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NAND NC引脚作用

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1#
发表于 2015-3-18 21:03 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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如图1所示,nc 引脚可接可不接,百度说是预留的作用。; _, R; K7 _7 L9 y* c7 c
那么请问,预留了做什么?扩容量么?
: e: V1 c+ P. ]$ K! p4 s* v

flash.png (64.68 KB, 下载次数: 11)

图1

图1

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2#
发表于 2015-3-18 21:11 | 只看该作者
我也纳闷,一般IC生产后,厂家会做更新?既然NC了干嘛不直接去掉这几个引脚

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3#
发表于 2015-3-18 23:05 | 只看该作者
本帖最后由 超級狗 于 2015-3-18 23:15 编辑
1 Y& A5 A! {5 h* q6 f& d* d6 m: I# P0 @, T
  • 有的 NAND 閃存是兩個芯片疊起來的封裝,會多出一組 CER/B 管腳。
  • 三爽Samsung)曾經出過 16 bit I/O 的 NAND 閃存,容量是沒較大、但匯流排Data Bus)變大;資料(Data)吞吐量變大、讀寫速度跟著變快。不過 16 bit I/O 的 NAND 閃存後來並沒有流行起來,因為 NAND 閃存速度,最主要並不是卡在資料進出的時間,而是卡在閃存內部寫入Write)和抹除Erase)的時間。2 Plane 架構的 NAND 閃存,能讓內部的兩個區塊交替Interleave)作業,不用增加管腳也能加快速度。
  • MLCTLC 有時候需要較多的接地管腳,以減低工作時產生的雜訊,避免干擾Disturb)造成內部資料錯誤*
    + J$ X- G: n  r" E
( A# z6 E/ o5 Y% k: H( r
綜合上述諸多因素,NC Pin 就一大堆了。5 t; i$ o; P1 y; E9 ~; L9 \
6 i  K0 s% f! c$ M# i7 y
) X' x/ k- U8 X
7 \) H+ m) _2 o6 C( A: d

x16 NAND Flash Memory.jpg (120.03 KB, 下载次数: 11)

x16 NAND Flash Memory.jpg

点评

支持!: 5.0
顺便也讨论下emmc,现在用的比较多啊,也是有很多NC引脚的...  详情 回复 发表于 2015-3-19 12:00
楼主,这样理解对么?1.一个nand里有2个die,如图2所示,这种nand进行多片同时编程(Simultaneously Program Multi Plane),加快读写速度。 所以对容量没有影响。多出的CE/RB上拉到3.3V是为了兼容nand. 2.规格书上  详情 回复 发表于 2015-3-19 10:03
支持!: 5
学习了!  发表于 2015-3-18 23:17

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4#
 楼主| 发表于 2015-3-19 10:03 | 只看该作者
超級狗 发表于 2015-3-18 23:05
  • 有的 NAND 閃存是兩個芯片疊起來的封裝,會多出一組 CE 和 R/B 管腳。
  • 三爽(Samsung)曾經出過 1 ...
  • - J, \/ [5 p. Y* [, Z
    楼主,这样理解对么?1.一个nand里有2个die,如图2所示,这种nand进行多片同时编程(Simultaneously Program Multi Plane),加快读写速度。3 L- a8 k, p/ y* Q" J
    所以对容量没有影响。多出的CE/RB上拉到3.3V是为了兼容nand.& @3 c/ I3 @, r9 G3 D3 W! `8 @( n% O

    0 |2 n4 u( e; A# G0 m2.规格书上会推荐NC引脚处理,如图3,所以接电源/地都可以抑制杂波。
    ! \* z, r. q( J6 }2 j( D
    1 U# y/ w3 d, f7 ~
    ! Y+ }( j& H' M3.NC说明如图4,它在内部没有连接,是不是意味着通过NC加控制信号(比如CE),不能起控制NAND的作用,# G: X5 [+ [' e; `0 b8 Z
    所以NC的作用应该是第2个。
    % @/ f, a: e' ?! ~, b

    2die.png (37.98 KB, 下载次数: 10)

    2

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    nc.png (88.01 KB, 下载次数: 10)

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    4

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    一般 IC 上不使用的管腳定義有幾種︰ [*]NC(No Connection or Not Connected) 管脚沒接到內部芯片,這種管脚通常接不接信號都無所謂。 [*]RFU (Reserved for Future Use) 目前管脚未使用,但未來功能擴充  详情 回复 发表于 2015-3-20 13:40
    是問我嗎?發帖人才叫樓主吧? [*]NC 對芯片就是空接的意思,你接不接訊號大多沒有影響。 [*]兩個芯片堆疊(Stack)的封裝,最主要是早期製程還不是那麼先進,大芯片良率不佳的狀況下,又想增加如容量的  详情 回复 发表于 2015-3-20 10:24

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    5#
    发表于 2015-3-19 12:00 | 只看该作者
    超級狗 发表于 2015-3-18 23:05
  • 有的 NAND 閃存是兩個芯片疊起來的封裝,會多出一組 CE 和 R/B 管腳。
  • 三爽(Samsung)曾經出過 1 ...
  • ( i8 L# {0 o- Y, f' r; t
    顺便也讨论下emmc,现在用的比较多啊,也是有很多NC引脚的...( K. w' l6 r; R

    该用户从未签到

    6#
    发表于 2015-3-19 20:21 | 只看该作者
    你用的是一个die的,所以有很多NC引脚,同样有兼容的两个die的,楼主用的Nandflash小心停产,

    该用户从未签到

    7#
    发表于 2015-3-20 10:24 | 只看该作者
    fangxiaoyan 发表于 2015-3-19 10:03
    " K1 r* u" O7 Q4 T楼主,这样理解对么?1.一个nand里有2个die,如图2所示,这种nand进行多片同时编程(Simultaneously Program  ...

      H' E8 y3 o+ e0 L是問我嗎?發帖人才叫樓主吧?
    " P( \" e3 K5 |3 o9 w. F4 x+ q
    7 f0 Y  I7 ]% v- ?3 Q
    ) |% Y- t9 m1 _- _) G
    3 |  b8 w3 V9 G% m9 L
    • NC 對芯片就是空接的意思,你接不接訊號大多沒有影響。
    • 兩個芯片堆疊Stack)的封裝,最主要是早期製程還不是那麼先進,大芯片良率不佳的狀況下,又想增加如容量的作法。例如,如果現在製程最大只能做到 2GB 的容量,有人想要用 4GB 但又沒有空間放兩顆封裝的狀況下,堆疊芯片Stack Die)就是一個不錯的選擇。
    • 雙平面2 Plane)和堆疊芯片Stack Die)的概念類似,唯一的差別是堆疊芯片Stack Die)是多顆芯片組合而成的。雙平面2 Plane)是一顆芯片,半導體設計時把內部分割成兩個區域,猶如兩顆芯片在其中。
    • NC 管腳的位置據我所知,每家閃存芯片廠大致相同,但並沒有強制的標準或規定。不同供應商間,可能還是有少數幾個管腳的差異,設計上若是要多家供應商兼容,各供應商的管腳定義還是要仔細核對一下。
      : E$ a9 s# \, w4 R5 i  U" S! d
    2 B1 P. u6 P0 _
    & k  t: \4 a/ a* f- s2 W5 b

    该用户从未签到

    8#
    发表于 2015-3-20 13:40 | 只看该作者
    fangxiaoyan 发表于 2015-3-19 10:033 N: L7 {6 j2 ~0 K2 A- R! K3 e1 D
    楼主,这样理解对么?1.一个nand里有2个die,如图2所示,这种nand进行多片同时编程(Simultaneously Program  ...

    + X3 @. |$ n$ e3 P5 U一般 IC 上不使用的管腳定義有幾種︰
    ' l0 X, H: Q5 Z( a, k& m. U0 b# q, v3 H) W5 ^. {5 p0 i" n4 p
    • NCNo Connection or Not Connected
        B3 ]( d2 K" N8 h管脚沒接到內部芯片,這種管脚通常接不接信號都無所謂。
    • RFU (Reserved  for Future Use)
      5 T# l* A+ `# `7 j) Q; E目前管脚未使用,但未來功能擴充時可能會用到,建議不要使用以保持彈性。這種管脚通常接不接信號也無所謂!
    • DNUDo Not Use( Y: e9 s! f, C; R; K, {
      管脚對使用者來說可能用不到,但芯片廠或設計者用得到,例如生產測試或偵錯模式。這種管脚通常禁止接任何東西,接了可能會死人。% a& L0 e, e. H

    $ ^+ a$ z* M6 {# B1 T! ]/ d* R, G' T

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    支持!: 5.0
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    光X團隊就有人就這樣做..... 結果是一堆的杯具。  发表于 2015-3-21 12:47
    8xNAND使用CE1 可以不接了,  详情 回复 发表于 2015-3-21 10:27
    曾經有一群人,擅自作主將DNU(Do Not Use)接到GND,要加強 BGA 和 PCB 之間落下拉力,結果死板成堆。  详情 回复 发表于 2015-3-20 18:29

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    9#
    发表于 2015-3-20 18:29 | 只看该作者
    超級狗 发表于 2015-3-20 13:40
    5 c( B( \/ q, p1 r5 z. D一般 IC 上不使用的管腳定義有幾種︰

    % ]- ~  p5 e0 c曾經有一群人,擅自作主將DNUDo Not Use)接到GND,要加強 BGA 和 PCB 之間落下拉力,結果死板成堆。! `& S3 v( B0 M$ g; |$ f3 f  m1 T* j

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    支持!: 5.0
    我就知道是那條爛狗!@_@  发表于 2015-3-21 23:01
    支持!: 5
    阿吉???  发表于 2015-3-20 21:56

    该用户从未签到

    10#
    发表于 2015-3-21 10:27 | 只看该作者
    超級狗 发表于 2015-3-20 13:40  S! [  I! B3 r. u
    一般 IC 上不使用的管腳定義有幾種︰
    7 e. M7 K0 Y! T0 Z7 V3 m
    8xNAND使用CE1 可以不接了,
    : K0 `/ E0 V) r( C7 p

    8xNAND使用.png (91.93 KB, 下载次数: 17)

    8xNAND使用,CEl1可以不接啦

    8xNAND使用,CEl1可以不接啦

    该用户从未签到

    11#
    发表于 2015-3-21 23:19 | 只看该作者
    liaotingkang1 发表于 2015-3-21 10:27
    / `7 c3 v" e5 i& b8xNAND使用CE1 可以不接了,

    / O# k5 z3 O; {. w( H# v1 k% l5 l7 ~6 j( ?8 s

    " u* I$ D& j7 c: ^4 H
    ! E8 l/ `- q: p8 Y7 V9 j

    2CE NAND Flash Memory.jpg (76.48 KB, 下载次数: 10)

    2CE NAND Flash Memory.jpg

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    支持!: 5
    使用2个CE能支持16G的NAND  发表于 2015-3-22 15:20

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    12#
    发表于 2015-3-23 08:29 | 只看该作者
    indenpendence 发表于 2015-3-19 12:00
    3 `3 e+ D- h( Y7 X- H) J顺便也讨论下emmc,现在用的比较多啊,也是有很多NC引脚的...
    " M9 Q* b# U6 c/ U8 a

    - x* H- {, D6 L, K

    153 Ball eMMC Flash.jpg (313.95 KB, 下载次数: 12)

    153 Ball eMMC Flash.jpg

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