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本帖最后由 pjh02032121 于 2015-5-25 20:37 编辑 * q8 P3 o# a, r$ L
6 J3 ]2 l8 @# Y/ i; \, }$ y6 s1. 建模
7 _& ?6 O( h8 d) K0 ?, A1 mcadence的sip或APD封装源文件,输出floeda文件。* C) w8 e% p, @/ w8 n2 U
2 v1 l$ t, W: r1 P% H
5 M' ~, B' M) A: \
打开Flotherm,新建工程,打开flopcb工具,导入上面的floeda文件,检查元件的属性(三维尺寸,材料,功率等),修正属性不对的器件,都没问题后转到flotherm工程文件中。
9 Y Y5 o C6 r- u* T" {8 p. m! u
4 V; S' {, I$ T ~
0 n5 J, J- K, J( c* d* N) U以上只是把sip文件导入到了工程文件中,接下来在flotherm中按照JEDEC51-2,51-7的标准搭建仿真环境。
! H* T) W4 P2 J4 J* E0 h给sip加mold塑封,测试PCB模型等。
5 ]; X |: F+ L( t1 N `) T
7 R4 f/ n2 p' b. h
" s+ I1 w( X" T, ?7 @6 o4 _7 p
6 g3 d0 @) `( b& ~4 n
2. 仿真2 e# i+ h0 t# y6 R" Y3 M. A5 Z3 E+ n
右键在模型上设置模型的各种属性以及网格划分等等 q; T8 f$ S; R, o
) v$ g$ P3 F" y3 H2 J [+ |: p5 s9 {5 e4 }2 b/ {3 ^% k8 k
从Model菜单下依次设置各种边界条件,约束,流体属性,变量控制等等
5 j( |. V3 @( r: z
# j& ]' J9 A( x5 g9 M, V/ z& K9 Z& |. ^
从Solve菜单下依次设置求解控制等等
! I8 P8 ]# s2 x8 k! Z7 a
, T$ I) B( ?, F6 U2 J4 Z% [% }% ]3 b+ }" c
Slove/sanity check没问题后,就可以运行仿真了,Slove/slove。。。9 |: [# r6 p2 H) R# F
仿真运行后,弹出仿真的监视窗口,可以看到残差曲线和监控点的温度,此监控点设置在封装内的两颗硅die上。
( G! B# d& s. O n/ D: Y( A' e达到设置的收敛标准或迭代上限后,求解自动停止。* v7 v1 ~/ [; K. S9 Y( D0 C H
# }) k+ w! R$ J, T# c% R
, Z& J+ j$ X. u ^" r ^) a9 [
& H; H, t( A- r- [8 L% P' W3. 后处理( u& y& W3 Q! {9 h1 @* u0 b
运行flotherm的后处理程序,生成直观的温度场图,模型表面温度等等
# r! t! ? v" A4 v
9 \1 r; z1 g* Q/ `# q$ L# d1 \. }* @, N
( n/ z- T% C6 {Rja=(Tj-Ta)/P=(53.4-35)/0.144=127 (K/W)/ ?. r* v5 |1 Z4 L/ i0 A) W* U
0 I) W) S; N; ~9 w$ j) q8 }为了改善散热,在substrate的下方加thermal pad加强散热, 结果节温为50度,对应的Rja为104,降低了约20%。
+ h* n$ J. F5 T+ L
) u- \4 i# }2 T/ s
9 L! }8 }; j: M3 I0 t/ p
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