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MIPI trace上的bypass电容是否有要求?

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1#
发表于 2023-1-29 10:13 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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MIPI trace上的bypass电容是否有要求?
; t+ m( J, b2 e6 V3 x& w, j

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2#
发表于 2023-1-29 10:54 | 只看该作者
MIPI trace上的bypass cap最多47 pF。。。

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3#
发表于 2023-1-29 13:18 | 只看该作者
去耦电容和旁路电容都是起到抗干扰的作用,电容所处的位置不同,称呼就不一样了

该用户从未签到

4#
发表于 2023-2-8 18:10 | 只看该作者
这多半跟芯片厂商讨论   各家芯片要求不一! ~/ w7 b. Z! i; i- U) [% a
除了MIPI   许多控制讯号   像是PCIe
1 }( W) h. ~: r9 [" C其落地电容值都有规范
# P$ n0 T2 F8 z6 [+ m因为值太大   会使上升/下降时间拉长+ [+ @6 f* K. ~; U( c. X
进而影响逻辑判断   导致控制出问题4 s3 Q! m' B/ q9 x. @0 _

7 Z. i* N; J, f, H3 ?( c所以有些厂商  对于走线长度也有规范   即便走内层
" {$ @3 W8 ~: Z# e4 J: P4 Z+ p1 F(走表层会有EMI辐射问题  肯定太长不允许)
: @+ X# S/ P) O! m( B+ P原因在于走线太长   除了Loss大   整体寄生电容也大6 i7 d$ ~5 V- q& @' g0 u

) C# B0 j. R; z当然你说寄生电容这么关键的话   要不要联机宽都限制?
+ d0 _: C. w. U5 ~* w  O' L基本上是没严苛到这样  ; e* B% b; k3 @' q' d6 ]/ V
况且有些控制讯号   像是PCIe   需要阻抗控制  90 Ohm
$ I( g# ]  F0 b. Y$ X那线宽就不能乱调
: C2 I  ^7 ], H) v9 P
0 r  w; [* x+ ^6 g- U+ K, R, f
. F1 w# z+ J5 A$ ^9 ?7 p
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