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求助:关于mos管发热问题

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发布时间: 2012-6-19 17:46

正文摘要:

各位: " N# B6 o+ h6 z; M8 W2 s1 L5 H0 s- f3 F: [# x% T; K2 v 最近按照要求画了块板子,但调试时发现mos管烫的厉害,根本无法常时间工作。而且波形幅度值只有8V左右,请问如何解决发热问题,并提高波形幅度。0 ...

回复

wcf3217 发表于 2012-6-26 23:16
romantic878595 发表于 2012-6-20 12:31
/ v3 x: M3 D) ]* P1 B1,把驱动频率降下来,现在工作是11多M,MOS管开关频率越高,损耗越大,最好能降到500K以下。实在不行,也应 ...
1 p" y+ g9 y) f) N
学习!
nbhand 发表于 2012-6-25 10:38
MOS极性接对了吗? 应该是个NMOS,图上画的却是个PMOS
skatecom 发表于 2012-6-23 00:22
xhymsg 发表于 2012-6-21 10:49 / {5 h& |0 d% H0 a% t! C1 f) g
问题解决没?
' l0 g* H; s3 H$ m
就是啊,问题决解了
xhymsg 发表于 2012-6-21 10:49
gsywm 发表于 2012-6-20 15:40 0 q% \4 R# z8 c1 |
十分感谢你如此详细的解说

& n8 I2 ?1 k9 K2 q. o' E/ @; C7 q问题解决没?
romantic878595 发表于 2012-6-20 21:43
gsywm 发表于 2012-6-20 15:40 1 h7 k% V, R% R( D
十分感谢你如此详细的解说

! |. X1 K( O4 c* W1 Y  I( |不客气。论坛精神,我为人人,人人为我,相互学习,共同提高。感谢EDA365.
gsywm 发表于 2012-6-20 15:40
romantic878595 发表于 2012-6-20 12:31 - h: s9 ?1 @( _8 S0 b2 H* Z
1,把驱动频率降下来,现在工作是11多M,MOS管开关频率越高,损耗越大,最好能降到500K以下。实在不行,也应 ...
& Y& L9 n4 `$ h9 g
十分感谢你如此详细的解说
qiangqssong 发表于 2012-6-20 15:13
4楼说的全面!!
romantic878595 发表于 2012-6-20 12:31
本帖最后由 romantic878595 于 2012-6-20 12:34 编辑
  A  V& L, V* E+ O3 T4 z2 d( o1 t1 M* X7 `7 z2 p$ ^6 U6 q& A
1,把驱动频率降下来,现在工作是11多M,MOS管开关频率越高,损耗越大,最好能降到500K以下。实在不行,也应降到1M以下。7 v& n7 w% o4 {9 X. }1 ^4 i7 U2 r
2 ,选用低开启电压的MOS管,也就是所谓的逻辑电平MOS管。如果你用普通的MOS,要求10V的驱动,你的驱动IC只有5V,驱动不足,造成导通电阻大。
" u6 S( _* H+ f2 `5 ^0 \8 u  U5 `3 尽量选用低导通电阻,低Nc值的MOS管. q. G6 R7 Q* s  ?5 f, V
4 加强MOS的散热。, i. s5 m7 {8 w& y9 O0 P: }
5 在电感线圏处并上防止反向电动势的二极管。. r% g5 K! U  T9 F; E7 _/ n. ~( G
6 加强IC的电流驱动能力,HC00还有一个门没有使用,应把他们的输入并联,输出通过一个驱动电阻(约10R)后,然后并联.- |7 |( H0 `" z5 t  _% {
laijinling 发表于 2012-6-20 11:10
加大散热铜皮同时多打地孔
624132806 发表于 2012-6-19 17:57
是贴片的吧!加大散热铜皮,如果是立体,在允许的情况下,加散热片吧!
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