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WCDMA ACLR(邻道泄漏比)受到那些因素影响

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  • TA的每日心情
    开心
    2024-9-14 15:26
  • 签到天数: 9 天

    [LV.3]偶尔看看II

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    1#
    发表于 2015-1-28 15:34 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    x
       在测试WCDMA频道的手机模块时,发现线损的补偿值不正确时,ACLR的指标很差,基本都不合格,然后拿了标准模块进行对比,修正了补偿值,将补偿值由-1.5dB调整为-3.3dB,这是ACLR的指标就很好。
    : I2 f( {; P  W) Z$ z   我怀疑ALCR是不是受到输出功率影响,之前由于补偿值较小,实际上此时模块的输出已经超出了要求范围,相当于起控了,导致ACLR指标变差,对这样机制原理还不是很清楚,请大神帮忙解答,谢谢!; `- R. e6 v, ^

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    发表于 2015-3-8 16:32 | 只看该作者
    本帖最后由 criterion 于 2015-3-8 16:42 编辑
    / |% G! Q. {6 G& U1 v% u! Z, @* U0 b+ q3 D7 [; A
    ACLR肯定是受输出功率影响啊  g3 M  D* X) x0 `& Z6 ?; e. R
    4 g8 b5 \  `) v1 _7 ?; [) D2 v2 Z

    : o+ v& ^- p3 i+ d: q; f: b7 ~/ T" W* o! k+ y- m( E' D) {
    ' J  Z* q& k: p( p6 V
    , V' X7 S( f) c. U2 j
    1.     当你输出功率太大   会使PA操作在饱和区  产生非线性效应
    ! B. l- j, u; o# Y# _9 }% i/ X7 a+ X3 i( v% W' b

    ! z* D; L  S1 Z2 R1 @. t; ~
    6 m/ p4 ~' {: n8 a* o% K9 a! p

    . H# y1 S: D) j  O

    . |* F  V* R; P7 S+ G
    而非线性效应,会衍生许多噪声,例如 DCOffset,谐波,以及IMD(InterModulation),如下图 :1 }5 V" _) {! z" C# g9 a

    9 _; d8 }( ?0 m/ |0 \6 d; r% f
    ; r6 h  G! D: D) _: k( y& L1 u

    % v% y; y' C8 C
    而三阶的IMD,即IMD3,其带宽会是讯号的三倍 因此会使两旁频谱上涨
    & E) L0 z! N9 P- q$ b$ @' k7 s8 \6 H4 r9 M7 H. E; ^* `

    * m* m! B/ ~0 g

      P0 z) y3 j8 p' X; c  q
    . M* U1 {: F  |) o  Q  }- y9 X$ w
    而IMD3   又牵扯到IIP3   IIP3越大   其产生的IMD3就越小  
    所以简单讲  ACLR就是TX电路IMD3的产物
    测ACLR  等于是在测你TX电路端的IIP3
    - r! O, b. v, V- p  j( i
    ' c+ c+ @/ P& H! s/ k
    2 S5 g) ^; i8 O( w+ m
    由上式可知  如果输入功率小   使PA操作在线性区
    或是这颗PA的IIP3够大   那么ACLR就可以压低
    " ~3 B# B4 k9 O, V! @7 h: [: n8 y% A; L7 z& L

    0 M2 O& V) v9 @2 `* S4 t+ i! Q$ L1 }1 t" E7 e
    1 S6 h. J& x4 G0 n
    1 K) h2 P* e/ ~& x
    # q  K% W8 ]  A# T. X) E! l

    - ^: Q. G3 H4 c% ^+ ~) ^% n! n4 w) k6 w, y" x8 U! i
    2.      
    另外  厂商多半会有PA的Load pull图
    # j0 ?- R& ]% Z' v& S* X; m
    * V8 d; C6 ?3 Y- e, v2 W  N/ I

    7 B% i  J# n5 B* d1 J
    8 k6 @0 |: d3 }  P0 |
    由上图可知  ACLR跟耗电流是Trade-off
    这是因为PA的线性度与效率  是反比的
    你ACLR要低  那就是IIP3要高  线性度要好  因此效率就低  耗电流就大
    反之  你要耗电流小  那就是牺牲线性度  ACLR就会差
    所以一般而言  调PA的Load-pull时  多半就是调到最常用的50奥姆
    以兼顾ACLR跟耗电流

    . P5 P4 v1 Y. N

    ' P* m" l7 k* g- }$ O7 d3 {, X

    : r  K" [! t. r
    3.     WCDMA的TX是BPSK调变   非恒包络
    因此其PA须靠Back-off   来维持线性度
       当然  Back-off越多  线性度越好(但耗电流也越大)7 o6 ^& j! A; a& S* w; q7 s# k
    + K% P0 `. }$ o

    ; D' T! m& m$ h$ ^' {

    $ A+ H( P/ ?0 }' f; `5 k
    而WCDMA的方块图如下

    / e, ^, p) `! I& y3 f4 l% _
    ' O  n0 I' e3 ?3 v. U
    , R# U/ t+ F) ~& }
    PA输出端的Loss  例如ASM,Duplexer, Matching, 走线的InsertionLoss
    统称为PostLoss
    如果你要达成TargetPower(例如23.5dBm)
    一旦PostLoss越大   意味着你PA的输出功率就越大  如下式跟下图 :

    4 T; h* F' Q  g

    & \! X6 }$ b, `

    7 p7 p1 ^) _5 _- k7 T
    : h! N7 n. g* W: w' b( N0 w6 {

    8 N2 y: j2 I) U( x  j/ ~
    如果PA输出功率打越大   那就是Back-off越少  越接近饱和点   
    当然其线性度也越差   其ACLR会跟着劣化1 u$ T8 b1 l* k' @1 |
    & s: C' s% L1 E. h
    , G+ W9 ^9 T* J% D9 Q) v7 z8 Q
    9 {4 E9 y& R1 A! y

    7 V# s9 X3 w) b7 M' h% t4 x0 C8 S+ P1 J- @7 M
    ' q) A& S# I2 ?0 \/ @- \6 T+ {- s
    ; {+ z! f9 Y: `' u6 G6 n

    * C5 p8 `. }3 q' Z: V  O- i
    4.      
    ! ~& g  q; Q( v) _" h9 a! H) ^7 }. t
    % L' ^( W; L( F- @! b" Q
    由上图可知  PA的input  同时也是DA(Driver Amplifier)的Load-pull
    如果PAinput的阻抗  离50奥姆太远
    亦即此时DA的线性度不够好  ACLR就差
    加上PA是最大的非线性贡献者
    如果PAinput的ACLR已经很差   那么PA out的ACLR  只会更差
    一般而言   一线品牌大厂,其PA输出端 正负5MHzACLR
    都要求至少-40 dBc& f+ S7 a  J9 ^  O

    " X0 c( k; N/ @1 h" c
    ) ~( S: h. {0 A. P# A
    ' U4 s/ X- K; q$ x6 \7 h6 V' G* k
    亦即表示PAinput的ACLR  至少要小于-50 dBc
    (由于DA的输出功率  远小于PA输出功率  因此ACLR也会来得较低
    再次证明ACLR与输出功率有关)

    , L) q5 Z" i% g' l% Y) w

    . Q+ G: n" f  f; y6 F9 ~" Q( v& \

    , ^' z% F, D, T
    5.      
    LO Leakage跟DA产生的2倍谐波,有可能会在PA内部,产生IMD3
    进而使ACLR劣化。
    : l3 h9 K1 N. J2 j! p7 O
    7 `! U% h% ]1 j$ o
    所以若在PA前端,先用SAW Filter把2倍谐波砍掉,
    可降低其IMD3
    进一步改善ACLR。
    + w" r; T8 h8 H/ I% e. E/ z3 N) m

    # c3 j! A: ]: F
    若滤波器的陡峭度越好,则越能抑制带外噪声,
    因此理论上,使用BAWACLR,会比使用SAW来得好。
    " S( n3 [& H+ F* ?1 c

    3 X1 h+ S. a5 P, M5 v
    0 H3 s' O) {* F4 x
    而FBAR的带外噪声抑制能力   又会比BAW来得好
    * ^& W8 J4 u/ y0 b: O* u& k

    - R3 j6 ~( V1 {( @- P7 K
    1 y1 E) Y7 W- Q, E7 j/ s+ S
    当然,有些平台,在PA前端,是没加SAW Filter的。
    6 o; y6 |3 z- p( K6 t5 S4 N
    而拿掉SAW Filter之后,其ACLR也不会比较差。
    ; m9 C9 Q" J# z7 y3 [; a8 V3 ]5 N. L

    2 L! s4 y5 i0 G8 I9 n
    , j) @6 W% G* s! L  y6 ~; ~6 d
    这是为什么呢? 其实由以上分析可以知道,
    ! ~+ }  N2 I8 a5 l: E' W6 O7 v
    PA前端的SAW Filter,之所以能改善ACLR,
    主要原因是抑制Transceiver所产生的Outband Noise(包含谐波)。+ I3 k% D. N! f% c  [) S! Z
    换言之,倘若Transceiver的线性度够好,所产生的Outband Noise很小,
    其实PA前端是可以不用加SAW Filter的,

    8 J  j  x* d, K# c# H6 e
    ; R% B0 _) t" y# S) ?. o: m7 m4 b) q; |. n2 `
    3 d$ c, S; a: a: ^8 R
    , w  ?3 T5 f& S2 b4 b4 H
    2 ^3 n$ I& D1 O  ?! l0 u3 f' U
    , C. @& E0 \; j4 u0 h
    但要注意  虽然PA前端的SAW Filter可抑制带外噪声,改善ACLR
    但若其PA输入端SAW FilterInsertion Loss过大   
    意味着DA需打出更大的输出功率  以符合PA的输入范围
    (若低于下限   则无法驱动PA)   如下式 :

    $ T( F# N& d; o8 h. g& v. w
    % {# o7 X5 \0 Z* t
    而不管是PA, 还是DA, 若输出功率越大,则ACLR越差, 如下图 :

    ' X. ~: ?/ m% v6 S1 _

    / |6 P: i0 C& m+ [0 V. N9 t: u
    若DA输出功率大   使得PA输入端的ACLR差
    那么PA输出的ACLR  肯定只会更差
    当然   若用FBAR  既可抑制带外噪声 Insertion Loss又小  是个风险低的方案
    但成本不低

    / X- D# U) X! e7 O

    + A/ X5 |; `1 r: v' C9 c

    / l7 h. e, h6 E' U' e0 {
    6.     由下图可知  Vcc越小   其ACLR越差
    ( q* k" _3 A9 l0 c

    & `6 W/ s) X" e: X5 ]/ k4 g
    . C9 M( \$ U' M
    这是因为  放大器在闸极与汲极之间,会存在一个既有的寄生电容,又称为米勒电容,
    即Cgd, 如下图 :

    " I) ^, V: E/ Z( @

    6 t* I2 z% a- Y4 K# n9 V
    4 p0 c  z( i/ M1 Q( _) {

    , q: R: S* S9 R1 i+ w2 L
    7 ?3 m' ]! R$ |# @( z- d
    5 e8 e' W& J# x$ q
    而当电压极低时,其Cgd会变大。
    & |5 \# R: o& c, d$ [
                            

    ' V7 r9 G+ V* u+ r8 l. d
    上式是Cgd的容抗,当Cgd变大时,则容抗会变小,
    " M9 E4 V# G  _! Z$ d: I$ n因此部分输入讯号,
    " X- H: @) n  b; t8 |会直接透过Cgd,由闸极穿透到汲极,即上图中的Feedthrough现象,导致输出讯号有严重的失真
    0 V1 O. J; h" k9 L9 A简单讲  低压会让PA线性度变差2 g$ Z2 Z' t, f# n8 M2 [
    因此若Vcc走线太长或太细   会有IR Drop  使得真正灌入PA的Vcc变小. u1 N: [) Y( }# m! S/ o2 d
    那么ACLR就会差
    ' D$ h) y  {6 @  j) T当然  除了PA电源   收发器的电源也很重要3 g" }* r, `: k, G- i
    否则若DA的电源因IR Drop而变小    使得PA输入端的ACLR变差, |- {* A- I$ r8 y2 y5 l; }, T
    那PA输出端的ACLR   只会更差% `' r5 Z" E8 m- \

    + }, E2 q9 ^# z0 k6 d" _/ Z7 O
    # K! `8 a# N8 D. {5 F0 ?: d2 Z' K
    5 K! Z$ J' ]" f9 E7 s; n2 a$ q

    8 j0 x+ V$ u+ V! `- Y
    6 w' `0 `6 s" B# S: D7 O% {) }, b3 q# D6 x" W& E5 v, c& u) W- O

    $ ]+ _& J9 a6 s! Y9 C1 [% G8 f' S
    ! I) d1 b7 {- i9 p
    % c6 J" @9 c! X" ~; d' R$ [; `: ?1 `: _) D
    4 T  M) u$ t0 X
    7.     在校正时   常会利用所谓的预失真   来提升线性度
    * q2 K+ u) z  v  {1 W5 w8 d
    8 ]0 _6 e0 I! \$ C$ C0 L
    而由下图可知  做完预失真后   其ACLR明显改善许多
    (因为提升了PA的线性度)
    # _1 j: C4 [8 E3 k
    3 I1 g3 t2 y# V: @( i1 a

    3 t7 p4 ^$ z5 ]) G
    0 V+ \5 F; }2 }
    因此当ACLR差时   不仿先重新校正一下
    # w9 L4 W" B! c; \) _- S- W4 n3 D" q( B$ B

    % z2 y6 u) B: F  e- h! d6 e2 K6 H. M  F$ ?& g" s% {

    6 ?, R0 }% [2 ~/ H3 t
    9 T3 I' X5 e4 X& i7 N3 V2 e+ C3 Q/ O8 C" a. j7 _6 ~* ^
    " D* ^" @' W/ x( y% o

    ( y1 F; p: s+ I; E! z+ R, U8 [% F6 O
    8.     一般而言  PA电源  是来自DC-DC Converter  
    其功率电感与Decoupling电容关系如下 :

    . V$ O  i9 c3 }* u0 F+ P" s! z5 [( V: |
    , c, B1 K4 _. i1 B/ Z* I& r* P0 x

      ?1 _* Z; s, X& y( u
    由于DC-DC  Converter的SwitchingNoise   会与RF主频产生IMD2
    座落在主频两侧

    4 W. s# r1 c- I
    ' ~7 O+ B4 h0 `* d0 N9 p
    . p5 O0 u7 g+ P- Q; X7 ~2 E
    虽然IMD2的频率点  只会落在主频左右两旁1MHz之处
    理论上不会影响正负5MHz的ACLR
    但因为一般而言  DC-DC Converter的Switching Noise
    其带宽都很宽   大概10MHz
    因此上述IMD2的带宽  分别为5MHz与15MHz
    (WCDMA主频频宽为5 MHz)
    换言之  上述的IMD2  是很宽带的Noise   
    故会影响左右两旁正负5MHz的ACLR

      b# `' P8 M5 P5 x

      M5 }& P& A0 m" y& _

    6 A1 B) ]0 H8 b) Y
    因此   如果能有效抑制DC-DC Converter的Switching Noise
    便可抑制其IMD2,进一步改善ACLR
    故可利用磁珠或电感   来抑制DC-DC Converter的Switching Noise
    如下图 :
    * b6 U2 R9 u# ?0 m  N) b

    8 I  A/ G: d2 S  m; z
    6 v/ [4 \# E5 g/ J; @7 P
    我们作以下6个实验
    # G; h. n1 \  ], R! n3 r& S

    & k8 v1 [8 `$ F% e, E9 y

    ' y7 _1 [/ x% c6 O) C8 j5 `1 w8 i: ], e: S* k; M3 C% S  m

    " u& v* a" J3 d. P4 K! `6 e
    . g, A$ m& U9 B
    5 U/ t. D* i& \3 E

    : Z2 v& T9 Z. p  ]- x) h4 c
    就假设DC-DCSwitching Noise为1MHz
    我们可以看到  在Case2, Case3,  Case4
    其1MHz的InsertionLoss都变大  
    这表示DC-DCPA的稳压电容之间   插入电感或磁珠
    对于Switching Noise  确实有抑制作用
    而由下图可知   其WCDMA的ACLR   也跟着改善
    由于Case3的InsertionLoss最大   因此Case 3的ACLR也确实改善最大

    ' c; o% K# L1 S6 z4 K) }+ K  f
    - y. s& `5 T6 D7 ~% M1 \3 X( D
    ! }. v3 [4 p# N/ x
    # u' Z# a1 T$ e- k6 Y" m
    , ]7 @- Q% v( |+ [/ ]- c5 I$ q

    % u9 c% [1 Z5 a3 H
    ' w1 R/ Y9 }& b& A* a6 s& s" d( z+ D$ m$ O' t- W

    1 X$ L4 X8 ^( }& D: r
    9.     承第8点  DC-DCConverter的稳压电容   与PA的稳压电容
    绝不可共地   因为该共地   对DC-DC Switching Noise而言
    是低阻抗路径   若共地
    则DC-DC Switching Noise   会避开磁珠或电感
    直接灌入PA  产生IMD2  导致ACLR劣化
    换言之   共地会使第8点的磁珠或电感   完全无抑制作用; z9 ]) q6 z( S  t1 _

    2 k- }$ @/ b9 }$ H  o

    1 _' r9 P% H1 ?4 A4 K6 ~
    ' ~- o1 ~) t6 o% |! d3 K  e' f/ v

    . D7 p* p# e, m7 z2 M4 R2 m
    而功率电感, 磁珠或电感的内阻   也不宜过大   否则会产生IR Drop
    使PA线性度下降  ACLR劣化
    3 n# C" V9 Z8 `* |& j/ c
    2 a# J7 D, v: @

    5 Z: v! A9 H# H1 y$ c+ z
    % E1 c: C  T+ d) T3 T. o7 z8 N; G; J6 A: P" p- u1 L
    ' Y4 Q4 a$ k1 ?# Y/ z3 u* a# I

    ) h/ X& B( B$ ^
    因此总结一下   ACLR劣化时   可以注意的8个方向

    % ?! m8 k$ s3 v" H% s9 ~  t& x
    1.     PA输出功率
    2.     PA Load-pull
    3.     PA Post Loss
    4.     PA的输入阻抗
    5.     PA输入端的SAW Filter
    6.     Vcc的IR Drop
    7.     校正
    8.     DC-DC converter Switching Noise

    : _% }% j; Q; ?$ l) b! B( {7 P% Q* u& [4 M% j; C1 {) ?
    ' M0 ]! {1 v! a
    其他详细原理   可参照  % ^) y( c. r: ?! F$ U
    EDA365藏经阁 上集_磁珠(Bead)_电感(L)_电阻(R)_电容(C)于噪声抑制上 ...
    % p  @) d3 J9 |! f; r8 J  m, d
    EDA365藏经阁 中集_磁珠(Bead)_电感(L)_电阻(R)_电容(C)于噪声抑制上 ...  
    + k# D+ A- l' }! {! PEDA365藏经阁 下集_磁珠(Bead)_电感(L)_电阻(R)_电容(C)于噪声抑制上 ...
    2 P$ |2 W$ K) A" n2 j: _) k) e射频微波/天线技术 WCDMA零中频发射机(TX)之调校指南与原理剖析9 h. H5 N" \; y; i! t5 k0 p: n  V

    , D2 {) \' x. c! F  在此就不赘述

    1 X4 ~4 F. {/ R6 g, ^
    2 j7 }; V8 Y0 W! @
    - u1 j! F* ^. b' z. m$ g5 j* l% v7 P* W, e" ^; R

    点评

    支持!: 5.0
    支持!: 5
    不明觉厉  发表于 2015-3-9 17:08
    支持!: 5
    虽然没有看懂,但是感觉很专业!  发表于 2015-3-9 09:56
    谢谢你的解答,我要慢慢消化下,非常感谢!  详情 回复 发表于 2015-3-9 09:14
  • TA的每日心情
    开心
    2024-9-14 15:26
  • 签到天数: 9 天

    [LV.3]偶尔看看II

    3#
     楼主| 发表于 2015-3-9 09:14 | 只看该作者
    criterion 发表于 2015-3-8 16:32: X( r; s3 ^- `2 @9 e
    ACLR肯定是受输出功率影响啊
    # B. y2 O: E5 O) k) S5 ~
    谢谢你的解答,我要慢慢消化下,非常感谢!: H! {6 U7 D) Z( ?: i

    点评

    另外 建议你RF相关问题可以去 硬件原理与设计› 射频微波/天线技术 发问  详情 回复 发表于 2015-3-9 14:08

    该用户从未签到

    4#
    发表于 2015-3-9 14:08 | 只看该作者
    本帖最后由 criterion 于 2015-3-9 21:12 编辑
    % ~, y: M1 |. A. k# E6 z6 D6 d
    [url=forum.php?mod=redirect&goto=findpost&pid=871990&ptid=105457][/url]

    . B$ f5 B3 p/ y4 z, ^$ @9 N. E6 M1 z! n) i

    0 h  w6 U9 q  |" F7 @
    2 q& F# Y, ]2 O
    & c  K' J9 M  |. N- J# A
    ) o2 u+ {+ Q: _" R8 Q

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