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ASEMI大功率MOS管60N10的检测方法

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发表于 2022-6-21 09:20 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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MOS场效应管60N10比较“娇气”。这是因为它的输入电阻很高,而栅极和源极之间的电容很小,很容易被外界电磁场或静电的感应充电,少量的电荷就可以形成一个比较高的电极间电容上的电压,会损坏管子。因此,60N10出厂时将所有引脚扭绞在一起,或装在金属箔内,使G极和S极等电位,以防止静电荷的积累。不使用管子时,所有引线也应短接。下面给大家介绍一下ASEMI大功率MOS管60N10的检测方法。测量时要格外小心,并采取相应的防静电措施。. p% \- r7 E% Y

1 ]8 K+ s8 J! `' j4 J5 ]& ]9 C60N10参数描述
9 _; h* y1 B) @2 W: b8 t+ t型号:60N10
& C5 Z5 X6 W) x6 u封装:TO-2635 c1 k3 h7 S2 y
特性:大功率MOS管/ j0 B; w& W. \: ?' M  A
电性参数:60A 100V
! L9 w/ l* e# U; R栅极阈值电压VGS(TH):4V
& c6 F# `  s/ W9 L( A7 {  ~连续漏极电流(ID):60A
/ h, K9 u# e7 b功耗(PD):160W( Q' L# t1 P, j+ L! m# O
二极管正向电压(VSD):1.2V& ]! @6 `$ _& r; m( {  J5 ?
静态漏源导通电阻(RDS(ON)):17mΩ0 `/ }$ r- Z! N  n: R
零栅极电压漏极电流(IDSS):1uA
. l0 M( @8 b; C- a' L反向恢复时间(trr):35nS1 Z: Z) i: z7 y! N* q( ^2 I
输出电容(Coss):182.5pF" N( K' z" h( D6 @. p$ L8 C+ G
贮存温度:-55~+175℃0 Y' F/ v; R' h7 X8 u
引线数量:3
8 x9 _  \6 g" a6 t
8 h1 R$ y& A- q9 k5 w大功率MOS管60N10的检测方法:
; C5 S! S" F5 y3 i6 i' P! H* H! O% C1、准备
- Z) R: e) ~# g- J测量前,在接触MOSFET管60N10的引脚之前将人体短接到地。最好在手腕上接一根电线与大地相连,使人体与大地保持等电位,再把管脚分开,然后拆掉导线。0 Q" |1 G8 Y- J. F# I$ I! W/ ~
1 C, N7 L7 e( U! }( K
2、判断电极) b# r. v* s$ K. P
万用表置于R×100档,先确定栅极。如果一个管脚和其他管脚的电阻是无穷大的,证明这个管脚就是栅极G。交换表笔重测量,S-D之间的电阻值应该是几百欧到几千欧,电阻值较小时,黑色表笔接的为D极,红色表笔接S极。
) _! u8 i8 F( u* m& Z* J
- }8 j; H! J- S- W3、检查放大能力(跨导)
* Q5 u' a. m, g' d6 ~( |% }' _将G极置于空中,将黑表笔接D极,红表笔接S极,然后用手指触摸G极,针头应有较大偏转。双栅MOS场效应晶体管有两个栅极G1和G2。为了区分它们,可以用手分别触摸G1和G2极,G2极是针向左偏斜较大的极。
0 T/ H1 C. v1 O) J% V6 g3 i  x目前的MOS管60N10在G-S极之间加了保护二极管,所以平时不用短接各个管脚。$ D4 H, Z; A  S: V( }. B" L

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发表于 2022-6-21 10:25 | 只看该作者
看一看学习学习,

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3#
发表于 2022-6-21 13:18 | 只看该作者
就说有时候芯片的逻辑不对。
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