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【讨论】滤波电容和耦合电容

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1#
发表于 2009-8-30 21:53 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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x
1,滤波电容:看了些教程和设计指导书都是说在LAYOUT的时候要让小容值的电容要比大容值的先靠近POWER的输出口(主要指的是5V及以下的DCDC输出),这样滤波效果好,但是为什么呢?不是应该先是用大容值的大电容滤波先的吗??* @9 q" b* p. F. W; Q, B0 V
2,书上也说提供给IC电源口的电源要先经过耦合电容,之后再接入IC的电源口,那是滤波,稳压作用,那么问题是,要大容值的电容靠近IC电源口,抑或是小容值更靠近呢?为什么呢?

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2#
 楼主| 发表于 2009-9-1 11:22 | 只看该作者
个人解答:
7 I  B. _6 ?- q2 g3 v1,根据Z=1/(ωc),C容值越小,阻抗越低,高频噪声越容易走该返回路径,回到“地”。所以要小电容更靠近POWER的输出端' b2 v: P, }# E5 K- h2 U
2,大电容要更靠近IC电容口,可以使其在模式切换的时候有足够的能量维持系统的工作3 h2 i2 D5 t9 R3 j: {: h4 a; I

! ^( a; v* p3 F6 o8 W. ]5 ^  k请大家拍板

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3#
发表于 2009-9-1 12:51 | 只看该作者
第一条的回答是不正确的! ~4 R  _- ~' t
你可以找两个不同容值的电容看看他们的阻抗频率曲线

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4#
 楼主| 发表于 2009-9-1 19:57 | 只看该作者
如果不是阻抗问题,那么为什么需要各种大小不同容值的电容?有些电路还是推荐10nf,100nf,1000nf,10uf这样一直排下来呢~
4 T! n2 {9 U3 @- X1 x何必要小容值的更加靠近DCDC输出呢?1 p6 g: T% `+ _2 P% t# A( y
负载有关系吗?
; T- A- r$ ?. L" F: ]. H9 c& j请高手解答

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5#
发表于 2009-9-1 20:08 | 只看该作者
呵呵/ p$ r2 ?7 c( K1 U1 U- A
楼主的分析很有意思,自己写的Z=1/(ωc),C越小Z阻抗自然越大了,怎么会说阻抗越低呢?
5 B3 {& g8 ?2 e( C. H3 n8 D在频率很高和边沿斜率很高的情况下,电容不应当在看作纯粹的电容了,而是要考虑ESL和ESR的效果7 v; T8 ^! P+ h# w8 Y# `" J- ~+ ?
现在的工艺中电容容值比较小的时候比较容易做到较小的ESL和ESR,因此在DCDC电源出口先放置小电容可以将DCDC中的高频干扰短路到地

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6#
 楼主| 发表于 2009-9-1 21:06 | 只看该作者
感谢楼上高手指点,工作忙晕了,搞错了。呵呵
" A+ R" K. i  a) b) p原来由于ESL和ESR的影响需要先放置小电容,而大电容的ESL和ESR因为工艺的问题会相对小电容的大,所以需要大小电容互补~~~

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7#
 楼主| 发表于 2009-9-1 22:54 | 只看该作者
明天要查下阻抗频率曲线
) A9 e1 c& K  B4 f  E  C) a' |1 q因为很多时候电路都是用了人家的Reference sheet,囫囵吞枣的接受,自己没有分析注意细节的东西,出问题才研究,那就晚了

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8#
发表于 2009-9-2 10:41 | 只看该作者
呵呵
1 G8 N+ s* r1 |6 Q' N7 J楼主的分析很有意思,自己写的Z=1/(ωc),C越小Z阻抗自然越大了,怎么会说阻抗越低呢?; x4 U0 z% x4 j% ]8 u& C4 G! z
在频率很高和边沿斜率很高的情况下,电容不应当在看作纯粹的电容了,而是要考虑ESL和ESR的效果
+ K* H5 N2 a) k2 W! @! V& I现在的工艺中电容容值比 ...
# p  I$ Q6 b4 f5 QJuger 发表于 2009-9-1 20:08

, Z7 N* d0 d# B$ G! X% L" f6 E9 v& v2 d- F
最后的说法是不符合客观事实的
- W! c0 S5 P$ |4 a' L0 a小电容值的电容的ESR一般要比电解电容等大电容的ESR要大
9 p% H5 l. B0 A1 V/ T不过ESL的确是贴片的电容比引线电容要小很多
+ f; E8 l# ?: [. a, n% x电容的阻抗z=zESR+i(wL-1/wc)         其中w是角频率,等于2×pi×f7 t: m8 Q: J& S
当后面的wL=1/wc的时候,电容的阻抗最小,其值等于ESR( {( p, A6 |9 h3 W" N: ?9 q' m- [% V  Z
而这个频率点就是电容的谐振频率f=[1/4*pi*pi*(LC)]1/2
) W7 j* q+ M. x2 t0 ?4 A可见电容的容值越小,寄生电感越小,其谐振频率就越高,越能滤除高频杂波信号

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9#
 楼主| 发表于 2009-9-3 11:14 | 只看该作者
最后的说法是不符合客观事实的
! l: |, o0 r# \# F小电容值的电容的ESR一般要比电解电容等大电容的ESR要大
2 ?) e$ z! M- g: ?# s6 \) V* m+ m. W不过ESL的确是贴片的电容比引线电容要小很多
7 i8 D2 e) _2 J电容的阻抗z=zESR+i(wL-1/wc)         其中w是角频率,等于2×pi×f9 Z, d% q0 f6 n+ v3 a) x
当 ...) L2 b; p* I$ Q
袁荣盛 发表于 2009-9-2 10:41
$ X  O* X1 O# q4 a) i( N( [. I8 d( g
/ p  W, p7 S  ?; H( d. ~
既然大容值电解电容的ESR既然比其他小容值的小,那么聚合物电容的ESR的大小是介于两者之间吗?# w5 Q* A+ i6 [
请问有相关资料吗?2 y7 r* C* i  q* I
那样以后我们分析这些问题的时候真的要从基本的入手了+ M3 j' R0 t+ x! ~
找了半天,公司那些电容的承认书都是没有频率阻抗特性图的~~郁闷啊

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10#
发表于 2009-9-4 11:29 | 只看该作者
其实在低频的时候放钱放后都没有多大的关系。0 d( z- G2 n  y1 g' q

. G7 j4 Z  z8 @4 [/ z主要是在高速信号的时候要考虑到这个问题,上面很多都已经提到了告诉信号的问题。
1 _$ o- `$ d2 v- ]* ?) s. {- P* U" F% C  {; `6 C
大家可以去看一下信号完整性,上面对电容的作用做了很深刻的分析。

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11#
发表于 2009-9-7 09:16 | 只看该作者
8楼说的对 其余的不全对

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12#
发表于 2009-11-5 16:03 | 只看该作者
去耦电容有一个概念去耦半径,电容只有放在这区域内才有作用,一般小电容谐振频率高,去耦半径比较小,所以要靠近芯片放置,而大电容谐振频率低,波长长,去耦半径较大。论坛上有关于这方面的帖子,可以找找
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