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1#
 楼主| 发表于 2025-1-20 15:45 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
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2#
 楼主| 发表于 2025-1-21 09:53 | 只看该作者
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3#
发表于 2025-1-21 14:31 | 只看该作者
氮化镓(GaN)的优势主要体现在体积小和耐压高两个方面。氮化镓材料具有出色的电子迁移率和击穿场强,使得氮化镓器件可以在高频率和高功率密度下工作,从而大大减小了器件的体积。同时,氮化镓器件的耐压性能也很强,能够承受更高的电压而不被破坏。

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4#
发表于 2025-1-22 08:05 | 只看该作者
本帖最后由 超級狗 于 2025-1-22 08:06 编辑 0 {- ^7 ^0 |" }% v
氮化镓的优势是体积小耐压高?内阻做不低的吗?
比爛的!
  u- r% D- [" C- ?- G3 ?3 v) S/ H9 c7 Q' K6 M

XINGUAN XG65T230HS1B.jpg (66.88 KB, 下载次数: 1)

XINGUAN XG65T230HS1B.jpg

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5#
发表于 2025-1-22 08:06 | 只看该作者
氮化镓的优势是体积小耐压高?内阻做不低的吗?
比好的!
  c" c' v" {3 |
0 E$ B! \* u; S! e; j$ H- x% U/ g

NXP GAN063-650WSA.jpg (52.58 KB, 下载次数: 2)

NXP GAN063-650WSA.jpg

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6#
发表于 2025-1-22 08:12 | 只看该作者
氮化镓的优势是体积小耐压高?内阻做不低的吗?
氮化镓GaN FET)的優點不只這些,你要自己發掘!
* [! t- v4 F8 b
" z' W7 _* w- K1 M( u: z- N' N
5 j. e: m- `0 [$ @

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7#
发表于 2025-1-22 08:25 | 只看该作者
氮化镓的优势是体积小耐压高?内阻做不低的吗?
幹菲特GaN FET)介紹!( B4 A7 b1 F% o* t* x: B: M+ ^

9 E5 G/ u. h3 ?# g小弟的菜英文,請大家忍耐一下。" Y' V+ v! I# f
  Q2 {8 _) O8 W

KeithleyPart1.pdf

7.41 MB, 下载次数: 1, 下载积分: 威望 -5

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8#
 楼主| 发表于 2025-2-8 09:29 | 只看该作者
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