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1、BGA(ballgridarray)
, h0 l! J+ a( a 球形触点陈列，表面贴装型封装之一。在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以代替引脚，在印刷基板的正面装配LSI芯片，然后用模压树脂或灌封方法进行密封。也称为凸点陈列载体(PAC)。引脚可超过200，是多引脚LSI用的一种封装。
" z0 b$ E2 M$ ] 封装本体也可做得比QFP(四侧引脚扁平封装)小。例如，引脚中心距为1.5mm的360引脚BGA仅为31mm见方；而引脚中心距为0.5mm的304引脚QFP为40mm见方。而且BGA不用担心QFP那样的引脚变形问题。
# X4 I# G- |6 W/ g 该封装是美国Motorola公司开发的，首先在便携式电话等设备中被采用，今后在美国有可能在个人计算机中普及。最初，BGA的引脚(凸点)中心距为 1.5mm，引脚数为225。现在也有一些LSI厂家正在开发500引脚的BGA。BGA的问题是回流焊后的外观检查。现在尚不清楚是否有效的外观检查方法。有的认为，由于焊接的中心距较大，连接可以看作是稳定的，只能通过功能检查来处理。
: D+ q; ?0 L- t1 u' _1 g 美国Motorola公司把用模压树脂密封的封装称为OMPAC，而把灌封方法密封的封装称为GPAC(见OMPAC和GPAC)。 $ o4 g% P. B0 f4 ~
% P& E" s) \: g. s
7 d- `" c0 N; ^9 r2 t" Y$ g4 v3 `
1 W; W+ V8 p1 @9 {- ] 2、BQFP(quadflatpackagewithbumper)
& D3 V! d1 _- z; x3 U0 _" I 带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。QFP封装之一，在封装本体的四个角设置突起(缓冲垫)以防止在运送过程中引脚发生弯曲变形。美国半导体厂家主要在微处理器和ASIC等电路中采用
7 t2 L9 W0 O' t4 u/ W 此封装。引脚中心距0.635mm，引脚数从84到196左右(见QFP)。
# c0 H- s( H9 y- }) h: ?9 \ 3、碰焊PGA(buttjointpingridarray)
3 e9 c1 E$ R9 L 表面贴装型PGA的别称(见表面贴装型PGA)。% l, x; A. M, B/ E5 D8 Q6 R( D1 A3 Z
4、C－(ceramic)9 A) L& u" v8 U/ \
表示陶瓷封装的记号。例如，CDIP表示的是陶瓷DIP。是在实际中经常使用的记号。
Q9 Y. J" F& ^7 V+ e8 W 5、Cerdip
3 O) J& F4 ~! P 用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装，用于ECLRAM，DSP(数字信号处理器)等电路。带有玻璃窗口的Cerdip用于紫外线擦除型EPROM以及内部带有EPROM的微机电路等。引脚中心距2.54mm，引脚数从8到42。在日本，此封装表示为DIP－G(G即玻璃密封的意思)。- x% x# _; g- @6 r
6、Cerquad4 M; k6 E7 b/ M7 J
表面贴装型封装之一，即用下密封的陶瓷QFP，用于封装DSP等的逻辑LSI电路。带有窗口的Cerquad用于封装EPROM电路。散热性比塑料QFP 好，在自然空冷条件下可容许1.5～2W的功率。但封装成本比塑料QFP高3～5倍。引脚中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、 0.4mm等多种规格。引脚数从32到368。
) I2 q* ~+ V- P 7、CLCC(ceramicleadedchipcarrier)
6 u- ]; h& x& ?# e 带引脚的陶瓷芯片载体，表面贴装型封装之一，引脚从封装的四个侧面引出，呈丁字形。
5 d; D% Q. z# O4 P+ \! u/ v 带有窗口的用于封装紫外线擦除型EPROM以及带有EPROM的微机电路等。此封装也称为QFJ、QFJ－G(见QFJ)。6 c8 M& p3 s- S& a
8、COB(chiponboard)
7 u) e c. S# u 板上芯片封装，是裸芯片贴装技术之一，半导体芯片交接贴装在印刷线路板上，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，并用树脂覆盖以确保可靠性。虽然COB是最简单的裸芯片贴装技术，但它的封装密度远不如TAB和倒片焊技术。; E: B- m4 ?! Y( h$ B
9、DFP(dualflatpackage), g) e8 `% A* @! Z" K
双侧引脚扁平封装。是SOP的别称(见SOP)。以前曾有此称法，现在已基本上不用。+ j0 G1 ^- v( F% i
10、DIC(dualin-lineceramicpackage)
! e3 L; r# Y6 r. W8 y/ P 陶瓷DIP(含玻璃密封)的别称(见DIP).) V9 X* t0 A3 ~6 Y( |; w
11、DIL(dualin-line)
) ?, [- s( s- K! V* a DIP的别称(见DIP)。欧洲半导体厂家多用此名称。
& E) M+ X% ~7 b* s, B j 12、DIP(dualin-linepackage)
5 P8 R& ]5 A! m2 s$ c# a8 o' x( M 双列直插式封装。插装型封装之一，引脚从封装两侧引出，封装材料有塑料和陶瓷两种。DIP是最普及的插装型封装，应用范围包括标准逻辑IC，存贮器 LSI，微机电路等。引脚中心距2.54mm，引脚数从6到64。封装宽度通常为15.2mm。有的把宽度为7.52mm和10.16mm的封装分别称为 skinnyDIP和slimDIP(窄体型DIP)。但多数情况下并不加区分，只简单地统称为DIP。另外，用低熔点玻璃密封的陶瓷DIP也称为 cerdip(见cerdip)。
, T% a8 C% P/ I) W! ~ 13、DSO(dualsmallout-lint)* C2 Z0 ?$ ~$ d# M2 G0 f! A: Z c
双侧引脚小外形封装。SOP的别称(见SOP)。部分半导体厂家采用此名称。
! A/ x3 m2 J8 m( S 14、DICP(dualtapecarrierpackage)
% x Z# ^7 B9 J. g 双侧引脚带载封装。TCP(带载封装)之一。引脚制作在绝缘带上并从封装两侧引出。由于利
1 N6 t6 y! o4 s( J) \- ^ 用的是TAB(自动带载焊接)技术，封装外形非常薄。常用于液晶显示驱动LSI，但多数为定制品。另外，0.5mm厚的存储器LSI簿形封装正处于开发阶段。在日本，按照EIAJ(日本电子机械工业)会标准规定，将DICP命名为DTP。' T1 O- |8 M& G# |+ r0 h! Q( t
15、DIP(dualtapecarrierpackage)5 R6 E3 e% x x8 Y1 V- z
同上。0 N5 k# q" I2 r4 K8 Z; N2 J
日本电子机械工业会标准对DTCP的命名(见DTCP)。7 \* |% _% W$ V
16、FP(flatpackage)
' r& a. e% D& |$ P6 W! \ 扁平封装。表面贴装型封装之一。QFP或SOP(见QFP和SOP)的别称。部分半导体厂家采用此名称。
. R- y) I) F7 w. K; d1 m 17、flip-chip* |! P# H& l h+ b
倒焊芯片。裸芯片封装技术之一，在LSI芯片的电极区制作好金属凸点，然后把金属凸点与印刷基板上的电极区进行压焊连接。封装的占有面积基本上与芯片尺寸相同。是所有封装技术中体积最小、最薄的一种。但如果基板的热膨胀系数与LSI芯片不同，就会在接合处产生反应，从而影响连接的可靠性。因此必须用树脂来加固LSI芯片，并使用热膨胀系数基本相同的基板材料。# ~2 v9 x. W( {7 {+ u
18、FQFP(finepitchquadflatpackage)/ N9 g6 a( k! k# e+ K4 ?
小引脚中心距QFP。通常指引脚中心距小于0.65mm的QFP(见QFP)。部分导导体厂家采用此名称。+ k# ?; l3 @2 [5 p
19、CPAC(globetoppadarraycarrier)
: Q/ ~) G ?+ C 美国Motorola公司对BGA的别称(见BGA)。
: z- Q6 M, ^$ `: L3 ]6 C& Z% Y 20、CQFP(quadfiatpackagewithguardring)% c/ p. ]7 J! S! ~* _
带保护环的四侧引脚扁平封装。塑料QFP之一，引脚用树脂保护环掩蔽，以防止弯曲变形。1 ?' f# D& H" j
在把LSI组装在印刷基板上之前，从保护环处切断引脚并使其成为海鸥翼状(L形状)。这种封装在美国Motorola公司已批量生产。引脚中心距0.5mm，引脚数最多为208左右。
$ Q! T8 y; l& H4 n& y+ b# i1 ^ 21、H-(withheatsink)
* M8 p+ r9 v3 r5 O( V: k 表示带散热器的标记。例如，HSOP表示带散热器的SOP。7 F4 T0 B' {6 J% M
22、pingridarray(suRFacemounttype)
2 L; b" i! V& f8 t# | 表面贴装型PGA。通常PGA为插装型封装，引脚长约3.4mm。表面贴装型PGA在封装的底面有陈列状的引脚，其长度从1.5mm到2.0mm。贴装采用与印刷基板碰焊的方法，因而也称为碰焊PGA。因为引脚中心距只有1.27mm，比插装型PGA小一半，所以封装本体可制作得不怎么大，而引脚数比插装型多(250～52，是大规模逻辑LSI用的封装。封装的基材有多层陶瓷基板和玻璃环氧树脂印刷基数。以多层陶瓷基材制作封装已经实用化。
/ }7 H* h2 \( ?2 y1 o' o; B2 q6 A 23、JLCC(J-leadedchipcarrier)
( x- J4 D( b4 U/ C J2 s6 ?* ]1 k J形引脚芯片载体。指带窗口CLCC和带窗口的陶瓷QFJ的别称(见CLCC和QFJ)。部分半导体厂家采用的名称。- ~, H3 a) g% C; D' A, u) l$ D5 m
24、LCC(Leadlesschipcarrier)7 s+ v8 ]& x9 `5 O
无引脚芯片载体。指陶瓷基板的四个侧面只有电极接触而无引脚的表面贴装型封装。是高速和高频IC用封装，也称为陶瓷QFN或QFN－C(见QFN)。
9 @9 h9 D* z4 w$ l E( d+ D 25、LGA(landgridarray)
$ o# |* v% Y0 l2 p( U. f 触点陈列封装。即在底面制作有阵列状态坦电极触点的封装。装配时插入插座即可。现已实用的有227触点(1.27mm中心距)和447触点(2.54mm中心距)的陶瓷LGA，应用于高速逻辑2 C1 O, f; F) Q% X* ]
LSI电路。LGA与QFP相比，能够以比较小的封装容纳更多的输入输出引脚。另外，由于引线的阻抗小，对于高速LSI是很适用的。但由于插座制作复杂，成本高，现在基本上不怎么使用。预计今后对其需求会有所增加。
; L, d4 e3 R3 b1 _4 W! C2 r9 F 26、LOC(leadonchip)
" c! @' R+ Z0 Z* H6 \" ?! { 芯片上引线封装。LSI封装技术之一，引线框架的前端处于芯片上方的一种结构，芯片的中心附近制作有凸焊点，用引线缝合进行电气连接。与原来把引线框架布置在芯片侧面附近的结构相比，在相同大小的封装中容纳的芯片达1mm左右宽度。& ]. p; ^4 j9 ~' [6 V0 i: S% n6 N
27、LQFP(lowprofilequadflatpackage)
9 z- o6 D5 B d0 t2 A0 e 薄型QFP。指封装本体厚度为1.4mm的QFP，是日本电子机械工业会根据制定的新QFP外形规格所用的名称。
; N* F& ^- o% n 28、L－QUAD/ k- V5 N; v8 n2 p
陶瓷QFP之一。封装基板用氮化铝，基导热率比氧化铝高7～8倍，具有较好的散热性。封装的框架用氧化铝，芯片用灌封法密封，从而抑制了成本。是为逻辑 LSI开发的一种封装，在自然空冷条件下可容许W3的功率。现已开发出了208引脚(0.5mm中心距)和160引脚(0.65mm中心距)的LSI逻辑用封装，并于1993年10月开始投入批量生产。
1 a. | T. a- L8 ^% F! H% Q9 ` 29、MCM(multi-chipmodule), q3 A8 a! h* W7 h
多芯片组件。将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装。根据基板材料可分为MCM－L，MCM－C和MCM－D三大类。7 o" d5 O) z$ n
MCM－L是使用通常的玻璃环氧树脂多层印刷基板的组件。布线密度不怎么高，成本较低。
4 h/ `/ Q6 q5 H" \ MCM－C是用厚膜技术形成多层布线，以陶瓷(氧化铝或玻璃陶瓷)作为基板的组件，与使( f0 @4 m$ v* L8 t
用多层陶瓷基板的厚膜混合IC类似。两者无明显差别。布线密度高于MCM－L。
# F$ T. P8 ~$ E- K- ~ MCM－D是用薄膜技术形成多层布线，以陶瓷(氧化铝或氮化铝)或Si、Al作为基板的组件。
7 c f5 B5 V$ E$ W: E; E: I; f 布线密谋在三种组件中是最高的，但成本也高。
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发表于 2020-7-1 10:52
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