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EDA365电子论坛网»电子社区 › 研发技术版块 › 硬件设计讨论 › 大电流模块短路试验
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大电流模块短路试验

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Chenmiking
  • TA的每日心情
    奋斗
    2020-7-17 15:39

    • 签到天数: 13 天

    [LV.3]偶尔看看II
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    1#
     楼主| 发表于 2025-11-4 17:19 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    x
    我有一个大电流模块，电流大概200A，需要六个MoS管并联，我有三个方案，一个方案是三个一组，分为两组，用两组开关去控制两组MOS管，每个mos管带独立的栅级电阻还；有一个方案是用六个开关去控制六个MOS管；第三个方案是用一个驱动信号去控制六个mos管，六个mos管都有独立栅级电阻，我想问一下，在做短路试验的时候，这三种方式，哪个更容易造成MOS管的损坏？

    “来自电巢APP”

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    谢谢分享！: 5.0
    超級狗
    谢谢分享！: 5
    全看哥的目的，看你是想弄死它，還是希望它在測試後存活下來。^_^  发表于 2025-11-5 22:37

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    参与人数 1威望 +5 收起 理由
    超級狗 + 5 算是個不錯的問題！

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    Dcpc086397900
  • TA的每日心情
    奋斗
    2025-11-21 15:00

    • 签到天数: 60 天

    [LV.6]常住居民II
    2#
    发表于 2025-11-4 20:04 | 只看该作者
    我的看法是，有200A的mos，价格不贵，用一个，直接控制即可。

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    参与人数 1威望 +5 收起 理由
    超級狗 + 5 觀念正確、但 KW 級需要鱷龜般大的 ＭOS 管.

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    超級狗

    该用户从未签到
    3#
    发表于 2025-11-4 22:26 | 只看该作者
    本帖最后由 超級狗 于 2025-11-5 09:18 编辑 / l# ?9 \/ Q, Y
    ; l4 \/ `" L2 u9 v- v
    爽乎？
    + \0 |! ?4 c8 C, u
    * j! {& Z5 A! p8 I重點不在於你做不做短路測試，每個 MOS 管的特性都不一樣（開關速度、導通電阻...等），如果開關時間不一致，平時工作就有可能會往生，不用等到短路發生。8 X/ Z1 `+ V) Q
    ( U  D! @6 X/ k: n
    • 一次要推多顆 MOS 管，Gate Driver 的驅動能力需要注意。
    • MOS 管儘量選擇同一個批號，特性會較一致。
    • 需要追加過流保護（OCP）機制。% S2 m% {) g0 J+ d( ^4 r9 l

    / ~+ N; N$ B1 N& d踢哀（TI）參考設計 TIDA-00364; f1 T# V, A& |2 k# ^

    2 Q2 V& O! D. \# a    TIDA-00364 reference design | TI.com
    7 F2 Q* ?4 d) g& M2 [( }# |) X' ]
    3 T( f# q% z1 E& y/ P
    7 _9 W+ x7 k$ f$ E6 W* H- G7 ]

    5KW Power Stage Reference Design.jpg (30.13 KB, 下载次数: 2)

    5KW Power Stage Reference Design.jpg

    slpa020.pdf

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    Dcpc103055205
  • TA的每日心情
    奋斗
    2025-11-21 15:05

    • 签到天数: 26 天

    [LV.4]偶尔看看III
    4#
    发表于 2025-11-5 09:33 | 只看该作者
    在短路试验中，方案三（单驱动信号控制六个 MOS 管）最容易造成损坏，方案二次之，方案一相对最安全。

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    超級狗

    该用户从未签到
    5#
    发表于 2025-11-5 13:11 | 只看该作者

    % v0 P) p+ U+ o9 @% {! ?虐死劈你呀（Nexperia）Current Sharing 技術介紹7 a& X" c& x; Q2 |$ {  w
    在并联两个或多个 MOSFET 以实现高电流能力和降低导通损耗的过程中，设计人员往往难以确保在导通与关断阶段，负载电流可在各独立器件间均匀分配。VGS(th) 值最低的MOSFET 会最先导通，进而承受更高热应力，可能会加速器件失效。为保障足够的安全裕量，工程师通常会对终端应用中所用 MOSFET 的规格进行过度设计。这种方式不仅会增加成本、消耗更多时间，还需开展额外的测试，但仍难以保证器件在高负载电流（数十安培级别）场景下具有稳定表现。另一种方案是向供应商采购经过筛选匹配的器件，但同样会增加终端应用的整体成本。 ( l. S$ @: u9 f  n* \2 E

    2 F1 R; G2 r  P/ \$ XNexperia PSMN1R9-80SSJ 和 PSMN2R3-100SSJ ASFET 凭借优异的特性和增强的动态均流功能，可帮助设计人员规避上述两种方案的局限。在导通/关断过程中，针对单器件电流达 50A 的应用场景，这两款开关能使并联器件间的电流差值减少 50%；同时，VGS(th) 参数差异范围缩小 50%（最大值与最小值仅差0.6V）。这一特性结合 1.9mΩ 或 2.3mΩ 的低 RDS(on)，有助于在功率开关应用中提升能效表现。 ' }0 v, s- w% h( Z2 r

    3 `0 g& g" V5 PNexperia专用MOSFET为高功率工业应用提供增强的动态均流功能 - 半导体器件（产品通报）－全球企业门户－产通网
    $ i, t9 O& w/ s% R! M- |
    4 N+ [, ^) i2 D# d7 m& Q
    4 P9 p, f% z$ J, ]2 S

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    Chenmiking
  • TA的每日心情
    奋斗
    2020-7-17 15:39

    • 签到天数: 13 天

    [LV.3]偶尔看看II
    6#
     楼主| 发表于 2025-11-5 21:13 | 只看该作者
    超級狗 发表于 2025-11-05 13:11:52  A+ G. V; @# d9 w3 i- X

    % p2 F0 O. f4 m0 H1 N& G" V虐死劈你呀（Nexperia）Current Sharing 技術介紹
      `# h5 k+ O  x" z- z在并联两个或多个 MOSFET 以实现高电流能力和降低导通损耗的过程中，设计人员往往难以确保在导通与关断阶段，负载电流可在各独立器件间均匀分配。VGS(th) 值最低的MOSFET 会最先导通，进而承受更高热应力，可能会加速器件失效。为保障足够的安全裕量，工程师通常会对终端应用中所用 MOSFET 的规格进行过度设计。这种方式不仅会增加成本、消耗更多时间，还需开展额外的测试，但仍难以保证器件在高负载电流（数十安培级别）场景下具有稳定表现。另一种方案是向供应商采购经过筛选匹配的器件，但同样会增加终端应用的整体成本。 9 Z$ D! A' t' ?9 A; @. V

    / l1 D7 Z; T, s" n7 {$ i; ~Nexperia PSMN1R9-80SSJ 和 PSMN2R3-100SSJ ASFET 凭借优异的特性和增强的动态均流功能，可帮助设计人员规避上述两种方案的局限。在导通/关断过程中，针对单器件电流达 50A 的应用场景，这两款开关能使并联器件间的电流差值减少 50%；同时，VGS(th) 参数差异范围缩小 50%（最大值与最小值仅差0.6V）。这一特性结合 1.9mΩ 或 2.3mΩ 的低 RDS(on)，有助于在功率开关应用中提升能效表现。
    * m, r3 f. @2 s" n$ J; R2 B2 P) c  U$ [% I9 Y* z5 V) R
    Nexperia专用MOSFET为高功率工业应用提供增强的动态均流功能 - 半导体器件（产品通报）－全球企业门户－产通网. A' [; `/ R2 M  D  R
    9 l; t& n, W# k4 S+ }$ u9 o) o3 ?

    0 F# e5 ^% ]; J' Q# `$ n6 \: ~, f( w" c- G
    大神，你感觉这三种方式，哪一种更容易出问题啊？
    * h* ]$ \8 N$ J6 Y3 A" ?9 y

    “来自电巢APP”

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    超級狗
    其實這個問題可以視為，MOS 管 SOA (Safe Operation Area) 曲線問題的延伸，請看 Jacky 老師的帖子！ MOSFET、 IGBT为什么会烧掉？ - 硬件设计讨论 - EDA365电子论坛网  详情 回复 发表于 2025-11-6 12:54
    超級狗
    時間差造成先開的那幾個，要短暫承受所有 200A 的電流；關掉時也同理，後關的那幾個要短暫承受所有 200A 的電流。@_@|||  发表于 2025-11-6 11:15
    超級狗
    谢谢分享！: 5
    踢哀（TI）不是都告訴你了？六個 MOS 管一起開關才安全，想自刎歸天就讓每個 MOS 管開關時間都不一樣呀～時間差越多越容易往生。^_^  发表于 2025-11-5 22:32

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    超級狗 + 5 自刎歸天特別獎勵！

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    超級狗

    该用户从未签到
    7#
    发表于 2025-11-6 12:54 | 只看该作者
    Chenmiking 发表于 2025-11-5 21:137 K; w; n7 ]! h$ B
    大神，你感觉这三种方式，哪一种更容易出问题啊？

    + z; M0 A: S; \+ `其實這個問題可以視為，MOS 管 SOA (Safe Operation Area) 曲線問題的延伸，請看 Jacky 老師的帖子！9 v7 a3 o2 P' s0 j! J/ R1 d
    : H* F) @# M7 z4 W- ^
    MOSFET、 IGBT为什么会烧掉？ - 硬件设计讨论 - EDA365电子论坛网5 P1 s7 l4 ^; e+ ?
    / H& @$ W2 R. R$ k

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