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芯片简介：VIN=3V~6V的Buck型同步DC-DC芯片，高边管有boot电源，采用国内0.5um BCD工艺，使用5V低压mos/12V dmos器件& H/ M2 m- p6 I6 R9 O& x
失效条件：VIN=4V时，一切正常；VIN=5V时，反复上电、反复关断再开启会损坏芯片。( M- q7 _9 G y) j
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失效芯片的表现：1）功能正常但空载电流变大到几十上百mA；2）功能正常但关断电流变大到几十mA；3）功能不正常，无输出；4）VIN对地短路。每颗损坏的芯片表现不一样，是前面1~4项的一条或两条。
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; H, V- h8 v8 I- ]2 v; f* s其它，部分损坏芯片VIN ESD烧毁，但是ESD实验可以过4kV，Latch up测试也OK。EMMI实验可以看到VIN ESD器件漏电，其它部位不明显。) n+ ?( c' A8 z. f
SW开关信号上冲下冲比较大，是功率管驱动能力太强了吗？' Z8 _: H0 e; P* f4 O( }+ F
请各位有碰到过类似问题的大侠指点一下可能出问题的地方，或者测试分析手段。6 x8 B' ]3 Q& Y+ E' r
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8 H$ }, o; z" o4 a2 O& o在此谢过了！* w7 @$ J% D* w& W, y1 |( i( A
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发表于 2020-3-19 13:43
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