|
|
EDA365欢迎您登录！
您需要 登录 才可以下载或查看，没有帐号？注册
x
芯片简介：VIN=3V~6V的Buck型同步DC-DC芯片，高边管有boot电源，采用国内0.5um BCD工艺，使用5V低压mos/12V dmos器件& S) M' |- |3 D4 S+ K, V
失效条件：VIN=4V时，一切正常；VIN=5V时，反复上电、反复关断再开启会损坏芯片。
! b% P" `* G0 T& d5 q! b9 Z8 R6 E" E$ y# v* t+ }% f. W" l
+ T7 U6 \; u9 @9 B失效芯片的表现：1）功能正常但空载电流变大到几十上百mA；2）功能正常但关断电流变大到几十mA；3）功能不正常，无输出；4）VIN对地短路。每颗损坏的芯片表现不一样，是前面1~4项的一条或两条。
, {- \+ u j, f, h( t/ R
8 Q! w$ x! `" b l0 [" ]6 U8 c& H5 w& g9 J
其它，部分损坏芯片VIN ESD烧毁，但是ESD实验可以过4kV，Latch up测试也OK。EMMI实验可以看到VIN ESD器件漏电，其它部位不明显。1 f) o& F- l* y8 I
SW开关信号上冲下冲比较大，是功率管驱动能力太强了吗？+ j3 S* ?/ V4 B2 ~: i
请各位有碰到过类似问题的大侠指点一下可能出问题的地方，或者测试分析手段。& t9 W0 f' y( U& d) U+ i0 D
0 U B! k$ m2 ?) m$ H0 w1 e5 b# L6 L+ a3 n2 H' _; N
在此谢过了！! {% E- p8 J4 t' D) R
|
|
/1 
发表于 2020-3-18 15:53
收藏
淘帖
支持！
反对！