARMFPGA等CPU芯片提供,而CPU芯片的时钟又是由晶振或钟振提供,那么提供给SDRAM的时钟和CPU的时钟是什么关系呢?两者之间有延时吗?# n  {% c  }  A# O5 A4 y

4 n3 i1 r) y0 ]用HyperLynx仿真得到时钟信号驱动端的波形里能看出来Tco吗?驱动端到接收端的Tflight多少才是合格的呢?/ F5 ^; t  S% U& Q+ R  Q

1 ]7 K+ ^7 ]% m3 o: ~1 d* l数据总线和地址总线的延时多少才是合格呢?是要建立时间裕量和保持时间裕量大于0就可以吗?

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2#
发表于 2008-11-4 18:08 | 只看该作者
假设是一个3.3V电压工作的芯片,那么输入高电平信号VIH的MAX值一般是VDD+0.3V,在芯片的DATASHEET中有时候有附加说明允许小于3ns的5V多的脉冲,那么信号的正向过冲允许值应该是3.6V还是3.9V(电源范围3~3.6V)还是5V多的那个值?:1 V! a9 G# V# O& F" s# r
电平*时间的这种约束的芯片比较少,通常可以按照这个来约束,一般DDR会这样说的。
* m! @2 K6 C6 n: A. K& Q3 P8 r3 ~% R& ]% m
那么提供给SDRAM的时钟和CPU的时钟是什么关系呢?两者之间有延时吗?' o  y& \3 M5 U( @% f8 b4 S
:这个给SDRAM的时钟,通常是CPU倍频得到的,就是CPU的系统时钟过一个PLL得到的。
5 n* F) V) u4 C
) U; m6 Y4 D- i  s' U# T ! O. k/ J/ g$ u: i9 L) i  q5 e
用HyperLynx仿真得到时钟信号驱动端的波形里能看出来Tco吗?: 不能看出来,这个是做信号质量,不是时序分析。
  |2 Q1 S, s% \, t; h
2 d6 Q7 |. X: {
: \# q6 k4 S' n; M6 O2 f& P% A驱动端到接收端的Tflight多少才是合格的呢?这个看你的时钟和数据的关系。
, l6 s1 N& s  ~- ?/ C" C0 _
; X% _1 `1 d% X! r+ U ! A' I: p' a" s6 }
数据总线和地址总线的延时多少才是合格呢?是要建立时间裕量和保持时间裕量大于0就可以吗? :这个你要仔细看手册,就是的D触发器采样的基本原理。余量可以等于0.

该用户从未签到

3#
发表于 2008-11-5 20:34 | 只看该作者
hyperlynx所能得到的就是buffer delay。
  S. I/ v( T  m7 x' t8 KTco是由包含内部逻辑延时的。IBIS反映的只有buffer信息。! [2 B3 T( x/ Q, O3 h* p" \- {5 }, G
不仅hyperlynx不能仿真出Tco,其他SI仿真工具也不行# g9 i( \+ q- r
当然如果你有spice模型就可以得到Tco。而芯片厂商提供的Tco参数是通过实际测试校准得到的。

该用户从未签到

4#
 楼主| 发表于 2008-11-6 09:27 | 只看该作者
谢谢两位斑竹的解答~
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