哥们，
1、这是外置mos DCDC控制器，具体的输出电压是看高侧mos 漏极上的电压，而不是dcdc控制器的工作电压，实际就是200V
2、Nmos和Pmos虽然从原理上是对称的，但是由于实际工艺和材料的问题，导通电阻会不一样，我印象中Pmos的会比Nmos的大，而版主的图片也印证了我的记忆

MOS在高端应用时需要自举电容叠加电压才能打开时，通常指的是在一个电路中，NMOS的栅极（G）电压需要高于其源极（S）电压才能导通。由于电路中的电源通常只能提供固定的电压，而NMOS的源极可能连接到这个电源电压或更高的电位上，因此需要额外的电压来打开NMOS。这个额外的电压通常通过自举电容来提供。

上桥臂用PMOS，截止状态时候的自举更难设计吧。不加自举，驱动器最大只能输出15V，PMOS的Vs高达200V，Vg最大只能是15V，PMOS会一直处于导通状态

' Q, [% ^1 U1 M* T3 G7 V
' T1 O# z) i1 p- S6 }MOS 管的導通電阻 R_DS(ON) 很小，導通時 Drain 和 Source 的電壓幾乎是一樣的。
1 h( `/ [3 ]1 L" K8 X/ S
V_HS 是一個浮動的電壓，會隨上、下臂的開關狀態變化。
; |- R/ X/ H4 X; c+ R6 w
$ \8 @+ ~( c" y+ p上臂驅動器（Driver）的電源是接 V_HS 【相當於驅動器的 GND】和 V_HS + V_B【相當於驅動器的 VCC】。

• 上臂導通、下臂關閉
  " a3 c7 y. n6 I+ {2 H2 p0 tV_HS = V_BUS
  * H$ {' ~; I/ f$ qV_HO = High = V_HS + V_B = V_BUS + V_B
• 上臂關閉、下臂導通
  V_HS = GND
  + r% F1 D% O" x" LV_HO = Low = V_HS = GND
  " T0 v# r5 r; t; a9 N

7 q/ D+ x" m2 N* l  o" B
. ]6 Y+ l# O! e4 C- p+ T
9 r) R' z0 M$ [% g$ }

N+P v.s. N+N Half Bridge
4 |2 K- B6 p9 x* K' x& P

3 W4 r* H9 N' d- z$ {2 G