wenspig 发表于 2021-7-28 10:00
你好 这本书使用的设计软件是metor还是cadence？

第一部分概念和技术，第三部分项目和案例均和软件无关；第二部分设计和仿真，用的是Mentor，现在称为Siemens EDA。
6 Y- b+ G  s9 j/ [- ^

ytmgadw 发表于 2021-7-7 21:49
书看了，非常不错

/ }0 t5 E- ?& {* @+ Z/ |; y谢谢评价！
; q" Z& p5 W& p" }/ h

你好 这本书使用的设计软件是metor还是cadence？

书看了，非常不错

APP_338522 发表于 2021-7-2 14:22
: |, J& k2 I- ], X' z李总应该把书上的例子放上来让大家练习

谢谢建议，我找一个合适的例子！

李总应该把书上的例子放上来让大家练习

《基于SiP技术的微系统》目 录  
0 Y; x- b" Z; Y6 e" U3 l* H
8 G: m. h( R; t. X6 p: g4 d第1部分　概念和技术
1 L- {: z4 G6 i/ w+ f5 D第1章 从摩尔定律到功能密度定律 3
6 F1 s3 `- m7 N1．1 摩尔定律 3
1．2 摩尔定律面临的两个问题 4
1．2．1 微观尺度的缩小 4
1．2．2 宏观资源的消耗 6
2 O- {  v" Z4 U1．3 功能密度定律 10
1．3．1 功能密度定律的描述 10
1．3．2 电子系统6级分类法 11
1．3．3 摩尔定律和功能密度定律的比较 13
1．3．4 功能密度定律的应用 14
7 v: K0 y. B5 F* o4 u8 p6 R1．3．5 功能密度定律的扩展 17
# g: j- M# d, d! c9 P3 V1．4 广义功能密度定律 17
) t7 M' s% ~& c  a* x1．4．1 系统空间定义 18
1．4．2 地球空间和人类宇宙空间 18
1．4．3 广义功能密度定律 20
6 S  ^! t' k4 w4 I. @第2章 从SiP到Si3P 21
2．1 概念深入：从SiP到Si3P 21
2．2 Si3P之integration 23
2．2．1 IC层面集成 23
( D- `3 Y9 c1 H: R3 y2．2．2 PCB层面集成 26
2．2．3 封装层面集成 28
2．2．4 集成（Integration）小结 30
4 }5 L$ H" r( @  ?/ s2．3 Si3P之interconnection 31
6 X9 `: [9 k' t2．3．1 电磁互联 31
' o$ @# X0 F3 J# a& |1 a# I, a2．3．2 热互联 36
2．3．3 力互联 37
) e4 y) D- k7 p& R2．3．4 互联（interconnection）小结 39
5 p8 Y. `9 F& b# t" S0 T2．4 Si3P之intelligence 39
. B/ {! u5 X0 {- r$ K1 [. j1 B2．4．1 系统功能定义 40
2．4．2 产品应用场景 41
2．4．3 测试和调试 41
5 e+ k& l( o& @) W2．4．4 软件和算法 42
: x7 e, X- b4 b8 s2．4．5 智能（intelligence）小结 44
- G2 E& Y* ~2 ^, a9 A. Y2 Q2 {2．5 Si3P总结 44
0 ~% p0 l  c/ p! N/ m# s3 D2．5．1 历史回顾 44
2 F. v7 j9 x$ i: u; l# @0 O2．5．2 联想比喻 45
2．5．3 前景预测 46
% ^# |8 B/ G; l8 o第3章 SiP技术与微系统 47
3．1 SiP技术 47
3．1．1 SiP技术的定义 47
3．1．2 SiP及其相关技术 48
5 C" ?$ K! [8 U3．1．3 SiP还是SOP 50
9 O' n2 ]  p. ]2 f* Q3．1．4 SiP技术的应用领域 51
# \0 s5 v- Y0 [3．1．5 SiP工艺和材料的选择 55
# I, N% {0 o0 u. \! l3．2 微系统 57
3．2．1 自然系统和人造系统 57
3．2．2 系统的定义和特征 58
: j2 R4 s6 ~. |6 N3．2．3 微系统的新定义 59
第4章 从2D到4D集成技术 61
4．1 集成技术的发展 61
; u# `5 L, H! u) h4．1．1 集成的尺度 61
4．1．2 一步集成和两步集成 62
* y' t. K' a5 A0 w9 g4．1．3 封装内集成的分类命名 63
9 V+ j3 r( e+ Z* P# F! y4．2 2D集成技术 64
4．2．1 2D集成的定义 64
4．2．2 2D集成的应用 64
4．3 2D+集成技术 65
4．3．1 2D+集成的定义 65
4．3．2 2D+集成的应用 66
5 ?% y/ M8 w3 v, q7 x% p' v( |; {4．4 2．5D集成技术 67
  Y8 s2 A7 Q' `7 p& R7 W- t4．4．1 2．5D集成的定义 67
4．4．2 2．5D集成的应用 67
3 T1 ?8 f- b2 p6 h0 I4．5 3D集成技术 68
4．5．1 3D集成的定义 68
' s( M6 x( }6 b7 b+ k( S* R; Y4．5．2 3D集成的应用 69
! \' o) u+ t' O  g4．6 4D集成技术 70
2 a' |3 [$ F5 o* T* f4．6．1 4D集成的定义 70
4．6．2 4D集成的应用 71
' ?& e, y5 M* I3 n4．6．3 4D集成的意义 73
4．7 腔体集成技术 73
: X, H. g! p6 m5 u/ S/ b( b" _4．7．1 腔体集成的定义 73
+ L3 X' a8 p5 b! u( o9 C5 I4．7．2 腔体集成的应用 74
4．8 平面集成技术 76
" H4 J, ]4 V1 e# p) i5 t& s3 H" f7 a4．8．1 平面集成技术的定义 76
# q6 T) M, }  X4．8．2 平面集成技术的应用 76
4．9 集成技术总结 78
第5章 SiP与先进封装技术 80
2 c" O* g6 B, |0 Z! s5．1 SiP基板与封装 80
1 E) p4 L* ?% L+ o( p/ o: X5．1．1 有机基板 80
5．1．2 陶瓷基板 82
) ~5 O% ?8 H4 |9 M: d5．1．3 硅基板 85
" H# L( \2 J- C0 h5．2 与先进封装相关的技术 85
9 y6 Z8 u. Z" b  N5 Y5．2．1 TSV技术 86
) ~4 _( t: z# t" |" r5．2．2 RDL技术 87
" c5 T- I8 M) u2 R* O( r& s5．2．3 IPD技术 88
5．2．4 Chiplet技术 89
5．3 先进封装技术 92
3 e4 S+ o& Y' d/ \1 i2 W8 E) M$ g5．3．1 基于XY平面延伸的先进封装技术 93
+ U: z* ^' F4 [+ G2 d" ?, M5．3．2 基于Z轴延伸的先进封装技术 96
5．3．3 先进封装技术总结 103
6 O! ~# f7 f9 S! s  E5．3．4 先进封装的四要素：RDL、TSV、Bump和Wafer 104
5．4 先进封装的特点和SiP设计需求 105
1 V' D* X3 n; k0 _+ j9 C5．4．1 先进封装的特点 105
  c& H' u. W0 i- w0 ?6 P5．4．2 先进封装与SiP的关系 106
5．4．3 先进封装和SiP设计需求 107
: v4 B0 a6 g9 v& r第1部分参考资料及说明 108
& Y( K/ B+ Q/ M8 i3 n1 e9 @
4 D" U/ R( s" _1 G第2部分 设计和仿真
! J3 ?& n' ]# u4 o+ M9 k第6章 SiP设计仿真验证平台 111
1 J) ]2 ^# j! W1 E0 F6．1 SiP设计技术的发展 111
6．2 SiP设计的两套流程 112
6．3 通用SiP设计流程 112
6．3．1 原理图设计输入 112
6．3．2 多版图协同设计 112
6．3．3 SiP版图设计9大功能 113
& C# l( b1 T8 s, u9 {8 N) A# [6．4 基于先进封装HDAP的SiP设计流程 118
' Z5 b3 F& @5 W$ J% f5 U6．4．1 设计整合及网络优化工具XSI 119
, U5 U! N) C, @: P6．4．2 先进封装版图设计工具XPD 120
6．5 设计师如何选择设计流程 121
; S, B/ `1 C; k- m5 b( i6．6 SiP仿真验证流程 122
6．6．1 电磁仿真 122
6．6．2 热学仿真 124
2 G) `' R8 H" m( A8 H' D' Z6．6．3 力学仿真 125
$ d+ q2 V3 P9 A3 v/ L6．6．4 设计验证 125
6．7 SiP设计仿真验证平台的先进性 127
第7章 中心库的建立和管理 129
7 Y1 {* l* f3 o. Y0 g, \7．1 中心库的结构 129
/ J, b+ y4 f9 j3 U7 H+ |' T# y% E# ?7．2 Dashboard介绍 130
% O- F/ B' _7 Q& ^# N7 C% U$ x7．3 原理图符号（Symbol）库的建立 131
' A% S: n, S0 u# d+ T9 C: H' ~7．4 版图单元（Cell）库的建立 136
$ X; B( T7 j" \7．4．1 裸芯片Cell库的建立 136
: ]( w" E& U; H5 D% Y9 `7．4．2 SiP封装Cell库的建立 141
; W6 ]' {* X6 R) t7．5 Part库的建立和应用 145
7．5．1 映射Part库 145
+ {$ B# O" y% C; P" c7．5．2 通过Part创建Cell库 147
7．6 中心库的维护和管理 148
7．6．1 中心库常用设置项 149
7．6．2 中心库数据导入导出 149
6 c- ], ~, D. v1 x  B+ m第8章 SiP原理图设计输入 152
1 }- w  ~- N( `, L/ L8．1 网表输入 152
& }: e6 m, M, f2 m; ?4 U8．2 原理图设计输入 154
8．2．1 原理图工具介绍 154
9 \  I) s7 C2 H( d! @$ j8．2．2 创建原理图项目 162
+ o# T0 |+ n: s& A/ a3 A6 f8．2．3 原理图基本操作 163
/ |# t" L( ^% ?8 h7 [8．2．4 原理图设计检查 167
) j/ Y* x- C" p+ l" c, v* c8．2．5 设计打包Package 169
( h3 y7 k5 z* Q) l* J( X) `* m8．2．6 输出元器件列表Partlist 172
8．2．7 原理图中文菜单和中文输入 173
8．3 基于DataBook的原理图输入 175
8．3．1 DataBook介绍 175
8．3．2 DataBook使用方法 176
  e1 y0 ?( ^  A2 y8．3．3 元器件属性的校验和更新 178
9 v; m! A% P4 `( m; Q0 s8．4 文件输入/输出 179
8．4．1 通用输入/输出 179
0 t5 T) M" p: ]# c8．4．2 输出到仿真工具 181
第9章 版图的创建与设置 183
9．1 创建版图模板 183
' x6 F. F4 E5 [8 e0 E+ v9．1．1 版图模板定义 183
4 D' @4 W  f7 v) y. o5 `9．1．2 创建SiP版图模板 184
9．2 创建版图项目 194
9．2．1 创建新的SiP项目 194
9．2．2 进入版图设计环境 195
9．3 版图相关设置与操作 196
- D% H( N. y% _2 v" }9．3．1 版图License控制介绍 196
, v9 q5 j; {! j+ f- Q1 t6 w! c9．3．2 鼠标操作方法 197
, A' l1 D* F4 L7 g9．3．3 四种常用操作模式 199
2 L' F* }+ E4 i$ U* A& b7 v9．3．4 显示控制（Display Control） 202
5 W0 R8 S7 j; P" M  E% x4 k0 b9．3．5 编辑控制（Editor Control） 207
5 V$ p! E9 {( H4 r  m9 W# U9．3．6 智能光标提示 213
1 L* o1 y8 I1 ~4 h9 C; C, n, ^. f9 p9．4 版图布局 213
9．4．1 元器件布局 213
9．4．2 查看原理图 217
9．5 封装引脚定义优化 218
9．6 版图中文输入 218
第10章 约束规则管理 221
* Z* Q( O1 i( m10．1 约束管理器（Constraint Manager） 221
7 M  ^6 [$ [1 e9 s10．2 方案（Scheme） 222
10．2．1 创建方案 223
1 X7 p6 J, n) v. ~  N- N4 G10．2．2 在版图设计中应用Scheme 223
' j) v4 ?, [. ^8 O8 k4 @10．3 网络类规则（Net Class） 224
10．3．1 创建网络类并指定网络到网络类 224
5 O$ K9 T4 Y! d+ F$ b6 n# d4 u10．3．2 定义网络类规则 225
: q* M0 |5 I* d10．4 间距规则（Clearance） 226
10．4．1 间距规则的创建与设置 226
10．4．2 通用间距规则 227
10．4．3 网络类到网络类间距规则 228
10．5 约束类（Constraint Class） 229
$ M0 G1 F: h7 Q10．5．1 新建约束类并指定网络到约束类 229
10．5．2 电气约束分类 230
10．5．3 编辑约束组 231
10．6 Constraint Manager和版图数据交互 232
# q- \" ]# V( U, Y8 ?" V10．6．1 更新版图数据 232
10．6．2 与版图数据交互 233
# B- b  I. _4 J$ X! z" }4 a' z10．7 规则设置实例 233
. i8 Q( V4 n# g1 }* h10．7．1 等长约束设置 233
5 j- h. Z" ~8 e/ c5 s10．7．2 差分约束设置 236
10．7．3 Z轴间距设置 237
第11章 Wire Bonding设计详解 239
8 K  m& r% M7 x7 [11．1 Wire Bonding概述 239
6 `5 y) }& x- S: n! [11．2 Bond Wire 模型 240
% A) m4 o& N1 S% F11．2．1 Bond Wire模型定义 241
6 e! K* ~6 ^; f- s; n7 G0 I11．2．2 Bond Wire模型参数 245
! K+ n( u4 z4 v8 S, U5 k) X11．3 Wire Bonding工具栏及其应用 246
# i2 P& b& o9 w, M( q. B11．3．1 手动添加Bond Wire 246
11．3．2 移动、推挤及旋转Bond Finger 247
11．3．3 自动生成Bond Wire 248
11．3．4 通过导引线添加Bond Wire 249
11．3．5 添加Power Ring 251
- O; ?7 s0 H2 `11．4 Bond Wire规则设置 252
11．4．1 针对Component的设置 253
11．4．2 针对Die Pin的设置 256
/ v! x' o& K; T. A- s2 l0 ?7 Y11．4．3 在Die Pin和Bond Finger之间添加多根Bond Wire 258
11．4．4 从单个Die Pin扇出多根Bond Wire到多个Bond Finger 258
11．4．5 多个Die Pin同时键合到一个Bond Finger上 259
6 d' p  b$ A0 w11．4．6 Die to Die Bonding 259
11．5 Wire Model Editor和Wire Instance Editor 261
8 o* Z6 Y/ n! J' m! A2 r# {9 j第12章 腔体、芯片堆叠及TSV设计 265
; O! a1 p7 p) w$ U$ b12．1 腔体设计 265
12．1．1 腔体的定义 265
12．1．2 腔体的创建 267
! y$ t- G! o% j2 {12．1．3 将芯片放置到腔体中 269
12．1．4 在腔体中键合 270
12．1．5 通过腔体将分立式元器件埋入基板 271
12．1．6 在Die Cell中添加腔体实现元器件埋入 273
12．2 芯片堆叠设计 275
7 `2 [$ i: B$ N$ F. ^. ^/ e12．2．1 芯片堆叠的概念 275
12．2．2 芯片堆叠的创建 276
12．2．3 并排堆叠芯片 277
+ |( c- t. o+ |( c. J12．2．4 芯片堆叠的调整及键合 278
# m; G3 b" o! Y12．2．5 芯片和腔体组合设计 279
12．3 2．5D TSV的概念和设计 281
7 h7 [) D' V8 a1 n$ o' V' j2 k7 O4 z12．4 3D TSV的概念和设计 281
& y# p4 J, B# W; ?  M12．4．1 3D TSV的概念 281
2 K" ~: l- R1 ]/ ?# G( }% a12．4．2 3D TSV Cell创建 283
12．4．3 芯片堆叠间引脚对齐原则 284
. P8 \/ Y! U2 O+ W( P/ u( s9 n12．4．4 3D TSV堆叠并互联 284
12．4．5 3D 引脚模型的设置 286
12．4．6 网络优化并布线 287
5 a- `  `. ^4 Y+ F+ E- R12．4．7 DRC检查并完成3D TSV设计 289
第13章 RDL及Flip Chip设计 291
) [6 h  W% S  D2 y; P  B$ u9 m- M13．1 RDL的概念和应用 291
13．1．1 Fan-In型RDL 292
13．1．2 Fan-Out型RDL 293
13．2 Flip Chip的概念及特点 294
13．3 RDL设计 295
13．3．1 Bare Die及RDL库的建立 295
13．3．2 RDL原理图设计 297
6 Y2 B( w! P: {/ t  a4 V% n% a13．3．3 RDL版图设计 297
13．4 Flip Chip设计 301
13．4．1 Flip Chip原理图设计 301
# i+ Q. x9 y, d: e6 \7 j13．4．2 Flip Chip版图设计 302
第14章 版图布线与敷铜 307
14．1 版图布线 307
& }1 {! g& g" o7 h3 P) {0 ?14．1．1 布线综述 307
: @' ]' d/ O, R# Q- l' f( F14．1．2 手工布线 307
14．1．3 半自动布线 312
14．1．4 自动布线 315
14．1．5 差分对布线 316
; b% J+ Z8 H, P9 o7 g2 u3 R14．1．6 长度控制布线 319
+ x) x8 l- n& P) G& O; ]14．1．7 电路复制 323
14．2 版图敷铜 325
. d2 E+ t5 M9 R! s5 S14．2．1 敷铜定义 325
14．2．2 敷铜设置 325
0 R4 U9 r7 A, j- b) z- U14．2．3 绘制并生成敷铜数据 328
( M! w. d" O7 S" D- M. c6 N1 ~14．2．4 生成敷铜排气孔 331
14．2．5 检查敷铜数据 333
第15章 埋入式无源器件设计 334
* X2 v) D+ l/ Q* l0 _15．1 埋入式元器件技术的发展 334
3 _( V4 W4 z; L) E. j15．1．1 分立式埋入技术 334
15．1．2 平面埋入式技术 336
15．2 埋入式无源器件的工艺和材料 336
15．2．1 埋入工艺Processes 337
, @) p! B2 t4 J- w$ [/ U/ B15．2．2 埋入材料Materials 342
15．2．3 电阻材料的非线性特征 346
0 Z1 x/ v$ X! R) V/ Z0 P6 }: ^15．3 无源器件自动综合 347
# Q) j. t* k' p4 f0 c15．3．1 自动综合前的准备 347
15．3．2 电阻自动综合 349
) E+ O8 k& S( S1 z15．3．3 电容自动综合 353
15．3．4 自动综合后版图原理图同步 357
, [; ~0 r/ P) `6 C1 d* D3 e第16章 RF电路设计 359
16．1 RF SiP技术 359
16．2 RF设计流程 360
) f) _! f7 {8 t! |- [' _16．3 RF元器件库的配置 360
1 P; v' {9 H- O/ \/ ?( j16．3．1 导入RF符号到设计中心库 360
/ U7 W5 e* ~2 k2 U. M: N; d1 P( J16．3．2 中心库分区搜索路径设置 361
( Q/ f8 J+ ?+ d+ e# ], I16．4 RF原理图设计 362
16．4．1 RF原理图工具栏 362
) |5 L' Q9 o/ d3 Z3 v2 s1 e16．4．2 RF原理图输入 364
16．5 原理图与版图RF参数的相互传递 365
3 k1 ]7 M! d+ A- k16．6 RF版图设计 368
; i/ J) \& e- A0 H16．6．1 RF版图工具箱 368
! f% k4 Z; B% T  I9 }5 u  g+ v  a6 w: d16．6．2 RF单元的3种类型 369
% S6 j5 F: c) \0 x9 |# M7 L- S16．6．3 Meander的绘制及编辑 370
! r( Z3 J. q# }# A5 R16．6．4 创建用户自定义的RF单元 372
16．6．5 Via添加功能 374
+ j/ b8 }/ F6 i" B9 j16．6．6 RF Group介绍 376
16．6．7 Auto Arrange功能 377
2 L( N' @, [- G7 K: A16．6．8 通过键合线连接RF单元 377
* }1 z& _- x" G3 L! d! L0 B16．7 与RF仿真工具连接并传递数据 378
, D1 j, \' u7 a9 G& r16．7．1 连接RF仿真工具 378
3 D7 w4 T5 ~, }6 B) ]/ A+ P16．7．2 原理图RF数据传递 380
16．7．3 版图RF数据传递 381
第17章 刚柔电路和4D SiP设计 383
17．1 刚柔电路介绍 383
( a3 ^  ~) Q9 [1 u! U8 V17．2 刚柔电路设计 384
17．2．1 刚柔电路设计流程 384
4 y2 U0 o: J& k* h2 w9 j0 R# e17．2．2 刚柔电路特有的层类型 384
: J9 d  J) v. E' G* a9 S17．2．3 刚柔电路设计步骤 385
; R# k1 y9 V# ~2 ~! Y, C% r/ D17．3 复杂基板技术 394
& h8 m* M; Y9 P) G17．3．1 复杂基板的定义 394
9 M7 [0 m5 K' ~2 C' U6 L7 H5 Q2 J17．3．2 复杂基板的应用 394
* ^# y/ o$ N" c3 l17．4 基于4D集成的SiP设计 395
0 _  [: d: ~: V. g6 W8 i17．4．1 4D集成SiP基板定义 395
7 e4 r: c/ O) l" z# I; K17．4．2 4D集成SiP设计流程 396
17．5 4D SiP设计的意义 400
第18章 多版图项目与多人协同设计 401
18．1 多版图项目 401
18．1．1 多版图项目设计需求 401
18．1．2 多版图项目设计流程 402
18．2 原理图多人协同设计 405
! }+ i9 }2 o0 I% d. z: Y18．2．1 原理图协同设计的思路 405
0 }8 k2 ]5 L! G# Y18．2．2 原理图协同设计的操作方法 406
% v8 b6 {% L7 `1 a9 I, F. d18．3 版图多人实时协同设计 409
18．3．1 版图实时协同软件的配置 411
18．3．2 启动并应用版图实时协同设计 412
第19章 基于先进封装（HDAP）的SiP设计流程 415
19．1 先进封装设计流程介绍 415
19．1．1 HDAP设计环境需要的技术指标 415
19．1．2 HDAP设计流程 416
- I+ N; I* G: p& b! O( \19．1．3 设计任务HBM（3D+2．5D） 417
$ X' E4 w/ g" ^3 H* R4 i9 Z19．2 XSI设计环境 418
* p  }$ }% [8 F1 `9 p1 B9 _19．2．1 设计数据准备 418
19．2．2 XSI常用工作窗口介绍 419
, a  W8 z7 a% _5 L19．2．3 创建项目和设计并添加元器件 420
19．2．4 通过XSI优化网络连接 428
! o! h5 k4 Y3 M/ _6 Q) ^( d% I19．2．5 版图模板选择 429
: l: {7 j, v1 ]" _* Q19．2．6 设计传递 431
4 C/ y. L& F# A' c19．3 XPD设计环境 432
19．3．1 Interposer数据同步检查 432
19．3．2 Interposer布局布线 433
. B& n; u0 [  n8 H  Z" \3 A4 b19．3．3 Substrate数据同步检查 434
19．3．4 Substrate布局布线 435
19．4 3D数字化样机模拟 436
19．4．1 数字化样机的概念 436
19．4．2 3D View环境介绍 437
2 U$ h0 \& s0 w# ]5 v19．4．3 构建HDAP数字化样机模型 438
第20章 设计检查和生产数据输出 444
  B/ h0 @: k. ?20．1 Online DRC 444
  D3 m9 h; q1 j! ]8 k6 P20．2 Batch DRC 445
20．2．1 DRC Settings选项卡 445
0 O3 y/ _% t) ~7 ~20．2．2 Connectivity and Special Rules选项卡 447
; Q! h3 Z! D1 a7 U) U20．2．3 Batch DRC方案 448
20．3 Hazard Explorer介绍 449
1 Q/ Z: h; ?1 w" B# L2 u0 S20．4 设计库检查 453
20．5 生产数据输出类型 453
2 [0 k/ k8 Y3 v6 e+ H20．6 Gerber和钻孔数据输出 454
  N0 m  g! s* d# s9 v* t) C20．6．1 输出钻孔数据 454
20．6．2 设置Gerber文件格式 457
- p7 r. [! {7 _* f20．6．3 输出Gerber文件 458
3 ^* Q. W* I5 Y4 a) S' }9 S5 l! s& r20．6．4 导入并检查Gerber文件 460
20．7 GDS文件和Color Map输出 461
7 Z8 A$ O2 F- V" H20．7．1 GDS文件输出 461
) u6 |8 k/ G' {  ]4 T( h20．7．2 Color Map输出 462
0 F# C" U/ _* s  u20．8 其他生产数据输出 463
7 C- o) B# L0 I20．8．1 元器件及Bond Wire坐标文件输出 463
' E. g8 W/ ?$ ]: R* ^20．8．2 DXF文件输出 465
20．8．3 版图设计状态输出 465
20．8．4 BOM输出 466
  W. H9 Q/ u# v- X8 I. c第21章 SiP仿真验证技术 468
( t5 [7 Y* ]2 T1 v& M# u$ e21．1 SiP仿真验证技术概述 468
21．2 信号完整性（SI）仿真 469
21．2．1 HyperLynx SI 信号完整性仿真工具介绍 469
21．2．2 HyperLynx SI 信号完整性仿真实例分析 471
: Z; E5 N) z: y7 e21．3 电源完整性（PI）仿真 476
9 ~- {; h! i. ?) W21．3．1 HyperLynx PI 电源完整性仿真工具介绍 477
1 O; C# m2 a* M4 J6 ^, t* N& I6 P21．3．2 HyperLynx PI 电源完整性仿真实例分析 478
21．4 热分析（Thermal）仿真 483
21．4．1 HyperLynx Thermal热分析软件介绍 484
21．4．2 HyperLynx Thermal热仿真实例分析 484
21．4．3 FloTHERM软件介绍 488
# L" {5 g; X  m6 ?1 O/ o/ U* o- P3 ^21．4．4 T3Ster热测试设备介绍 489
& H9 R4 {' |* v9 V4 K5 x& g3 ~! O) e21．5 先进3D解算器 491
21．5．1 全波解算器（Full-Wave Solver）介绍 491
2 U1 A) X6 O/ `2 e# p& r21．5．2 快速3D解算器（Fast 3D Solver）介绍 491
21．6 数/模混合电路仿真 492
7 k# w1 `8 f' X21．7 电气规则验证 493
21．7．1 HyperLynx DRC工具介绍 493
4 B+ y& g2 }1 L2 r, F21．7．2 电气规则验证实例 494
21．8 HDAP物理验证 499
21．8．1 Calibre 3DSTACK工具介绍 499
( @# h$ Q1 t7 R" n2 d* g21．8．2 HDAP物理验证实例 500
7 {3 p9 z! d( h8 W2 `" V, V& `# o8 h第2部分参考资料及说明 506

第3部分 项目和案例
" z$ r1 D& F' i1 y: p. J8 f8 z第22章 基于SiP技术的大容量存储芯片设计案例 509
* z2 s" |' }$ \22．1 大容量存储器在航天产品中的应用现状 509
22．2 SiP技术应用的可行性分析 510
( @) v( U8 X* h( k& f% c22．2．1 裸芯片选型 510
22．2．2 设计仿真工具选型 512
22．2．3 生产测试厂家选择 512
22．3 基于SiP技术的大容量存储芯片设计 513
22．3．1 方案设计 513
22．3．2 详细设计 514
3 k1 _: h/ j; T$ v% Z( L22．4 大容量存储芯片封装和测试 519
' C; i3 Y4 ~$ X, p# D0 H  n$ d' E22．4．1 芯片封装 519
22．4．2 机台测试 522
22．4．3 系统测试 523
22．4．4 后续测试及成本比例 523
22．5 新旧产品技术参数比较 525
6 P6 r* `. i( H8 \7 {第23章 SiP项目规划及设计案例 526
23．1 SiP项目规划 526
7 \0 D% A; n9 u  V0 ~5 K23．1．1 SiP的特点和适用性 526
23．1．2 SiP项目需要明确的因素 529
23．2 设计规则导入 530
4 M6 s2 a; C$ @' d( C! |0 p23．2．1 项目要求及方案分析 530
) c2 l' _0 Y# I# T+ n7 A# I23．2．2 SiP实现方案 532
23．3 SiP产品设计 534
0 J* {' X* |7 `, v23．3．1 符号及单元库设计 534
23．3．2 原理设计 535
  Y5 z5 j0 I! Z0 p1 H7 d23．3．3 版图设计 535
23．3．4 产品封装测试 538
第24章 2．5D TSV技术及设计案例 539
9 x9 k' y5 @1 V$ d3 v5 k24．1 2．5D集成的需求 539
0 p8 H+ t- ?( _24．2 传统封装工艺与2．5D集成的对比 539
+ d8 D, p& j( d9 G$ Q1 J24．2．1 倒装焊（Flip Chip）工艺 539
24．2．2 引线键合（Wire Bonding）工艺 540
& D+ [+ W. C9 R- y24．2．3 传统工艺与2．5D集成的优劣势分析 541
24．3 2．5D TSV转接板设计 542
  e% V4 F6 [" y! v4 w* _" T2 a7 g24．3．1 2．5D TSV转接板封装结构 542
24．3．2 2．5D转接板封装设计实现 543
24．4 转接板、有机基板工艺流程比较 544
24．4．1 硅基转接板 544
24．4．2 玻璃基转接板 545
24．4．3 有机材料基板 546
7 ]0 K0 Z& b# K6 V' g5 A- U" u24．4．4 两种转接板及有机基板工艺能力比较 546
) |( f' S+ Q# ^9 q24．5 掩模版工艺流程简介 546
24．6 2．5D硅转接板设计、仿真、制造案例 547
; C0 h8 W3 s0 {# }8 g24．6．1 封装结构设计 547
# K4 v* e( N( t! q* b24．6．2 封装布线、信号及结构仿真 549
8 J+ r/ O$ u/ |0 x$ `& a/ B% g24．6．3 生产数据Tape Out及掩模版准备 552
) u" r9 ^% E' _) V+ n24．6．4 转接板的加工及整体组装 553
第25章 数字T/R组件SiP设计案例 554
4 l4 M8 \# ^! Y4 B2 T/ G$ W* n# ^$ }2 L. h25．1 雷达系统简介 554
! b% s: F! I, }4 @6 e% {25．2 SiP技术的采用 555
/ d$ f6 ^1 b/ F1 ]" \- |1 r# I25．3 数字T/R组件电路设计 556
25．3．1 数字T/R组件的功能简介 556
: ?8 |' q/ M  X7 _) ?25．3．2 数字T/R组件的结构及原理设计 557
5 ]4 T$ x& H: j; d) s0 O25．3．3 数字T/R组件的SiP版图设计 559
25．4 金属壳体及一体化封装设计 560
第26章 MEMS验证SiP设计案例 563
26．1 项目介绍 563
4 H8 H; c+ i9 o: ?1 d26．2 SiP方案设计 563
26．3 SiP电路设计 564
26．3．1 建库及原理图设计 565
. P; M( n/ }- }1 H26．3．2 SiP版图设计 566
26．4 产品组装及测试 571
3 M" i2 ]+ r& M* \& D2 B第27章 基于刚柔基板的SiP设计案例 572
27．1 刚柔基板技术概述 572
' M4 ]; b! I) W% ^, @27．2 射频前端系统架构和RF SiP方案 573
% Y% @8 i" y, ~+ o2 J27．2．1 微基站系统射频前端架构 573
) R4 C6 }1 g7 L! P# Z27．2．2 RF SiP封装选型 574
27．2．3 RF SiP基板层叠设计 575
; h* q. i' a* G1 N3 i5 b0 l27．3 基于刚柔基板RF SiP电学设计仿真 576
27．3．1 信号完整性设计和仿真 576
27．3．2 电源完整性设计与仿真 579
8 Y3 R2 u0 y# j. p% _$ B7 C9 A27．4 基于刚柔基板RF SiP的热设计仿真 581
$ |# u5 h# B0 ]' ?' ^: w9 i27．4．1 封装结构的热阻网络分析 581
6 x+ {6 p, Y% H+ ]27．4．2 RF SiP的热性能仿真研究 583
27．5 基于刚柔基板RF SiP的工艺组装实现 587
第28章 射频系统集成SiP设计案例 589
' W" ^! x* K& f28．1 射频系统集成技术 589
( u6 Q$ j- P, @* C28．1．1 射频系统简介 589
8 L' a& A/ U: {28．1．2 射频系统集成的小型化趋势 590
28．1．3 RF SiP和RF SoC 592
28．2 射频系统集成SiP的设计与仿真 594
28．2．1 RF SiP封装结构设计 594
28．2．2 RF SiP电学互连设计与仿真 595
! P8 e+ }% b8 @& j' f" E) }28．2．3 RF SiP的散热管理与仿真 597
: H: S( Q& F5 g: M+ @5 L8 U28．4 射频系统集成SiP的组装与测试 598
- Q4 F& r0 |; X! \' H/ R3 X28．4．1 RF SiP的组装 598
$ K2 ~( Z5 E$ L( F. p% A/ I28．4．2 RF SiP的测试 599
第29章 基于PoP的RF SiP设计案例 602
) X2 D7 Z# b, Z& ~29．1 PoP技术简介 602
29．2 射频系统架构与指标 603
29．3 RF SiP结构与基板设计 606
2 L" @, R4 {7 d; D5 I0 r$ |29．3．1 结构设计 606
' f6 [: j: M3 r# J: \1 {29．3．2 基板设计 607
/ A( W6 e; L& ^( h( d* f29．4 RF SiP信号完整性与电源完整性仿真 610
0 x$ W9 |* V: n0 y0 ^. j- m% u% ]29．4．1 信号完整性（SI）仿真 610
29．4．2 电源完整性（PI）仿真 610
7 |, b4 J1 u; `+ q7 E29．5 RF SiP热设计仿真 612
4 R: ^3 q: n7 a$ `1 C+ O! ?29．6 RF SiP组装与测试 613
第30章 SiP基板生产数据处理案例 616
30．1 LTCC、厚膜及异质异构集成技术介绍 616
30．1．1 LTCC技术 616
2 b9 f4 O* y4 x30．1．2 厚膜技术 617
30．1．3 异质异构集成技术 617
7 }0 T/ l1 O8 P& t+ I1 {; `  m30．2 Gerber数据和钻孔数据 618
30．2．1 Gerber数据的生成及检查 618
30．2．2 钻孔数据的生成及比较 621
30．3 版图拼版 622
/ d* \2 {  c3 ]7 h3 \30．4 多种掩模生成 624
30．4．1 掩模生成器 624
+ K% e/ s& R9 {' |* E; ^  m30．4．2 掩模生成实例 626
第3部分参考资料 630
后记和致谢 632
0 z5 M% p2 `9 Z3 u# [1 U3 Z