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本帖最后由 Heaven_1 于 2022-7-1 18:37 编辑
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MOS管电平转换电路! M2 ]5 d; d' k. d, D
电平转换在电路设计中非常常见，因为做电路设计很多时候就像在搭积木，这个电路模块，加上那个电路模块，拼拼凑凑连起来就是一个电子产品了。而各电路模块间经常会出现电压域不一致的情况，所以模块间的通讯就要使用电平转换电路了。8 _" i) F3 B. ?& ]
9 _8 j( m8 O; T' T" W上图是用MOS管实现的I2C总线电平转换电路，实现3.3V电压域与5V电压域间的双向通讯。挂在总线上的有3.3V的器件，也有5V的器件，通过这个电路，大家就可以愉快地玩耍聊天了。/ {6 G" d) s2 j7 v# [( g6 F; s" k
( h% K% s( C" A实物对照图如下。实物的上拉电阻用了4.7K欧姆，可以提供更大的电流驱动能力。在满足电路性能的前提下，我喜欢用阻值更大的电阻，因为功耗更低更省电。
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原理分析, y, D9 d* }/ a. q+ T* |. G8 u
简化来看，留下I2C的一根线来分析就可以了，如下图。7 S! }+ ]% X$ u+ R8 G
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分四种情况：
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1、当SDA1输出高电平时：MOS管Q1的Vgs = 0，MOS管关闭，SDA2被电阻R3上拉到5V。' T# X! ?& a: q/ p! @. c! _$ o
3 P8 f2 x: F7 R" g2、当SDA1输出低电平时：MOS管Q1的Vgs = 3.3V，大于导通电压，MOS管导通，SDA2通过MOS管被拉到低电平。: R- \6 v9 D3 A% n" E
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3、当SDA2输出高电平时：MOS管Q1的Vgs不变，MOS维持关闭状态，SDA1被电阻R2上拉到3.3V。
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4、当SDA2输出低电平时：MOS管不导通，但是它有体二极管！MOS管里的体二极管把SDA1拉低到低电平，此时Vgs约等于3.3V，MOS管导通，进一步拉低了SDA1的电压。
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9 @6 J' |( P' J注：低电平指等于或接近0V。高电平指等于或接近电源电压。所以3.3V电压域的器件，其高电平为等于或接近3.3V；5V电压域的器件，其高电平为等于或接近5V。, q" N( x0 W7 Y# j3 _ i
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具体要求看芯片的数据手册是怎么说明这个限定范围的，常见的比如说0.3倍的“芯片供电电压”以下为低电平，0.7倍的“芯片供电电压”以上为高电平。也就是说“芯片供电电压”为5V的时候，5 x 0.3 = 1.5V 以下为低电平，5 x 0.7 = 3.5V 以上为高电平。
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某一个芯片数据手册里关于高低电平的阈值范围说明
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0 Q0 o7 H. |8 ]# M% o+ X$ x" p注意事项2 L1 N0 M1 X: M
以上是3.3V与5V之间的情况，如果换用其他电压域之间的转换，如3.3V、2.5V、1.8V等电压值的两两之间，需要注意MOS管的Vgs开启导通电压。
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给MOS管过高的Vgs会导致MOS管烧坏！给过低的Vgs会导致MOS管打不开！不同型号的MOS管这个参数值还不一样！！！
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& @3 j6 S! M e举例：其中一个厂家生产的2N7002的数据手册，Vgs不能超过正负20V
7 {& }- q% Q2 L! x; `% Z7 c再来看一下，设计电路时Vgs可能设计过小的情况，下图是2N7002的数据手册：
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举例：其中一个厂家生产的2N7002的数据手册，Vgs的开启电压为1V4 }0 A# t! x; N" Z" B' ?5 j# u) [/ Y
实际使用时为保证完全开启、完全导通，设计上要多预留余量，比如实际电路中Vgs起码给到1.8V。因为1.8V的设计参数接近数据手册标注的1V临界值，尤其注意用实验验证，确保万无一失。 l) W" Z6 B$ M( U* s7 _
6 j7 i0 A* p& ]4 z( \' J/ n. ]总结! M: O& \$ k3 r2 t1 f; V7 p
3.3V跟5V互转的电路已经是一个经典电路，实在是硬件设计师居家旅行、护院看家，必备良药！MOS管型号就记住用2N7002，这个型号便宜，性能久经考验，不像有些MOS管外型看起来跟2N7002一样，但实际是大功率的，有部分性能规格浪费了，有部分性能规格又不一定能满足需要，主要是还贼贵，具体其他MOS是怎样的这里就不细究啦。
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发表于 2022-7-1 15:01
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