找回密码
 注册
关于网站域名变更的通知
查看: 2190|回复: 1
打印 上一主题 下一主题

HAST在贴片薄膜电阻失效分析中的应用

[复制链接]
  • TA的每日心情
    开心
    2019-11-29 15:39
  • 签到天数: 4 天

    [LV.2]偶尔看看I

    跳转到指定楼层
    1#
    发表于 2019-12-4 18:15 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

    EDA365欢迎您登录!

    您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册

    x
      ~: }; G% S1 Q2 \, Z: s

    , Q7 e# _' O! T& B- i" N4 [
    ' |! E3 P% H: k; p
    前言

    4 Q/ [' [" s1 O% q; A- F0 f4 ]5 _! y# b  O9 I

    ; h8 L5 l8 r) G* {& J- `' e  T
    电阻器作为运用最广泛的电子元器件之一,在电子设备中使用数量很大,因而电阻器失效导致设备故障的比率也相当高。特别是贴片精密薄膜电阻(以下简称电阻),因其工艺及结构的特点,近年来因湿热导致阻值漂移甚至开路的案例越来越多,厘清失效原因及机理,已成为迫切需要研究的课题。而传统的40℃、90%RH和85℃、85%RH的温/湿度偏压试验方法(THB)需要花上千小时,已不能满足当今高时效性的需求。

    + x' P0 w) S5 w- V- f" f2 ?
    PCT高压蒸煮试验有结露现象,不能加偏压,故需要进一步改进加速试验。HAST就是为代替传统的温度/湿度试验而开发的方法,目前在微电路及半导体分析中已得到广泛的应用。
    $ r$ S0 Q1 i6 Y: Q) n% V
    本文将HAST应用于电阻失效机理的研究和耐湿热性能的评估中,展示了HAST在电阻失效分析中的实践应用,为电阻的工艺改进及可靠性检验提供了一套快速、有效的测试方法,对电阻品质的改善与提升具有一定的指导意义。
    5 a9 t' M; p. a) Y& R2 q, X
    7 Y3 ], ~' K: T% y; h) B, ?
    5 ?  T/ x/ n+ Y! m$ e
    分析背景
    ! |; e. w) }3 k. N
    2 q, `, X! @3 i6 F! ]
    : k) @3 w7 q) ]. b, ^
    某产品客户端失效,经测试发现为电阻开路所致。电阻规格:348KΩ±0.1%,额定功率:0.1W。电阻命名如表1。

    ' V* G8 \7 \3 N
    厂商
    A
    B
    电阻
    不良品
    正常品
    同批次
    未使用品
    同料号
    比对品
    命名
    A-NG
    A-OK
    A-原材
    B-原材

    3 j% F' M8 N" L* ~& O' F# O
    ' v1 Q4 C4 X7 s( z. D, {7 |, W' j% n$ v% X. J0 c
    分析原因
      P7 H1 g! w' a$ N' ~

    8 a2 H. i$ |! U  Z3 F
    $ G' C6 h4 c( }' o
    外观观察
    / Y* B4 w8 F+ U8 y/ b, P( C9 P
    先用实体显微镜(Olympus SZ61TR)对电阻保护层进行外观观察,如图1红色框起处,A-NG陶瓷基体外露,保护层未覆盖至边缘。再用SEM(Hitachi S-3400N)对A-NG、A-OK边缘保护层形貌进行放大观察,如图1a、1b所示,A-NG保护层边缘疏松粗糙。

    + d0 p0 q. ~. C
    * i  O; I) g( b2 M6 t
    去除保护层
    " [% M2 t9 X1 A% M8 G5 s
    先用有机溶剂去除电阻保护层,再用金相显微镜(Olympus BX51M)进行观察。如图2a黄框所示,A-NG边缘位置金属膜缺失,用万用表对缺失膜两端进行电性确认显示开路,故电阻失效的原因为金属膜缺失所致。如图2b所示,A-OK金属膜完整,未见明显异常。

    ) [& i% L: J  N1 H6 i" C

    : M5 V; K& `6 S% J* ^& @7 _
    原因探讨

    7 c8 Z$ \8 b! t! r3 Y
    电阻是导体的一种基本性质,与导体的材料、长度、横截面积和温度有关。当阻值为R时,可用公式R=ρL/S表示,其中L、S分别表示导体的长度和截面积;ρ表示导体的电阻率,对某一电阻器而言,L、ρ是已经确定的,阻值随着S的变化而改变。金属膜缺失使电阻S变小,从而导致电阻阻值偏大或开路。
    0 \7 B- r( m. g6 d1 C. x/ ^
    金属膜缺失原因主要有:
    (1)使用过程中过电应力致使金属膜熔损。(2)因湿热、环境或电流(电压)等因素,使原本存在的金属膜遭受电解反应而破坏、消失,此现象称之为电蚀。

    1 z3 a) [! \6 W/ r& `6 a  c
    7 y! C" y4 n% y/ P- w( }" d  q3 f
    : Y2 x: a- [$ ^& Y7 D* f
    机理研究
    # i- Y! A+ W, L8 J

    ! M+ g/ a/ d, E8 A# ^! H$ V# C$ s1 S" A% F* Q9 Q
    为进一步厘清失效真因和机理,模拟不同条件下的失效现象,论证失效机理。

    * u1 m3 O$ [: g1 D
    (1) EOS试验
    采用直流电源供应器(Chroma 62024P-600-8)进行测试,测试电压分别为600V、1000V,持续时间(5±1)s。

    4 X! @1 ?+ X' i! f: O, E8 `! W
    (2) HAST试验
    采用高加速寿命试验箱(Hirayama PC-422R8D)进行测试,测试条件:温度130℃、湿度85%RH、真空度0.12MPa、偏压10V、时间96H。测试标准:JESD22-A110E。HAST的目的为评估电阻在高温、高湿、偏压的加速因子下,保护层与金属膜对湿气腐蚀抵抗的能力,并可缩短器件的寿命试验时间。
    - w4 V1 R3 G; i# X; z
    试验条件及结果见表2,EOS、HAST试验后电阻均出现阻值偏大或开路的现象。
    0 W* L  B/ \8 i7 }7 \( q. p$ }
    试验
    实验条件
    实验结果
    影响因素
    EOS
    600V
    阻值偏大
    过电应力
    1000V
    开路
    过电应力
    HAST
    130℃/85%RH1 c5 m% P1 r3 @7 X, u" Y
    /0.12MPa/10V/96H
    阻值偏大、开路
    高温、高湿、偏压
    表2

    . d; U. G, ~- H. H& x
    图3为试验不良品去除保护层图片,如图3a、3b所示,EOS试验不良品金属膜均有不同程度的熔损,电压越大膜熔损越严重,阻值变化越大甚至开路,此现象与A-NG金属膜缺失现象不同。如图3c所示,HAST试验不良品可见电阻边缘位置金属膜缺失,与A-NG失效现象一致,失效机理为电阻在高温、高湿、直流负荷的作用下发生电蚀。
    4 H, `! y# }3 i' l' f. O
    电蚀失效主要以薄膜电阻为主,常见的失效机理有2种:(1)在金属膜沉积后,印刷保护层之前这段时间有杂质污染,成品通电时造成电蚀。(2)保护层有外伤或覆盖不好,杂质和水汽进入导致电蚀。

    5 ]5 c( R3 P) A6 e2 `8 O
    为进一步研究失效机理,寻求改善方向,对以上2种失效机理进行深入探讨,选取A-原材、B-原材进行结构分析与比对。图4为电阻的结构图,电阻的金属膜是以Ni-Cr合金溅镀沉积而成的薄膜,基板为氧化铝,保护层材料为环氧树脂。
    8 B+ v  B( U' D6 E) d* M  h3 Z
    " v, J8 A& z' Z. }; T
    杂质污染检测

    ( X$ G% i+ k: z9 h+ ~1 o6 V6 D4 e
    当陶瓷基体及金属膜中含有K+、Na+、Ca2+、Cl-等杂质时,电解作用加快,阻值迅速增加,失效速度加快。为验证A-NG金属膜表面有无杂质污染,对去除保护层后的金属膜进行EDX(HORIBA EX-250)成分分析,如图5a、5b分别为缺失膜与正常膜区域的元素检测结果,后者可见金属膜Ni、Cr元素,未发现K+、Na+、Ca2+、Cl-等杂质元素,排除金属膜表面杂质污染导致电蚀的猜测。

    9 c' u( k1 G" I5 \) e; ]. C

    5 n0 G! {2 I7 l# a" N' r2 D3 \
    电阻保护层剖析

    % P0 @5 c) g2 ]" e! m3 }: }
    保护层外观形貌观察
    1 y1 w" L  T8 Z  n# d
    用SEM对A-原材、B-原材保护层形貌进行观察,如图6a红色箭头所示,A-原材保护层表面有大量孔洞。如图6b所示,B-原材保护层表面均匀致密。

    7 [. I, j9 i) V# \

    * R8 A$ U) V+ s% x0 U
    电阻保护层表面结构观察
    0 n. i# |8 c5 Y6 ]( p1 Z
    金属膜缺失位于边缘位置,对电阻去除正面端电极后观察其边缘结构。如图7a红色框所示,A-原材边缘陶瓷基材外露。比对可知:A-原材、B-原材保护层边缘结构设计不同,后者边缘保护更充分。

    " U" d& b/ J' \# W& a( }; y% P

    0 [/ c8 L) H6 p% }
    电阻保护层内部结构观察
    6 _  O2 U0 r" Y- }9 u6 ^
    对电阻进行微切片制样,用SEM观察保护层内部微观结构,再进行EDS成分分析。如图8a,A-原材保护层中间与两端厚度差异明显,中间局部可达62.64um,两端厚度在10.58um~19.19um之间,内部填充物颗粒粗大,其主要成份为C、O、Mg、Si。如图8b,B-原材保护层相对较薄,中间与两端无明显差异,厚度约为32.75um,可见不同组分的两层结构,填充物颗粒细小,其主要成份分别为C、O、Al、Si和C、O、Mg、Al、Si、Cr、Mn、Cu。比对可知:A-原材保护层边缘薄,且填充颗粒粗大,水汽易侵入,与失效发生在边缘位置的现象相符。B-原材保护层结构致密,且两层结构可更好的保护金属膜免遭湿气的侵入。

    & O6 L9 l* t% e# h
    电阻HAST能力比对
    ' l: F! d1 Q) h  D9 O4 R9 e
    选取A-原材、B-原材各10pcs进行HAST试验,比对不同厂商电阻耐湿热能力。把电阻焊接在测试板上,然后插入HAST试验箱,设置条件:130℃/85%RH/
    0.12MPa/10V/96H。规格要求试验前后电阻的阻值变化率(ΔR/R)≤±(0.5%+0.05Ω)。测试结果如图9所示,A-原材ΔR/R皆超出规格,其中1pcs测试开路,B-原材ΔR/R皆满足规格要求。测试结果表明,A-原材耐湿热能力差,其结果与保护层比对结果相对应。A-原材保护层存在孔洞及边缘保护不到位等缺陷,在高温、高湿的环境条件下,金属膜容易被湿气侵入,在电负荷作用下发生电蚀,从而导致阻值漂移或开路。
    ' Y8 q  {5 a  u4 C1 k
    . Y: ]# P2 \# b; A! f" @

      e0 i2 y$ R! L- E' `5 v. [
    $ k, Q$ m; o! U7 `& l& n
    结论
    & I+ _+ X( v! ^4 a; f5 I: [* y6 [

    # ^! K* X6 Q/ G# D2 g1 h
    2 ?8 u5 ]2 m& l# w, O
    本文从电阻失效分析着手,通过试验模拟探寻失效机理,并通过不同厂家电阻比对寻求改善方向,得出如下结论:

    6 |. @. K! n; A5 d, L) l& n0 `
    1) 电阻失效的原因为金属层缺失所致。

    , j( z' x7 x% L: z1 A* e; P6 T
    2) EOS、HAST试验结果显示:A-NG失效现象与HAST试验失效样品一致。失效机理为电阻在高温、高湿、直流负荷的作用下发生电蚀。

    ' {9 B2 @$ e' `# W* u
    3) 对A-NG缺失膜与正常膜区域成份进行检测,未发现K+、Na+、Ca2+、Cl-等杂质元素,排除金属膜表面杂质污染导致电蚀的猜测。
    0 w5 z8 b0 f- ^* C9 r
    4) 对比A、B厂商电阻,A厂商电阻保护层存在空洞及边缘保护不到位等缺陷,容易被湿气侵入。通过HAST比对电阻耐湿热能力,进一步印证以上结论。为有效的提高电阻的耐湿热性能,建议从电阻保护层的工艺、厚度以及材质方面加以改善:a.选择填充颗粒细小的材料,减少湿气进入通道;b.调整保护层的厚度,使中间与边缘厚度相对均匀;c.使用耐湿热的保护材料。
    & Z8 C% L+ u6 F- h# S$ Y
  • TA的每日心情
    开心
    2019-11-29 15:40
  • 签到天数: 4 天

    [LV.2]偶尔看看I

    2#
    发表于 2019-12-4 18:32 | 只看该作者
    赞一个,棒棒的!
    9 L% F2 _( g- d$ M' {# b
    您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

    本版积分规则

    关闭

    推荐内容上一条 /1 下一条

    EDA365公众号

    关于我们|手机版|EDA365电子论坛网 ( 粤ICP备18020198号-1 )

    GMT+8, 2025-11-24 16:13 , Processed in 0.187500 second(s), 27 queries , Gzip On.

    深圳市墨知创新科技有限公司

    地址:深圳市南山区科技生态园2栋A座805 电话:19926409050

    快速回复 返回顶部 返回列表