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请教一些仿真的问题

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1#
发表于 2008-11-4 16:16 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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最近刚开始学习PCB仿真,遇到很多不懂的地方,特来请教各位大虾~
0 ?0 y* \4 }+ Y0 `1 {4 V0 F
  i  D6 r( M/ y5 h1 c1.信号的过冲和下冲:
& b$ @% d. c" d) G; w. x+ o假设是一个3.3V电压工作的芯片,那么输入高电平信号VIH的MAX值一般是VDD+0.3V,在芯片的DATASHEET中有时候有附加说明允许小于3ns的5V多的脉冲,那么信号的正向过冲允许值应该是3.6V还是3.9V(电源范围3~3.6V)还是5V多的那个值?) Z2 U  S9 W- N+ Z$ ?6 R6 T' u4 V
下冲的要求是不是以不跨越阀值为标准?
, F  P+ i! l. B/ Z5 i
% \* B7 L2 Z% S9 p2.时序问题:3 a: O* K% j0 t5 I. f; m- i
SDRAM的时钟信号一般是从ARMFPGA等CPU芯片提供,而CPU芯片的时钟又是由晶振或钟振提供,那么提供给SDRAM的时钟和CPU的时钟是什么关系呢?两者之间有延时吗?
& T/ L# E, G1 Z8 }  h( B& P
: o5 v5 l4 q# X# A! \4 t用HyperLynx仿真得到时钟信号驱动端的波形里能看出来Tco吗?驱动端到接收端的Tflight多少才是合格的呢?
1 Q* N. e, P+ d+ J; w: R
5 |1 Y- |* i$ V2 X  Z数据总线和地址总线的延时多少才是合格呢?是要建立时间裕量和保持时间裕量大于0就可以吗?

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2#
发表于 2008-11-4 18:08 | 只看该作者
假设是一个3.3V电压工作的芯片,那么输入高电平信号VIH的MAX值一般是VDD+0.3V,在芯片的DATASHEET中有时候有附加说明允许小于3ns的5V多的脉冲,那么信号的正向过冲允许值应该是3.6V还是3.9V(电源范围3~3.6V)还是5V多的那个值?:$ G: Q# o* m) I8 |2 ~
电平*时间的这种约束的芯片比较少,通常可以按照这个来约束,一般DDR会这样说的。
0 ]! j. b" f- ~5 G3 t* x! k% \3 h# I
那么提供给SDRAM的时钟和CPU的时钟是什么关系呢?两者之间有延时吗?* j. X+ W3 q7 R( B6 q7 c
:这个给SDRAM的时钟,通常是CPU倍频得到的,就是CPU的系统时钟过一个PLL得到的。* w5 u) c9 k% w
& I9 h, Q3 S  L. u; ]. p
/ Q4 b7 ]7 e! y) [
用HyperLynx仿真得到时钟信号驱动端的波形里能看出来Tco吗?: 不能看出来,这个是做信号质量,不是时序分析。9 k& t, v$ [( N  z( B* j! a
5 Q* Z$ s! D$ l7 y8 k) G* Y: {( V

  u" w- O1 H% g, d8 G驱动端到接收端的Tflight多少才是合格的呢?这个看你的时钟和数据的关系。% ^- s2 B! b* |& M( _
* w, D8 c9 C7 I; P1 @( V0 B: ]
% Y6 J% M0 r6 W9 B) N
数据总线和地址总线的延时多少才是合格呢?是要建立时间裕量和保持时间裕量大于0就可以吗? :这个你要仔细看手册,就是的D触发器采样的基本原理。余量可以等于0.

该用户从未签到

3#
发表于 2008-11-5 20:34 | 只看该作者
hyperlynx所能得到的就是buffer delay。
. b: [7 t6 U, FTco是由包含内部逻辑延时的。IBIS反映的只有buffer信息。, ^  f6 R; N9 c! r! N, X  Q& Y
不仅hyperlynx不能仿真出Tco,其他SI仿真工具也不行
1 U7 C8 z2 K# l- F当然如果你有spice模型就可以得到Tco。而芯片厂商提供的Tco参数是通过实际测试校准得到的。

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4#
 楼主| 发表于 2008-11-6 09:27 | 只看该作者
谢谢两位斑竹的解答~
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