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FP35R12W2T4问题咨询

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发布时间: 2021-10-8 17:46

正文摘要:

IGBT型号:FP35R12W2T4  Ic=15A左右,Tvj=25到125度。 , T. D$ k6 _* V& o0 K咨询下Vgeth和Tvj的对应曲线关系。 ! s8 r: B! ]- x$ P3 o, Y' u. |% M+ N" {0 j! j9 ^ 目前有一款产品,因为米勒效应,在 ...

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startostar 发表于 2021-10-9 14:20
月色 发表于 2021-10-9 13:30
- J# A9 p& F! s- @" _- B+ U死区时间2.5uS没有问题。 IGBT过流峰值47A,过热保护120度。
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设计没问题的话,要考虑IGBT使用功率,可以使用同封装大功率模块+加大散热,去尝试定位问题% R* a! j: Q, ]6 F; z1 w
月色 发表于 2021-10-9 13:30
startostar 发表于 2021-10-9 09:42
# d( g+ l- D0 ~. w死区时间控制好,IGBT过热过流等保护必须有效
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死区时间2.5uS没有问题。 IGBT过流峰值47A,过热保护120度。
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点评

设计没问题的话,要考虑IGBT使用功率,可以使用同封装大功率模块+加大散热,去尝试定位问题  详情 回复 发表于 2021-10-9 14:20
startostar 发表于 2021-10-9 09:42
死区时间控制好,IGBT过热过流等保护必须有效

点评

死区时间2.5uS没有问题。 IGBT过流峰值47A,过热保护120度。  详情 回复 发表于 2021-10-9 13:30
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