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传统的低压大电流的一代硅MOS相比有哪些优缺点和异同点?

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发布时间: 2025-1-11 11:29

正文摘要:

传统的低压大电流的一代硅MOS相比有哪些优缺点和异同点?: O/ U5 R5 h6 N1 T4 T 9 j8 d3 C" X5 G 1.封装小,内阻低,结温高,热阻小,结电容小、Id大,vth小的,这种传统的低压大电流的一代半导体硅MOS和三代半导 ...

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超級狗 发表于 2025-1-14 13:09
你能動點手網搜一下嗎?
; H9 u, ^/ W5 F% _  I. C* l: b) m8 a
, c8 I( ?" T; ~# r3 k$ d2 J国产MOSFET十大品牌产商你知道哪些?他们的实力又如何?# q  |2 R$ a5 d) y- o; q- l8 X% B
. E( b8 C! n2 u/ P

# T# X$ U  ^- _8 s# Z
awnatech 发表于 2025-1-11 17:46
与传统硅基半导体材料对比:
5 C  B0 L3 S0 O: @0 J/ CCOOLMOS、氮化镓、碳化硅和砷化镓在性能上均优于传统硅基半导体材料。它们具有更高的电子迁移率、更高的击穿电压、更低的导通电阻和更快的开关速度等特性。
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