MOS器件中有关迁移率的问题

justlikethisis · 发表于 2022-9-27 13:17

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在同一个半导体中，电子的迁移率高于空穴的。

1.如传统的N MOS 器件我们用P衬底，但是算沟道电子迁移率 u=qt/m 其中t 和电离杂质散射和声学散射有关（以Ge为例），此时t和参杂的Ni 有关，其实就是p衬底的浓度，这样以来算电子和空穴用的都是P衬底的参杂浓度，当然电子的m有效质量大于空穴的，所以电子和空穴的有效质量不同就在于与电离杂志散射和声学波散射对应的系数了吗？

2.我们平常用的mos器件实际上是反型出来的少子导电，那如果是多子导电，先不考虑工艺实现与否，
同等参杂浓度的衬底，一个是p型我们用其中的少子电子导电
一个是n型，我们用其中的多子电子导电

直观上看，后者电流应该大

但是要计算两者究竟谁的电子迁移率高怎么计算？？

starskyuu · 发表于 2022-9-27 14:38

多子导电就是电阻特性了

xiaoming11 · 发表于 2022-9-27 15:56

没咋研究过迁移率

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