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失效分析
' E1 `5 M. Z# K" h- S [2 R8 K6 F) i% f6 L! H
失效分析的总章与目录。
4 }2 _* ?, K' u+ U4 n2 h# P" T9 Z7 n& M% l- e3 k9 A8 E
9 C3 \- ]1 v. M) ~2 a. }9 i
失效分析基础
; s8 t" ^% \& o9 F' g& U
6 P& a7 r- N9 z7 b Pl 可靠性工作的目的，失效分析的理论基础、工作思路/ J+ y9 _% Q3 D* |4 j0 r" M
8 j" L* Q5 n8 p& {2 R) C! [' G$ K' Hl 术语定义与解释：失效、缺陷、失效分析、失效模式、失效机理、应力……
! x' r6 x C0 w0 V2 y
b9 }' w. f6 _% ml 失效分析的问题来源、入手点、输出物、相关标准
+ v. Y% A# A+ m: F7 X+ Y" W, u9 e1 h Q5 D
% P: q+ ]; D, d2 g! o6 ?* H! p
失效分析技术方法：% S% }! @% \, J, F) a
# V' d. ]- D/ K" p- F+ s7 C
A、失效分析的原则
+ R! X1 w. j7 M4 S. o4 J5 G6 i+ a7 s
B、失效分析程序
5 i, B0 v# P8 y1 d- l 完整的故障处理流程
- l 整机和板级故障分析技术程序
- l 元器件级失效分析技术程序（工作过程和具体的方法手段介绍）
9 e' h# ~0 m! \1 B. T4 a R
. k7 L, }8 Y" M& `" A9 h, X+ ]
9 L9 ?5 U6 C6 k3 S% [* ]4 n5 g
C、失效信息收集的方法与具体工作内容& p C6 o: U9 L, [# g- O/ Z+ h8 j; ?$ t
- l 如何确定失效信息收集的关注点
- l 样品信息需要包括的内容
- l 失效现场外部信息的内容
- l 信息收集表格示例
- l 信息收集为后面技术分析工作贡献的示例
* D0 }9 L. d( y; n; M) [
% r+ R! h. {+ d5 E9 Q! P3 o, _( e& N6 c4 x9 Y
D、外观检查
& x: E, j' W5 y4 S- l 外观检查应该关注的哪些方面
- l 外观检查发现问题示例
- l 外观检查的仪器设备工具
% U J% H9 x8 g/ }3 ?- x7 f
/ X! r8 c7 b; p( _
! b$ |5 C; L! y/ T- nE、电学测试$ I, D; n. _6 @# ~4 Y
- l 如何用电测验证失效模式和预判失效机理
- l 电测的具体方法
- l 几种典型电测结果的机理解析
- l 电测时复现间歇性失效现象的示例
- l 在电测中如何利用外部应力与失效机理的关联
- l 电测的常用仪器设备
0 |1 k" l: U& {3 ?0 z
0 |2 i5 x1 z7 v% i/ L
( o; `* O7 A% x: i3 cF、X－RAY
. w5 l* _% p% q' R- l X-RAY的工作原理与设备技术指标
- l 不同材料的不透明度比较
- l X-RAY的用途
- l X-RAY在失效分析中的示例
- l X-RAY的优缺点
- l X-RAY与C-SAM的比较9 u. _: L; L( s
?' ]( @6 t' w; p% @% U0 t4 i5 a/ [8 T! U* I
G、C-SAM6 A A4 l+ [, A7 [7 @
- l C-SAM的工作原理与设备技术指标
- l C-SAM的特点与用途
- l C-SAM、X-RAY在失效分析中联合应证的使用示例
- l C-SAM的优缺点, l' j1 E! F+ [
+ q! k9 a% c* c4 y/ d
; R* x7 j% u& f& I
H、密封器件物理分析
* r- G' J/ P8 w4 ? ~- l PIND介绍
- l 气密性分析介绍
- l 内部气氛分析介绍
- I、开封制样
- l 化学开封的方法、设备、技术要点介绍
- l 化学开封发现器件内部失效点的示例
- l 切片制样的具体方法与步骤
- l 切片制样发现器件和焊点内部失效点的示例
2 g( Y* {0 _8 P4 n7 o9 s+ w
1 \8 X" k% t' B
0 V& w v( b) N$ g6 tJ、芯片剥层! l8 k ~! W X
- l 化学腐蚀法去除钝化层的具体方法，及其特点与风险
- l 等离子腐蚀去除钝化层的具体方法，及其特点与风险
- l 腐蚀钝化层后样品观察区的形貌示例
- l 去除金属化层的具体方法与示例
) R( E7 a7 f, p' u; K
5 i, L1 L7 b& `* z; S/ I4 `2 {$ \9 ~9 ~4 k" F
K、失效定位－SEM4 L! ^# o% x: U& U: m0 R. H, r
- l SEM的工作原理与设备特点
- l 光学显微镜与SEM的性能比较
- l 光学显微镜与SEM具体成像区别示例+ E: [& W; I: b$ F
) Z& |' l, W/ ]% S* a2 B; j
* g1 x0 E$ u: W t7 cL、失效定位－成份分析3 h) V! L2 w+ Q, Y# j. s; V- R
- l 成份分析中的技术关注点经验
- l EDS、AES、XPS、SIMS、FTIR等成份分析仪器的用法比较
- l 成份分析在器件内部分析中的作用示例
! r% Q, G0 k! \' ]
$ N# B# n3 b0 P o* m) z( f+ d4 k
" C+ k! Q2 \4 e! \3 {! x, \+ \
M、内部热分析－红外热相0 }" w# P9 \5 f$ @
& ?7 _* K5 ]# M
N、内部漏电分析－EMMI9 Y$ w( {/ ^( @& `# F+ U; W0 D
* h D% y5 C! v6 G
O、芯片内部线路验证－FIB/ u: x5 w3 l% W, C8 j. o+ ^
6 o$ ]7 r9 F \' d: N
P、综合分析与结论# l$ V) Z3 B) l( F% X
- l 综合分析中的逻辑思维能力
- l 结论的特点与正确使用7 a- Y$ `2 h {" l x6 s
: N Q/ x) m. D) N: p4 D
3 ~7 a8 d0 ~- W" T7 Z" ]3 RQ、验证与改进建议9 [4 N9 H* q0 P# P9 B
- l 根本原因排查与验证
- l 改进建议及效果跟踪1 u) K) H7 d- |; q$ E( w
* E. g. L% y+ T5 g2 x7 c8 y: }! y6 |
5 G J, J0 Y/ m% m, |$ b
' K7 a! S) `, j. N( O$ T各类失效机理的归纳讲解与相应案例分析：
3 H8 S+ g* J# v( M' J' q+ _& I% U. X- `9 x8 S4 a; J* [
1、失效分析全过程案例
- {* j5 n. B- u5 `6 R5 `4 L* l |- A、失效信息收集与分析
- B、思路分析
- C、过程方法
- D、逻辑推导
- E、试验手段
- F、综合分析
- G、结论与建议* Z! Q& }, _3 }) f# r( [/ [1 j
3 ^2 z5 f, ?& u$ p( q, F& x8 A+ C0 N& i4 _6 b
2、静电放电失效机理讲解与案例分析
0 G$ G5 ~" M' t% n% f9 E- A、静电损伤的原理
- B、静电损伤的三种模型讲解
- C、静电损伤的途径
- D、静电放电的失效模式
- E、静电放电的失效机理
- F、静电损害的特点
- G、静电损伤的案例（比较器、单片机、微波器件、发光管、功率管）6 r) z6 |0 {/ L2 V# r
5 i" r; i% J+ G& ?( M i
3 o" O+ W" Z. O. z# G
3、闩锁失效机理讲解与案例分析; b% h+ `7 `$ @- }- N
- A、闩锁损坏器件的原理
- B、闩锁损坏器件的特征
- C、闩锁损坏器件的案例（开关器件、驱动器件等）
- D、闩锁与端口短路的比较
- E、CMOS电路引起闩锁的外部条件
- F、静电与闩锁的保护设计
, i4 A5 z' U- `* k- X9 A% E" F) y
, T1 Z7 r0 r; u5 [; g' W
" j) v t g2 `2 v2 U' j4、过电失效类失效机理讲解与案例分析* {( `' v+ U% u3 H* S
- A、过电的类型及特点（浪涌、过电压、过电流、过功率等）
- B、对应不同类型的过电的失效案例2 ^+ n' {/ F9 H1 p
( o! T% b0 W8 F' e, d
. {8 Z2 O, {/ A) p+ O7 X5、机械应力类失效机理讲解与案例分析% G ]" n, G& B) [
- A、机械应力常见的损伤类型
- |3 x, {) ~; V
2 f Y9 ]+ O# J( f2 u% b9 h B6 o+ [: b& F
6、热变应力类失效机理讲解与案例分析
9 t% V g; n; ~: z$ r, _+ h) ~- A、热变应力损伤的类型和特征
0 z& V! s+ L6 K4 @
5 H0 J# E3 g0 H5 x
% c' k x% M3 Y8 t
7、结构缺陷类失效机理讲解与案例分析
5 o4 X/ K# a# Q& i( w% G, ?- A、热结构缺陷的类型和特征
- B、发现缺陷的技术手段
" |8 j2 J( @, Z+ ~6 I
+ [ H5 z3 l9 {& L- p+ b# i
?, r( u5 m6 ]: J! ?8、材料缺陷类失效机理讲解与案例分析+ y7 ]" x4 V! W0 `6 V) ]
- A、绕线材料缺陷
- B、钝化材料缺陷
- C、引线材料缺陷
- D、簧片材料缺陷; L9 P- X$ F; C% F
- o1 M `% r8 l6 I( N# I) |% |3 t( S6 F1 @7 N, E
9、工艺缺陷类失效机理讲解与案例分析8 R4 q# o6 ]4 R; V' p
- A、工艺缺陷的类型和主要特征，发现手段1 W& q, r9 _* j
0 ?! J) G4 X' W0 Y
* M) ]5 q) B1 c$ }4 } y2 b
10、应用设计缺陷类失效机理讲解与案例分析9 o7 a$ y. b( i) \6 `2 _
! Y) ]: y# _8 A6 a2 d11、污染腐蚀类失效机理讲解与案例分析( I% @% {0 G4 s/ Y3 u T
- A、污染的来源与类型，腐蚀的主要原理
# m2 \% Y" |( ?
7 i8 S7 a0 G' |5 ^ T/ o* Y/ E/ i" \; `; V8 X6 u
12、元器件固有机理类失效机理讲解与案例分析
7 q, f- c/ {+ d* Z- A、不同类型的元器件固有失效机理的归纳
' b4 o; W2 a7 j% B6 j
0 F$ V1 Q1 B+ F$ V) V `# e/ ^; h5 Z1 h
13、面目全非的样品的分析
. j. H4 I! o/ o0 `7 n& M, k( R d6 _1 n) T
来自于—工业和信息化部电子工业标准化研究院; C( ~% Y) @- t/ H& B$ c! k9 Q- ?
$ u- ^. o, I Z* f8 a' M《电子产品及元器件失效分析技术与经典案例解析》专题研讨
+ B; K% f+ H4 m5 Q' {4 r; k
4 f& K. u, t$ f6 e% o& ]4 Q& q1 I' f. m* N4 l8 m" D
5 m1 T" y v- ^/ i- O' q
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发表于 2020-2-24 17:28
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