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发布时间: 2025-1-27 16:00
正文摘要:碳化硅（SiC）MOSFET与绝缘栅双极晶体管（IGBT）在应用中的降额标准差异主要体现在温度敏感性、开关损耗特性及导通电阻变化等方面。以下从关键维度对比两者的降额策略差异：, F5 t* x' m/ j + v) ~7 D# ~$ i% ... |
| SiC-MOSFET凭借高温稳定性、低开关损耗及线性导通特性，其降额标准较IGBT更为宽松，尤其在高频、高温及宽负载范围场景中优势显著 |
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