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SoC封装技术与SIP封装技术的区别

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发表于 2021-10-12 10:42 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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随着物联网时代来临,全球终端电子产品渐渐走向多功能整合及低功耗设计,因而使得可将多颗裸晶整合在单一封装中的SIP技术日益受到关注。除了既有的封测大厂积极扩大SIP制造产能外,晶圆代工业者与IC基板厂也竞相投入此一技术,以满足市场需求。) H0 z% y' l$ h  m  T
. z% }) r) z% x( o4 r
早前,苹果发布了最新的apple watch手表,里面用到SIP封装芯片,从尺寸和性能上为新手表增色不少。而芯片发展从一味追求功耗下降及性能提升(摩尔定律),转向更加务实的满足市场的需求(超越摩尔定律)。: ?$ z4 R- }# S& E
, p1 [: x# F, \" E* g6 x2 S
+ a+ U; I% L8 J9 y  J1 f6 u. Z5 p
根据国际半导体路线组织(ITRS)的定义:SIP为将多个具有不同功能的有源电子元件与可选无源器件,以及诸如MEMS或者光学器件等其他器件优先组装到一起,实现一定功能的单个标准封装件,形成一个系统或者子系统。* v8 v, c. T6 K* X$ j4 o" o) N% ^

5 X4 O7 _9 y- D; X% ESIP定义
* ]/ I9 z  w. j8 [  Z/ D% @# J% J7 j
+ X) I- `3 m7 a3 \从架构上来讲, SIP 是将多种功能芯片,包括处理器、存储器等功能芯片集成在一个封装内,从而实现一个基本完整的功能。% b9 \; L: D6 A& E9 _: s6 n/ x

6 l  j, d. K" y# j5 l/ \SOC定义
: [; M+ D) ~* X% V' B) w7 ~2 H1 v3 G2 g1 F8 q
将原本不同功能的 IC,整合在一颗芯片中。藉由这个方法,不单可以缩小体积,还可以缩小不同 IC 间的距离,提升芯片的计算速度。SOC称为系统级芯片,也有称片上系统,意指它是一个产品,是一个有专用目标的集成电路,其中包含完整系统并有嵌入软件的全部内容。同时它又是一种技术,用以实现从确定系统功能开始,到软/硬件划分,并完成设计的整个过程。
/ J1 S, n+ b6 |( B
' K' D! ]) D2 y+ t$ E# J6 eSOC与SIP之比较7 Q8 c0 W9 e% C8 i" p

9 V( @. D& y4 \' M" f& _自集成电路器件的封装从单个组件的开发,进入到多个组件的集成后,随着产品效能的提升以及对轻薄和低耗需求的带动下,迈向封装整合的新阶段。在此发展方向的引导下,形成了电子产业上相关的两大新主流:系统单芯片SOC(System on Chip)与系统化封装SIP(System in a Package)。* [. r  L- D8 n3 B

1 z. x, B7 J* m3 \% PSOC与SIP是极为相似,两者均将一个包含逻辑组件、内存组件,甚至包含被动组件的系统,整合在一个单位中。; n2 D; Q& ?5 _9 S2 R& t& a

! r; T9 m1 Z: m; E- ~SOC是从设计的角度出发,是将系统所需的组件高度集成到一块芯片上。# C- l9 [( T3 x. R5 e& \. Z% e' i
& V8 A% S5 d2 A0 W
SIP是从封装的立场出发,对不同芯片进行并排或叠加的封装方式,将多个具有不同功能的有源电子元件与可选无源器件,以及诸如MEMS或者光学器件等其他器件优先组装到一起,实现一定功能的单个标准封装件。6 k% A/ E( \; d9 l
: ^4 j* r+ U/ P
构成SIP技术的要素是封装载体与组装工艺,前者包括PCB、LTCC、Silicon Submount(其本身也可以是一块IC),后者包括传统封装工艺(Wire bond和Flip Chip)和SMT设备。无源器件是SIP的一个重要组成部分,如传统的电容、电阻、电感等,其中一些可以与载体集成为一体,另一些如精度高、Q值高、数值高的电感、电容等通过SMT组装在载体上。
. T* R" D2 h& a/ R; d' Q" t6 F9 N* `3 `* C3 M7 |' G

2 [/ O& h/ a* ^2 p5 A
- b: e/ a2 d$ b% @7 f: }. QSIP封装
2 x+ B6 b! T0 S8 @& M
; C( z8 L8 O+ ^6 S4 B) O从集成度而言,一般情况下,SOC只集成AP之类的逻辑系统,而SiP集成了AP+mobile DDR,某种程度上说SIP=SOC+DDR,随着将来集成度越来越高,emmc也很有可能会集成到SIP中。* B1 C$ L) `3 Q: }- H; s

  Y( M! O& O/ M( q6 H9 i2 ?从封装发展的角度来看,因电子产品在体积、处理速度或电性特性各方面的需求考量下,SOC曾经被确立为未来电子产品设计的关键与发展方向。但随着近年来SOC生产成本越来越高,频频遭遇技术障碍,造成SoC的发展面临瓶颈,进而使SIP的发展越来越被业界重视。
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+ o! G* D3 @8 E, w9 HSIP的封装形态4 m7 u" I4 f8 u* v! O

: {  j4 S  P$ E+ f" B6 D- hSIP封装技术采取多种裸芯片或模块进行排列组装,若就排列方式进行区分可大体分为平面式2D封装和3D封装的结构。相对于2D封装,采用堆叠的3D封装技术又可以增加使用晶圆或模块的数量,从而在垂直方向上增加了可放置晶圆的层数,进一步增强SIP技术的功能整合能力。而内部接合技术可以是单纯的线键合(Wire Bonding),也可使用覆晶接合(Flip Chip),也可二者混用。$ M$ M9 F, s* O3 `8 P8 X
2 }' D2 Z6 A/ ~; [
另外,除了2D与3D的封装结构外,还可以采用多功能性基板整合组件的方式——将不同组件内藏于多功能基板中,达到功能整合的目的。不同的芯片排列方式,与不同的内部接合技术搭配,使SIP的封装形态产生多样化的组合,并可依照客户或产品的需求加以客制化或弹性生产。0 V5 H" a4 ^0 E) Q8 q( L! F
+ \2 V) j6 z4 W8 m2 n( i
几种SIP封装方案+ c* ?! u! r! J/ U6 X
  l; y, b' j) n- A
SIP的技术难点
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( S* w4 T6 S- u' z* M! cSIP的主流封装形式是BGA,但这并不是说具备传统先进封装技术就掌握了SIP技术。4 d  J' P7 t# e* {( W+ ^5 ^% L1 i" \4 W
3 x. }. |3 V6 M' I- S9 v6 }
对于电路设计而言,三维芯片封装将有多个裸片堆叠,如此复杂的封装设计将带来很多问题:比如多芯片集成在一个封装内,芯片如何堆叠起来;再比如复杂的走线需要多层基板,用传统的工具很难布通走线;还有走线之间的间距,等长设计,差分对设计等问题。
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此外,随着模块复杂度的增加和工作频率(时钟频率或载波频率)的提高,系统设计的难度会不断增加,设计者除具备必要的设计经验外,系统性能的数值仿真也是必不可少的设计环节。( Y8 z' Q* o% u( n2 _. L
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SOC与SIP技术趋势
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从集成度而言,一般情况下, SOC 只集成 AP 之类的逻辑系统,而 SIP 集成了AP+mobileDDR,某种程度上说 SIP=SOC+DDR,随着将来集成度越来越高, emmc也很有可能会集成到 SIP 中。从封装发展的角度来看,因电子产品在体积、处理速度或电性特性各方面的需求考量下, SOC 曾经被确立为未来电子产品设计的关键与发展方向。但随着近年来 SOC生产成本越来越高,频频遭遇技术障碍,造成 SOC 的发展面临瓶颈,进而使 SIP 的发展越来越被业界重视。 

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发表于 2021-10-12 11:25 | 只看该作者
SOC与SIP是极为相似,两者均将一个包含逻辑组件、内存组件,甚至包含被动组件的系统,整合在一个单位中。

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3#
发表于 2021-10-12 14:49 | 只看该作者
SOC是从设计的角度出发,是将系统所需的组件高度集成到一块芯片上
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