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RF测试座和ANT ipex layout问题&功率测试差异

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1#
发表于 2022-10-9 10:33 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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最近遇到项目问题,TX POWER 测试,在RF测试座处和IPEX 座处功率差异,高频竟然查将近2dbm,两者之间只有一小段trace和一个L型匹配,将通路调至50Ω后,高频功率测试仍然差1.3dbm。
+ E/ R# q7 X6 n: j. l7 u/ z& E( B. t+ @" Q; }
请教一下高人,IPEX 下面 layout时候一般都挖几层啊? RF测试座下面也要挖空吗?  Z) }" i" ?& [! s
是什么原因导致两者之间得功率测试差异这么大,用网分量了两者之间得loss 也只有0.3db左右。
" X- S' G+ ?. _/ v, |2 V! P

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2#
发表于 2022-10-9 14:00 | 只看该作者
其实走线只要做了50ohm,测试座和同轴线座子下面挖不挖差别不会太大。可以把IPEX座子去掉,焊猪尾巴测测看,焊的时候接地要尽量靠近信号。

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3#
发表于 2022-10-9 14:14 | 只看该作者
你的I-PEX是用那种扣线测的?还是呈标的标准测试线?那种几块一根的扣线,测高频,测多几次不准的概率极大,吹掉焊根铜管看一看;# q& T8 h- V4 H% l' j( o
另外,注意你的射频线,是不是下方扣地了?如果扣地了,线离两侧地太近,对高频也会有影响的。

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4#
发表于 2023-2-9 09:37 | 只看该作者
IPEX一般而言   因为焊盘较大    就算挖空到两层都不为过" Q2 [% M: [3 p( O7 j4 g, u0 m
你去计算阻抗就知道  即便挖空2层   50奥姆线宽3 m7 `/ U- \" X+ f
都还比IPEX焊盘细  
+ J6 \% n: m7 I; V7 p- j- Q; {9 u4 x- U5 w
至于RF测试座   则看焊盘大小  如果跟50奥姆线宽差不多  那就不用挖! `; U9 y4 Z* V2 F, i
总之  焊盘挖空的用意是
; G! |6 r  L9 d" D& T1 G! t7 }7 c* [9 ]( q+ O
1.        阻抗接近50奥姆: H0 X, J9 ]) g
2.        降低寄生电容
+ K' C- S* {) [/ ^2 ~/ x+ ?2 [) K: k- k
先满足1再来谈2   不然如果焊盘大小跟50奥姆线宽差不多
; ^/ |7 \0 @: e8 B2 N8 U% ~你硬挖空   寄生电容是降低了没错   但阻抗高于50奥姆8 E6 ^- |. O( o4 ]! c. K6 e
这样不会比较好  不用想说匹配调回来   没这么万能
& R/ l2 x" _* E+ [% i) J/ I. b" H  n/ m7 b
至于你说调至50Ω  用网分量了两者之间得loss 也只有0.3db左右4 N3 S/ W9 r& q6 K" N( r6 U. V
这个都是你用铜管量出来的  没考虑到测试座本身的影响
. [2 r8 C, b" c4 I2 X建议你用测试座去量   才会比较准
1 I2 x0 O6 ?  \/ Q* S因为焊盘没挖空的影响    要用测试座去量  才会显现
1 y6 S3 i' ~' m6 y/ C用铜管去量   是显现不出来的$ `% _8 {+ Q. ?" g

- g4 d: J8 C9 a- I" S2 ]
, V, d% M5 a- p% @0 M! [) L; T2 u7 K
  s! A. N  b* y+ e* I* i% S
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