电源完整性之阻抗问题

ares0260 · 发表于 2015-7-13 16:10

请问各位大神，在做电源完整性是，别人提供给我一份由siwave导出的snp文件。
我把文件导入了ansoft designer，想问一下，如何看它的电源阻抗？
是看两个port之间即Z21还是Z11。
谢谢各位！

cousins · 发表于 2015-7-13 16:10

PDN可以只有一个端口，单端口就只关心1MHz以上的回路阻抗。是不上电状态PDN。
两个或者两个以上端口，有两种处理方式：
1.电压源处加VRM，简单的模型就是0.01ohms以下电阻或者直接短路。这是模拟系统上电状态的PDN
2.加归一化的端口，这是模拟系统不上电状态PDN

cousins · 发表于 2015-7-13 16:42

菩提老树 · 发表于 2015-7-13 23:42

从一个port看过去就可以啦，所以看Z11即可

qingdalj · 发表于 2015-7-14 08:39

回去看看理论吧

ares0260 · 发表于 2015-7-14 11:11

菩提老树发表于 2015-7-13 23:423 |$ {+ i1 x7 U9 u
从一个port看过去就可以啦，所以看Z11即可

Z11是在其他端口open的情况下看去的输入阻抗，也就是自身的自阻抗。
在port1上加去耦电容是可以的，Z11会减小。这是没有问题的。
那我在另一个端口（如port2）加一个接地电容，但Z11却不变。
我觉得根据输入阻抗计算公式，在第二种情况下，z11应该是有所变化的？
能劳驾解释一下吗？但实际却不是。

ares0260 · 发表于 2015-7-14 11:12

qingdalj 发表于 2015-7-14 08:390 D. c% l4 S0 i5 Z% O# q
回去看看理论吧

能推荐一下资料吗？
这些对于你们来说确实简单了些！

cousins · 发表于 2015-7-14 13:35

ares0260 发表于 2015-7-14 11:12
2 p5 l- T) U7 }5 u: X能推荐一下资料吗？0 V) m( B" j7 l9 G: Y6 }( W o3 V* |& J
这些对于你们来说确实简单了些！

<Power Integrity Modeling and Design for Semiconductors and Systems >
written by Madhavan Swaminathan A.Ege Engin

ares0260 · 发表于 2015-7-15 13:05

cousins 发表于 2015-7-13 16:42
1 ^/ i. j" c* k6 s9 F2 KZ11

请问为什么是Z11，默认的PDN至少有两个端口，在对SNP格式的文件进行仿真时，对另外一个端口怎么处理？
谢谢！

ares0260 · 发表于 2015-7-16 09:05

cousins 发表于 2015-7-13 16:10- A+ z5 j3 v2 e4 Y% x* F; |
PDN可以只有一个端口，单端口就只关心1MHz以上的回路阻抗。是不上电状态PDN。4 O* _- O g8 r. c( k* i* c1 K: A2 q
两个或者两个以上端口，有两 ...

我尝试了这两种方法：
1）只用一个端口PORT1，另外的VRM端接地
2）用两个端口PORT1和port2，另外的VRM对应的port2的归一化阻抗为0.
得到的结果是一样的。其实不都相当于模拟电源内阻的情况吗？

cousins · 发表于 2015-7-16 09:31

ares0260 发表于 2015-7-16 09:05
R1 M' N' b3 [* T我尝试了这两种方法：" S# f1 z6 m: N/ w% ^% W2 g8 o
1）只用一个端口PORT1，另外的VRM端接地 ]5 ?2 j/ ~6 f$ n- m9 j
2）用两个端口PORT1和port2，另外的VRM ...

归一化阻抗应该设置为50ohms或者0.1ohms以下，不能设为0.
0ohms怎么归一？

归一是要用Z/Zref的...
结果是不会完全一样的，在1MHz以上的结果是基本一致的。
有vrm的在1MHz以下的Z11扫频对数结果为接近于一条直线，值很小。
无vrm的在1MHz以下的Z11扫频对数结果为从无穷大线性减小到一个很小的值，这个很小的值是靠近第一次出现电容谐振的位置。
记住以对数（log scale）的方式查看Z11。

ares0260 · 发表于 2015-7-22 16:08

cousins 发表于 2015-7-16 09:31, B! R; n  u& K* l# C5 _/ }
归一化阻抗应该设置为50ohms或者0.1ohms以下，不能设为0.& P  d4 K' I6 Y: s/ g+ d
0ohms怎么归一？

Hi Conusins，
请教您一个问题。
枣做电源完整性的时候，会生成一个SNP文件。
放到ansoft designer中去，做它的时域瞬态响应分析。
因为以前没有接触过PI，真的不知该如何下手。
望您能指点一二。
一般情况下，会给它一个阶跃信号（0 to 1.2v）测得芯片输入端的电压即可。
但是参考的图中却没有看到对应的芯片（dut），这样对吗？

cousins · 发表于 2015-7-22 17:23

你要给的不是阶跃信号，是带交流分量的直流，交流分量为纹波。
这个架构是对的，如果要仿真芯片接受的信号，就要加入封装参数。但如果对比板级测试的话，你测试点是加不到封装内的。只要加到pin上就可以了。

ares0260 · 发表于 2015-7-23 11:35

本帖最后由 ares0260 于 2015-7-23 11:45 编辑

cousins 发表于 2015-7-22 17:23# w# q2 {0 u) ]7 T3 [) R# p# w
你要给的不是阶跃信号，是带交流分量的直流，交流分量为纹波。" s M* M7 N& o" A, S! E( K* r
这个架构是对的，如果要仿真芯片接受的信号 ...

如何体现纹波的频率呢？
能劳驾你给一个电路模型参考一下吗？或者一个小例子。
拜谢！！！
下图是从别人哪里看到的结果，纹波应该是0.04V，可是我总是做不出来。
可能是我了解的信息不全。我也把电路模型发给你了，你帮忙看看。
非常感谢！！！

shark4685 · 发表于 2015-7-23 11:44

提取平面的s参数即可。

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