本帖最后由 criterion 于 2024-11-27 00:09 编辑 * b, y7 \) n. Y4 G5 i4 z$ j: y
, A5 o$ k; T9 {- D
先查看 MCU的电源跟晶体 是否有透过落地电容共地 有的话 拔电容试试
& `) R7 B! x3 V {7 E9 R
0 y. V$ l& }: R$ {7 b7 p$ y$ R* @
一般而言 32.768k是很低频的讯号了 其谐波会去干扰到射频讯号的机会很低 所以 分布在主频信号的两边的杂散 不是晶体谐波 而是交互调变 & i, H/ T6 e) ~* K% c
- E7 b! i+ ^/ f5 N
; H) s' Z& V, y5 }- S1 o6 s6 T3 w7 w7 X9 Y3 c
' L6 k7 }* p! ?$ S% B/ O7 C: p
如果32.768kHz 透过共地 窜到落地电容 再流入MCU( h) _9 s" {' }! ^$ S
跟RF主频 产生2阶交互调变+ D! v- i6 B- F6 }
(RF +- 32.768kHz)3 W; H' P" E& f6 K
就会出现你所说的
4 }. T. Z% I; y& l3 m6 [“杂散分布在主频信号的两边”5 f p) L4 w6 H5 c
5 L! P6 X* e/ n7 `. k+ A& }
- K" {# S5 A& z+ o" f要验证的手法也很简单 你把RF信号的功率调小( Q/ T- j; Z1 k& B! e
看杂散是否也跟着变小* |! e5 k) N: z9 U4 U; J
如果是 那就八九不离十了: X* `! z2 C; ^% z& p9 X* |. k
因为交互调变的功率 会跟RF信号功率 有连带关系
( U3 h# `; a2 M# b7 c3 B' b4 \) q( D
+ c) A: Y' F% G. `+ q* u# n/ z* ]
; J4 F9 b1 T+ r此时可能有人会提出两个疑问* q! p; V/ @5 m
* V( h9 e6 A9 I8 C第一个疑问 电容不是隔直吗?
0 x' O0 q* F/ t! j" t9 W J32.768kHz这么低频讯号 怎么可能流得过电容?
% ^% W- p3 A! Z& ~# B. Q# F5 l7 a/ a2 V5 E
答案是: 当然流得过 只要电容值够大
) K6 { n, c3 k来做个仿真 ) k# I7 a# e% f7 l ?
: o i$ X! r, f" p/ [( `
, b r0 d8 o" W3 A' q2 U: c
( t1 b, h1 M ~( S8 \
+ D* R; J) |/ b/ r0 ~2 P5 e1 ?
/ Y; |7 O( _) Z) d% J+ n
' T8 _8 f4 T4 G5 E( ^2 f& W. p( `/ l( i. t* }2 {( M" i! _) h9 M4 Z, E
该1uF电容 对于直流讯号 当然有隔直作用3 C) P) a5 K/ k% ^5 B
但是 32.768kHz的讯号 终究不是直流讯号
+ y0 K F0 K: H- C6 D, z4 f只要电容值够大 其谐振频率够低 意味着低频范围的阻抗很低' U5 K6 `' j) @- R$ H' }& {
对于极低频讯号 几乎无抑制能力 那当然就流得过7 x. t. H( w) l
* e% i5 T7 P" ?. [" k
+ ~1 | G* W w* k# m( M% P+ n第二个疑问 任何讯号 包含噪声: Q- a. M: h* l7 j# `
肯定是高阻抗流向低阻抗* l9 N/ a( j' z3 G5 s
怎么可能会从GND逆游而上 流到电源走线?8 S* M0 G, M! J, |3 x: h4 P
" U+ _( H- y9 `3 _/ B7 g7 s
3 `0 I; O: `1 }+ d# ]
答案是 如果GND的阻抗 比电源走线还高 那就有可能了2 v. Q$ x9 z% o( D% G8 h! M5 _: E
# O( E6 x( e" X" ?$ @ ?0 r' F& e- f
; X) j7 F. }- p4 i/ g7 b9 y
( c1 E4 X l+ f4 {6 X n+ I# N: w' x6 T; R5 d# O
首先分析电源走线的阻抗 在走线放落地电容3 k/ ]2 U v: q8 w+ g$ f
等同加大了该走线的电容性 依照阻抗公式6 t; x7 N4 b4 S) T2 I. t- n
% b2 R" m0 j b$ T
% @6 f/ ?+ P: j- i
6 ?4 _& E: m, p, r. p: E9 m
& r$ M1 r Y( n8 o: U2 S! @8 w1 _5 M4 K. T' T H6 @
电容性增大 其阻抗就降低& B, {6 [9 B4 t E6 f5 h
如果是uF等级的大电容 阻抗就降更多- ]. n4 D t7 t C
% o8 v, s+ ~7 R2 m( \# U
# F! x, D5 T: U6 Q: Q5 O# X
再者 电源走线 通常会有多颗落地电容并联
2 O" h/ {$ k" Q6 J而电容是越并越大6 f2 l# q) o& v1 f
9 Z( T: f0 o( a
" K9 t7 q- T- d% [
. G9 o7 ]9 a$ b2 j, ?& u% j! _+ i
3 q( h4 M% E, j- z
" R1 Q& K r7 l如此又更进一步 大大降低了电源走线的阻抗
h# J$ l, O) C2 O1 a. L \4 r
1 w% v" F8 J0 I再来分析GND的阻抗 很多时候 碍于Layout空间限制1 z* x; [: k" o& ~) h
很可能GND是极为零碎的 且面积也不大
! L( n4 A/ {6 L' y& F8 i m: ~同时又因为面积不大 所以无法打太多地孔9 c6 t, W/ v" Y! s S
这些情况加种下 就会导致GND的阻抗 其实不如想象的低 y* [0 C& x$ |. f
甚至有可能比电源走线还高6 @8 h* U, [# s
如此一来 噪声从GND逆游而上 就有可能发生- b: t5 Y/ y9 M @' |, |" Q+ L
: D6 e# A; c2 r6 k因此 一开头才说 拔电容试试9 G) Q6 t% ^0 M! R" I
5 _8 P' W" j. S. T' N+ J O) ]* y* d- u
| 
/1 
楼主
收藏
淘帖
支持！
反对！
发表于 2024-1-17 10:10
发表于 2024-11-26 23:58