wenspig 发表于 2021-7-28 10:00
你好 这本书使用的设计软件是metor还是cadence？

: G# q7 i# A7 j: A) O+ B第一部分概念和技术，第三部分项目和案例均和软件无关；第二部分设计和仿真，用的是Mentor，现在称为Siemens EDA。

ytmgadw 发表于 2021-7-7 21:49
) ?: s( R2 x( G  C' M' d书看了，非常不错

8 `$ Q$ r/ j. ~8 O1 K谢谢评价！

你好 这本书使用的设计软件是metor还是cadence？

书看了，非常不错

APP_338522 发表于 2021-7-2 14:22
5 K& ]) M9 m# N- t$ d李总应该把书上的例子放上来让大家练习

+ ]' y! z1 U3 u! l2 i6 l谢谢建议，我找一个合适的例子！

李总应该把书上的例子放上来让大家练习

《基于SiP技术的微系统》目 录  
) }# a# a5 \  y! E3 U
第1部分　概念和技术
( J  n/ \. n2 t6 k" ]第1章 从摩尔定律到功能密度定律 3
1．1 摩尔定律 3
9 E0 |8 @) ^$ k9 a1．2 摩尔定律面临的两个问题 4
2 y2 G) }/ \3 N, M+ Q1 ?1．2．1 微观尺度的缩小 4
) y( I1 b6 w& s) P0 B) }$ x/ B1．2．2 宏观资源的消耗 6
1．3 功能密度定律 10
% g1 r+ D2 t; h1．3．1 功能密度定律的描述 10
# w) N& r% c2 k* B) c/ s) [1．3．2 电子系统6级分类法 11
5 K5 ]2 G! m8 X$ E* a1．3．3 摩尔定律和功能密度定律的比较 13
1．3．4 功能密度定律的应用 14
4 q; O  }: k  Z+ Z1．3．5 功能密度定律的扩展 17
1．4 广义功能密度定律 17
1．4．1 系统空间定义 18
1．4．2 地球空间和人类宇宙空间 18
" N; X' E' P' W/ d* S1．4．3 广义功能密度定律 20
, g" W* v8 H  H% _3 D, K4 A( e第2章 从SiP到Si3P 21
2．1 概念深入：从SiP到Si3P 21
2．2 Si3P之integration 23
  W  Y$ c' g# f6 ]0 a2 A0 e2．2．1 IC层面集成 23
- l/ Z" _5 C- x6 O+ J5 k9 L2．2．2 PCB层面集成 26
2．2．3 封装层面集成 28
2．2．4 集成（Integration）小结 30
1 a, L# K! Y! n3 k& X9 }2．3 Si3P之interconnection 31
% y/ J  ~- F) d4 o8 {2．3．1 电磁互联 31
2．3．2 热互联 36
2．3．3 力互联 37
$ ?8 I$ l! p6 _% Z6 u  G2．3．4 互联（interconnection）小结 39
2．4 Si3P之intelligence 39
2．4．1 系统功能定义 40
! h8 d% g& F) x: `2．4．2 产品应用场景 41
2．4．3 测试和调试 41
! T$ e9 C2 j, K6 ^2．4．4 软件和算法 42
2．4．5 智能（intelligence）小结 44
" `- j$ F! w) J0 Z! e5 I! A2．5 Si3P总结 44
2．5．1 历史回顾 44
2．5．2 联想比喻 45
9 m4 R* T& S: P$ R8 F2．5．3 前景预测 46
6 C# D1 E5 a0 }2 }$ t第3章 SiP技术与微系统 47
1 v0 ]+ J$ Q7 ?3 b3．1 SiP技术 47
3．1．1 SiP技术的定义 47
3．1．2 SiP及其相关技术 48
9 b+ i8 o! l" X8 a& M9 j! l3．1．3 SiP还是SOP 50
3．1．4 SiP技术的应用领域 51
& N( w9 o( c( L9 q& z- H$ E3．1．5 SiP工艺和材料的选择 55
2 Y# C2 q" m1 O3．2 微系统 57
3．2．1 自然系统和人造系统 57
3．2．2 系统的定义和特征 58
8 v) u, N% I8 U3．2．3 微系统的新定义 59
第4章 从2D到4D集成技术 61
4．1 集成技术的发展 61
4．1．1 集成的尺度 61
& x, t0 r* O7 t( v; R4．1．2 一步集成和两步集成 62
4．1．3 封装内集成的分类命名 63
4．2 2D集成技术 64
1 v$ a; C7 W# I, D( X# v1 K4．2．1 2D集成的定义 64
( m# L0 U' M9 c0 C4．2．2 2D集成的应用 64
6 B: R9 I- s& n) T7 w5 Y' T4．3 2D+集成技术 65
4．3．1 2D+集成的定义 65
# c5 y& _2 E, h  n! V3 q4．3．2 2D+集成的应用 66
8 \8 f9 u$ [# i7 M" h4．4 2．5D集成技术 67
) ?1 H+ W" u0 U5 B' O) R! N6 a4．4．1 2．5D集成的定义 67
2 d6 d* M3 C2 }: \- ^3 G, L6 r4．4．2 2．5D集成的应用 67
7 e8 n* C5 @( p  C3 s. O0 n4．5 3D集成技术 68
4．5．1 3D集成的定义 68
# m, N3 _  H' \" ~2 E; |- H4．5．2 3D集成的应用 69
4．6 4D集成技术 70
4．6．1 4D集成的定义 70
4．6．2 4D集成的应用 71
0 N8 V9 a& T" q, \4．6．3 4D集成的意义 73
. B# u% w' y% A* L7 n1 G4．7 腔体集成技术 73
9 d- [$ X5 x, ~" u3 d4 S( F4．7．1 腔体集成的定义 73
4．7．2 腔体集成的应用 74
3 i7 S6 H& d5 i9 |9 _/ @4．8 平面集成技术 76
( I7 q  z! c. {: |% R: V4．8．1 平面集成技术的定义 76
4．8．2 平面集成技术的应用 76
1 |, N6 M8 z0 ?* W5 a4．9 集成技术总结 78
第5章 SiP与先进封装技术 80
5．1 SiP基板与封装 80
; a/ q/ |3 A$ A4 A5．1．1 有机基板 80
5 S+ G; u# q% R( l5．1．2 陶瓷基板 82
; ?9 M, G2 v* i7 n4 n5 {5．1．3 硅基板 85
5．2 与先进封装相关的技术 85
9 c" c: |( ], E" G5．2．1 TSV技术 86
5．2．2 RDL技术 87
5．2．3 IPD技术 88
% ~8 d: @  e# S$ W0 V5．2．4 Chiplet技术 89
5．3 先进封装技术 92
( k1 `5 E/ c/ D2 O# u6 D  a; ^5．3．1 基于XY平面延伸的先进封装技术 93
5．3．2 基于Z轴延伸的先进封装技术 96
5．3．3 先进封装技术总结 103
5．3．4 先进封装的四要素：RDL、TSV、Bump和Wafer 104
" b" h% a  f! A: |& _$ o5．4 先进封装的特点和SiP设计需求 105
( e1 R4 e7 ]! o  I5．4．1 先进封装的特点 105
* Q2 ^5 q* l* l+ w8 I3 Y5．4．2 先进封装与SiP的关系 106
" i" O* b  x) ~; b5．4．3 先进封装和SiP设计需求 107
5 x0 A& H6 f! k" k第1部分参考资料及说明 108

第2部分 设计和仿真
第6章 SiP设计仿真验证平台 111
" o: S. F+ M  ~3 M4 |# ?* R1 ]6．1 SiP设计技术的发展 111
6．2 SiP设计的两套流程 112
6．3 通用SiP设计流程 112
6．3．1 原理图设计输入 112
6．3．2 多版图协同设计 112
+ B3 n* n% |3 D# o6．3．3 SiP版图设计9大功能 113
6．4 基于先进封装HDAP的SiP设计流程 118
6 ~1 W& J  J. N6．4．1 设计整合及网络优化工具XSI 119
0 d/ A# X7 v. G2 Z. D3 H9 Z6．4．2 先进封装版图设计工具XPD 120
6．5 设计师如何选择设计流程 121
6．6 SiP仿真验证流程 122
) r/ ~7 k7 r' e( w9 H2 K4 q9 O6．6．1 电磁仿真 122
' \0 a8 N. N: k( C& J' f8 D6 P6．6．2 热学仿真 124
6．6．3 力学仿真 125
6．6．4 设计验证 125
- J0 i; N+ T! w$ C6．7 SiP设计仿真验证平台的先进性 127
第7章 中心库的建立和管理 129
7．1 中心库的结构 129
7．2 Dashboard介绍 130
7．3 原理图符号（Symbol）库的建立 131
8 p; h' D+ C8 J7．4 版图单元（Cell）库的建立 136
5 |6 B* ?$ w& ~0 I7．4．1 裸芯片Cell库的建立 136
7．4．2 SiP封装Cell库的建立 141
, X5 Q$ f( x; f3 h* e$ v7．5 Part库的建立和应用 145
( d4 M' l) }+ h7．5．1 映射Part库 145
' e' }! w0 M& |7 S2 C% q7．5．2 通过Part创建Cell库 147
7．6 中心库的维护和管理 148
: k) r  ^$ {* J: W3 }7．6．1 中心库常用设置项 149
  ^9 x3 D$ @  e7．6．2 中心库数据导入导出 149
第8章 SiP原理图设计输入 152
8．1 网表输入 152
5 i' P0 P& k. o/ h& f) A8．2 原理图设计输入 154
, K- I/ m5 A- e3 ]! I7 C8．2．1 原理图工具介绍 154
3 }# ~/ n- h; m- A0 j, R; ?0 n8．2．2 创建原理图项目 162
: t2 ^* p$ r8 l) U1 ^8．2．3 原理图基本操作 163
8．2．4 原理图设计检查 167
- k1 V. b& A7 Y8．2．5 设计打包Package 169
% O# W& O: h: x- B3 B, f8．2．6 输出元器件列表Partlist 172
8．2．7 原理图中文菜单和中文输入 173
8．3 基于DataBook的原理图输入 175
# W9 y2 g7 m( M# t8．3．1 DataBook介绍 175
8．3．2 DataBook使用方法 176
7 U3 D. w  m4 t. F& G% J" R" o8．3．3 元器件属性的校验和更新 178
8．4 文件输入/输出 179
( t2 {" c2 B% E# N8．4．1 通用输入/输出 179
7 k" S$ v1 f2 E. \2 V" ]: |4 K8 J6 K8．4．2 输出到仿真工具 181
7 Q/ |5 H7 n, \; |) B+ B第9章 版图的创建与设置 183
9．1 创建版图模板 183
* \( N# A6 }6 H! B0 N9．1．1 版图模板定义 183
9．1．2 创建SiP版图模板 184
5 G4 C' x$ n2 Z0 x3 J9．2 创建版图项目 194
! b; O& _1 P1 h2 i) o' v' l" Y2 ^9．2．1 创建新的SiP项目 194
9．2．2 进入版图设计环境 195
9．3 版图相关设置与操作 196
3 [/ x, Q3 ]8 o' J4 L: z, O$ `9．3．1 版图License控制介绍 196
9．3．2 鼠标操作方法 197
6 i, E/ l$ l; i9 R* P5 M9．3．3 四种常用操作模式 199
9．3．4 显示控制（Display Control） 202
9．3．5 编辑控制（Editor Control） 207
9．3．6 智能光标提示 213
9．4 版图布局 213
6 Y% u+ R7 y7 ^$ m6 S' G1 W  @5 u9．4．1 元器件布局 213
9．4．2 查看原理图 217
9．5 封装引脚定义优化 218
1 x. L; [' L. M$ d0 A: @; W9．6 版图中文输入 218
第10章 约束规则管理 221
10．1 约束管理器（Constraint Manager） 221
) u, |' s. u) g/ ~: N10．2 方案（Scheme） 222
9 v3 ]7 q: C2 Q; d% d10．2．1 创建方案 223
& t' `1 S/ r8 p: l0 ]10．2．2 在版图设计中应用Scheme 223
10．3 网络类规则（Net Class） 224
10．3．1 创建网络类并指定网络到网络类 224
) m) {$ G; @; z, E10．3．2 定义网络类规则 225
10．4 间距规则（Clearance） 226
) w+ c. |. Z% H10．4．1 间距规则的创建与设置 226
, t2 H5 q7 F! s: [10．4．2 通用间距规则 227
4 b" N5 x$ \$ u6 l; V' X7 c10．4．3 网络类到网络类间距规则 228
10．5 约束类（Constraint Class） 229
10．5．1 新建约束类并指定网络到约束类 229
7 I/ q7 A6 O) ^/ Y! [+ ^! Q10．5．2 电气约束分类 230
10．5．3 编辑约束组 231
10．6 Constraint Manager和版图数据交互 232
( t" E& ]5 H5 [$ t10．6．1 更新版图数据 232
10．6．2 与版图数据交互 233
; T! N& t/ b% ?10．7 规则设置实例 233
4 ~. k7 o$ H2 y0 B. t2 I10．7．1 等长约束设置 233
10．7．2 差分约束设置 236
10．7．3 Z轴间距设置 237
( C! u& S- G: U第11章 Wire Bonding设计详解 239
11．1 Wire Bonding概述 239
* D; g; t) Q$ n# z  O6 z' D11．2 Bond Wire 模型 240
) t, ^6 @" G7 Z2 {9 M' R3 P+ n& W11．2．1 Bond Wire模型定义 241
5 x; D! \& L) c+ ~- [. k, B4 U11．2．2 Bond Wire模型参数 245
! o8 n. u) @1 x6 B! P# r- d) Q1 P0 {11．3 Wire Bonding工具栏及其应用 246
11．3．1 手动添加Bond Wire 246
" _! V" S3 Z9 c* P! q- s$ m* Z11．3．2 移动、推挤及旋转Bond Finger 247
11．3．3 自动生成Bond Wire 248
/ l& _: k' k6 M11．3．4 通过导引线添加Bond Wire 249
4 }9 |3 i9 ~9 x$ h4 y9 Q11．3．5 添加Power Ring 251
6 Q9 c$ |5 g, W& v! u5 R# ^11．4 Bond Wire规则设置 252
11．4．1 针对Component的设置 253
11．4．2 针对Die Pin的设置 256
11．4．3 在Die Pin和Bond Finger之间添加多根Bond Wire 258
0 C$ t5 }: q  C& ]5 b2 [7 H# L- t% k1 O11．4．4 从单个Die Pin扇出多根Bond Wire到多个Bond Finger 258
11．4．5 多个Die Pin同时键合到一个Bond Finger上 259
. n4 {. l& w3 D8 Q4 w11．4．6 Die to Die Bonding 259
11．5 Wire Model Editor和Wire Instance Editor 261
第12章 腔体、芯片堆叠及TSV设计 265
12．1 腔体设计 265
12．1．1 腔体的定义 265
) E! b0 t. a9 n3 N" H" K0 \12．1．2 腔体的创建 267
12．1．3 将芯片放置到腔体中 269
12．1．4 在腔体中键合 270
6 d: G6 ~' r" Q& n, R6 y3 d12．1．5 通过腔体将分立式元器件埋入基板 271
  o, t% A% `( n% y; o. m- u2 Z12．1．6 在Die Cell中添加腔体实现元器件埋入 273
12．2 芯片堆叠设计 275
( b: Z. F) A; ~6 D1 k, j( u  Z12．2．1 芯片堆叠的概念 275
0 u9 \8 v6 D8 V! l! R12．2．2 芯片堆叠的创建 276
9 e) d% L- u0 V; M1 D' Y12．2．3 并排堆叠芯片 277
12．2．4 芯片堆叠的调整及键合 278
12．2．5 芯片和腔体组合设计 279
12．3 2．5D TSV的概念和设计 281
0 u5 b% ?4 X1 F7 E12．4 3D TSV的概念和设计 281
12．4．1 3D TSV的概念 281
) o% T& ~- g" V) o9 c* p12．4．2 3D TSV Cell创建 283
2 Q# A/ ~6 L& M# [2 C12．4．3 芯片堆叠间引脚对齐原则 284
12．4．4 3D TSV堆叠并互联 284
12．4．5 3D 引脚模型的设置 286
6 u' M7 x% T" c; ~1 o# H6 U0 ]6 n# w12．4．6 网络优化并布线 287
12．4．7 DRC检查并完成3D TSV设计 289
5 w/ X& B0 e( e9 P4 A  R  E第13章 RDL及Flip Chip设计 291
4 D9 j( [0 ~2 |3 |5 ?3 W13．1 RDL的概念和应用 291
# f& P3 Z) m  O13．1．1 Fan-In型RDL 292
13．1．2 Fan-Out型RDL 293
7 n1 l) g8 R( }# p$ f' H4 C13．2 Flip Chip的概念及特点 294
13．3 RDL设计 295
13．3．1 Bare Die及RDL库的建立 295
2 j' S0 Y: X: _  C2 a( y13．3．2 RDL原理图设计 297
13．3．3 RDL版图设计 297
13．4 Flip Chip设计 301
1 e5 D, R3 m$ N; d( n4 O. F13．4．1 Flip Chip原理图设计 301
13．4．2 Flip Chip版图设计 302
2 ^  V1 E" [" O$ _1 N# i第14章 版图布线与敷铜 307
14．1 版图布线 307
14．1．1 布线综述 307
14．1．2 手工布线 307
  N% ~2 i. ?8 A6 Y2 Q4 w14．1．3 半自动布线 312
2 a1 |; g( X# N9 L0 {14．1．4 自动布线 315
) ^8 k6 k6 I( w5 e' @$ Y; F- J14．1．5 差分对布线 316
14．1．6 长度控制布线 319
# V- J) l/ M0 }# X- H; N14．1．7 电路复制 323
14．2 版图敷铜 325
14．2．1 敷铜定义 325
8 i# r3 Y3 `5 O$ K! R5 l- [14．2．2 敷铜设置 325
14．2．3 绘制并生成敷铜数据 328
) R! G; z5 Y( @6 v7 z14．2．4 生成敷铜排气孔 331
& `' |! c  n1 a' A14．2．5 检查敷铜数据 333
! M4 d/ F1 P" l6 U: R4 _( [; Y  V第15章 埋入式无源器件设计 334
& |( ^/ l7 S0 `% C& V1 T" A: Y$ V15．1 埋入式元器件技术的发展 334
15．1．1 分立式埋入技术 334
15．1．2 平面埋入式技术 336
15．2 埋入式无源器件的工艺和材料 336
# S3 B' ^& M- m* z15．2．1 埋入工艺Processes 337
8 d  @) A& q' }; h15．2．2 埋入材料Materials 342
* \1 c; O9 D: _+ w4 f# D15．2．3 电阻材料的非线性特征 346
15．3 无源器件自动综合 347
15．3．1 自动综合前的准备 347
9 c% a. B7 |8 R7 x+ {. R# T5 i+ e15．3．2 电阻自动综合 349
  G; I# v+ L. l# Z! l0 O15．3．3 电容自动综合 353
8 G  i4 y- G7 U9 k15．3．4 自动综合后版图原理图同步 357
3 f/ c) m2 F6 ^) }6 I第16章 RF电路设计 359
' C2 B) Z: u9 C! W+ }' ~16．1 RF SiP技术 359
16．2 RF设计流程 360
* ?% F5 G" b, P0 x; d2 r2 u16．3 RF元器件库的配置 360
16．3．1 导入RF符号到设计中心库 360
16．3．2 中心库分区搜索路径设置 361
' d: ~& f* H6 a% ^" P9 l) U16．4 RF原理图设计 362
. `! I% L/ D( Y  V( Z% \16．4．1 RF原理图工具栏 362
16．4．2 RF原理图输入 364
/ C9 Q- X* ~. c1 d) L5 N& h  }16．5 原理图与版图RF参数的相互传递 365
16．6 RF版图设计 368
, a; C5 h# q! T/ Z  B5 @. N9 p) l' }16．6．1 RF版图工具箱 368
8 o4 k/ l8 ], c1 S% \9 E5 r* D16．6．2 RF单元的3种类型 369
( b/ u5 e1 H- L3 ^9 H16．6．3 Meander的绘制及编辑 370
2 ?9 M: \/ ~5 E* N3 l16．6．4 创建用户自定义的RF单元 372
16．6．5 Via添加功能 374
16．6．6 RF Group介绍 376
$ z( D# X  N# y4 d, n( A5 i16．6．7 Auto Arrange功能 377
5 O" L0 j( g3 h2 N2 t3 X16．6．8 通过键合线连接RF单元 377
16．7 与RF仿真工具连接并传递数据 378
16．7．1 连接RF仿真工具 378
16．7．2 原理图RF数据传递 380
16．7．3 版图RF数据传递 381
8 {$ x3 n: R6 f5 ~# W; Y, d第17章 刚柔电路和4D SiP设计 383
17．1 刚柔电路介绍 383
7 `$ w; Q4 o( T17．2 刚柔电路设计 384
% a1 F$ Q7 w6 R: i; p' V; K17．2．1 刚柔电路设计流程 384
/ i0 S. [0 Y3 t* J5 {17．2．2 刚柔电路特有的层类型 384
  m% y* e( |8 A17．2．3 刚柔电路设计步骤 385
17．3 复杂基板技术 394
/ d- _2 ?; c+ A17．3．1 复杂基板的定义 394
3 K0 l& \( C6 c  D" d0 m17．3．2 复杂基板的应用 394
+ V6 _1 s7 Q+ h  ?$ b( i17．4 基于4D集成的SiP设计 395
17．4．1 4D集成SiP基板定义 395
17．4．2 4D集成SiP设计流程 396
17．5 4D SiP设计的意义 400
第18章 多版图项目与多人协同设计 401
" H& m8 g  j0 q6 s. z18．1 多版图项目 401
6 h0 v3 Q7 Y) F( j0 n18．1．1 多版图项目设计需求 401
6 S# \8 m8 _  O, N9 n- Y# O18．1．2 多版图项目设计流程 402
; ?, W# V% g1 S. _/ }, b" Y18．2 原理图多人协同设计 405
$ [) t: ~# {$ h2 g7 J8 E  t/ R18．2．1 原理图协同设计的思路 405
3 t7 t9 H4 k$ c( T. t18．2．2 原理图协同设计的操作方法 406
' q1 n# l' s/ }( U18．3 版图多人实时协同设计 409
18．3．1 版图实时协同软件的配置 411
8 G) a, h$ P1 |" x4 c& V4 ?- o18．3．2 启动并应用版图实时协同设计 412
第19章 基于先进封装（HDAP）的SiP设计流程 415
) \7 _) ^  U1 |/ i19．1 先进封装设计流程介绍 415
4 Y7 {9 q# K, N/ }19．1．1 HDAP设计环境需要的技术指标 415
) R/ L7 Z* l+ C7 m' F+ d& c19．1．2 HDAP设计流程 416
* Z0 ?% j" g" _1 f2 f( K19．1．3 设计任务HBM（3D+2．5D） 417
19．2 XSI设计环境 418
19．2．1 设计数据准备 418
- p( r/ l0 J5 X( b  W+ M19．2．2 XSI常用工作窗口介绍 419
19．2．3 创建项目和设计并添加元器件 420
$ Z3 f$ v' Z1 v# x% M! t# H19．2．4 通过XSI优化网络连接 428
9 s4 t" @7 L  N19．2．5 版图模板选择 429
& [; j( E+ @6 v, q/ j19．2．6 设计传递 431
- h" O. z1 E4 N$ Q7 _6 x5 [+ A19．3 XPD设计环境 432
) H" Y% j: `7 I0 I2 n/ Z$ c19．3．1 Interposer数据同步检查 432
  r8 E2 J& v& k) y% }7 B5 u/ f19．3．2 Interposer布局布线 433
19．3．3 Substrate数据同步检查 434
19．3．4 Substrate布局布线 435
19．4 3D数字化样机模拟 436
9 F. O: S2 t7 P$ z0 |3 q! r19．4．1 数字化样机的概念 436
19．4．2 3D View环境介绍 437
8 o  T! O% r  }% Z) `' o/ e6 B8 d19．4．3 构建HDAP数字化样机模型 438
第20章 设计检查和生产数据输出 444
20．1 Online DRC 444
: Y. n' H! L9 j- f/ r5 Q8 }- ?20．2 Batch DRC 445
6 P9 T9 D) H- ~" D20．2．1 DRC Settings选项卡 445
20．2．2 Connectivity and Special Rules选项卡 447
20．2．3 Batch DRC方案 448
; B; M/ o, z2 {2 Q! w) w20．3 Hazard Explorer介绍 449
+ k- d9 r* Q7 p! j9 g+ H20．4 设计库检查 453
20．5 生产数据输出类型 453
" E( m( m% M# F# G20．6 Gerber和钻孔数据输出 454
5 o8 {* U( b) F' @4 K" Z, S6 ^20．6．1 输出钻孔数据 454
20．6．2 设置Gerber文件格式 457
, E4 h) b; d) E/ g20．6．3 输出Gerber文件 458
: x! s% i$ s! n' G20．6．4 导入并检查Gerber文件 460
20．7 GDS文件和Color Map输出 461
& c% l& s; ]/ b5 O/ s20．7．1 GDS文件输出 461
20．7．2 Color Map输出 462
. ?2 p- w9 f( u7 A+ Q  D  y20．8 其他生产数据输出 463
8 f$ d: w, E+ l: p1 [6 V* D) k- t20．8．1 元器件及Bond Wire坐标文件输出 463
20．8．2 DXF文件输出 465
$ i: I$ h! K* O% k, i20．8．3 版图设计状态输出 465
- F6 s2 S3 q1 K3 U: p' q& @, i20．8．4 BOM输出 466
第21章 SiP仿真验证技术 468
* c' k2 {0 c) ~21．1 SiP仿真验证技术概述 468
" q, I& W) P/ V6 y2 W" L21．2 信号完整性（SI）仿真 469
21．2．1 HyperLynx SI 信号完整性仿真工具介绍 469
21．2．2 HyperLynx SI 信号完整性仿真实例分析 471
21．3 电源完整性（PI）仿真 476
+ b6 L9 x% b) k: _7 K5 f( |5 }21．3．1 HyperLynx PI 电源完整性仿真工具介绍 477
21．3．2 HyperLynx PI 电源完整性仿真实例分析 478
8 B! }2 }1 E# l  o* C( g! U21．4 热分析（Thermal）仿真 483
21．4．1 HyperLynx Thermal热分析软件介绍 484
21．4．2 HyperLynx Thermal热仿真实例分析 484
! e& f3 q# z4 T  J9 V/ _' J2 \1 X+ ?21．4．3 FloTHERM软件介绍 488
/ ?3 G; ~) |& A; C1 t21．4．4 T3Ster热测试设备介绍 489
21．5 先进3D解算器 491
21．5．1 全波解算器（Full-Wave Solver）介绍 491
21．5．2 快速3D解算器（Fast 3D Solver）介绍 491
. s+ N* r; l  U% ]+ r21．6 数/模混合电路仿真 492
21．7 电气规则验证 493
21．7．1 HyperLynx DRC工具介绍 493
# ?% x! \9 R+ R" f$ `21．7．2 电气规则验证实例 494
$ g% u/ J! ~% I! C7 O1 V7 u- J21．8 HDAP物理验证 499
* q5 c2 _3 K; k9 j% ]21．8．1 Calibre 3DSTACK工具介绍 499
$ P+ s5 N& ]7 f% h  V2 \! D7 y21．8．2 HDAP物理验证实例 500
7 O8 R+ ^. {1 ]第2部分参考资料及说明 506

; G8 b3 Z/ c8 n9 A0 `第3部分 项目和案例
第22章 基于SiP技术的大容量存储芯片设计案例 509
22．1 大容量存储器在航天产品中的应用现状 509
22．2 SiP技术应用的可行性分析 510
9 S" u7 \, X5 J22．2．1 裸芯片选型 510
22．2．2 设计仿真工具选型 512
/ n  o+ ~- @) o* u% ]22．2．3 生产测试厂家选择 512
& N% m* t6 V! B+ e6 ?22．3 基于SiP技术的大容量存储芯片设计 513
' P) b8 |4 M8 r5 i: j22．3．1 方案设计 513
22．3．2 详细设计 514
22．4 大容量存储芯片封装和测试 519
22．4．1 芯片封装 519
22．4．2 机台测试 522
22．4．3 系统测试 523
$ j4 K/ t, T( ~4 e6 t+ r22．4．4 后续测试及成本比例 523
22．5 新旧产品技术参数比较 525
第23章 SiP项目规划及设计案例 526
( B- `7 k  {9 F( @0 s% u; J23．1 SiP项目规划 526
+ V8 i3 _( ]+ c2 t; n0 n23．1．1 SiP的特点和适用性 526
. N/ |  }, O0 y/ r: E+ z! Q2 b4 o23．1．2 SiP项目需要明确的因素 529
23．2 设计规则导入 530
23．2．1 项目要求及方案分析 530
23．2．2 SiP实现方案 532
! u& t; D3 @  \7 L/ a1 i$ i23．3 SiP产品设计 534
4 y% K6 n2 ^7 |9 E2 m9 ~9 e0 S23．3．1 符号及单元库设计 534
23．3．2 原理设计 535
( E/ }% n& N+ C, F8 V23．3．3 版图设计 535
23．3．4 产品封装测试 538
第24章 2．5D TSV技术及设计案例 539
24．1 2．5D集成的需求 539
24．2 传统封装工艺与2．5D集成的对比 539
. c! A9 T7 N4 B- O/ y: W; s24．2．1 倒装焊（Flip Chip）工艺 539
24．2．2 引线键合（Wire Bonding）工艺 540
24．2．3 传统工艺与2．5D集成的优劣势分析 541
24．3 2．5D TSV转接板设计 542
- K2 A7 f9 T+ g8 S( E# X24．3．1 2．5D TSV转接板封装结构 542
, o! p8 R: X( j- ?8 g24．3．2 2．5D转接板封装设计实现 543
! A7 m1 L+ q* T24．4 转接板、有机基板工艺流程比较 544
24．4．1 硅基转接板 544
( T8 p" l4 H$ ^# i) X24．4．2 玻璃基转接板 545
24．4．3 有机材料基板 546
' u1 E* [6 {2 l# ]" O24．4．4 两种转接板及有机基板工艺能力比较 546
24．5 掩模版工艺流程简介 546
24．6 2．5D硅转接板设计、仿真、制造案例 547
24．6．1 封装结构设计 547
24．6．2 封装布线、信号及结构仿真 549
  V! y! O6 q9 {; W- }' b. ]8 W24．6．3 生产数据Tape Out及掩模版准备 552
24．6．4 转接板的加工及整体组装 553
- s9 O: w0 e9 p& h2 `第25章 数字T/R组件SiP设计案例 554
  f4 X# |2 d6 T* _3 ?25．1 雷达系统简介 554
25．2 SiP技术的采用 555
+ m1 a+ Y2 O! A% _: y0 e25．3 数字T/R组件电路设计 556
& y( B8 j& M; g3 U0 V9 e25．3．1 数字T/R组件的功能简介 556
  O& B; B1 c* L  C6 _" |25．3．2 数字T/R组件的结构及原理设计 557
- P6 o; [0 b, h9 ]& a$ X* n- b+ z( I6 A25．3．3 数字T/R组件的SiP版图设计 559
25．4 金属壳体及一体化封装设计 560
第26章 MEMS验证SiP设计案例 563
26．1 项目介绍 563
3 T- F3 }; l8 c6 W" A26．2 SiP方案设计 563
/ w  X! g4 ^, T2 v. P0 X$ T- N26．3 SiP电路设计 564
26．3．1 建库及原理图设计 565
26．3．2 SiP版图设计 566
26．4 产品组装及测试 571
第27章 基于刚柔基板的SiP设计案例 572
6 c. L3 Z3 r6 ]6 c, r# u27．1 刚柔基板技术概述 572
27．2 射频前端系统架构和RF SiP方案 573
27．2．1 微基站系统射频前端架构 573
27．2．2 RF SiP封装选型 574
27．2．3 RF SiP基板层叠设计 575
27．3 基于刚柔基板RF SiP电学设计仿真 576
+ r+ X5 G$ P' B" f$ b2 H27．3．1 信号完整性设计和仿真 576
27．3．2 电源完整性设计与仿真 579
" {, j' e) x. p6 R4 A" ]' K27．4 基于刚柔基板RF SiP的热设计仿真 581
; }1 J4 I, B1 d' L( ^) A27．4．1 封装结构的热阻网络分析 581
27．4．2 RF SiP的热性能仿真研究 583
27．5 基于刚柔基板RF SiP的工艺组装实现 587
& v9 b$ k0 U3 R- q6 ?第28章 射频系统集成SiP设计案例 589
28．1 射频系统集成技术 589
28．1．1 射频系统简介 589
& a" F  Q0 `# V- f28．1．2 射频系统集成的小型化趋势 590
28．1．3 RF SiP和RF SoC 592
28．2 射频系统集成SiP的设计与仿真 594
8 X7 ~' O( |6 [+ Y) j28．2．1 RF SiP封装结构设计 594
28．2．2 RF SiP电学互连设计与仿真 595
28．2．3 RF SiP的散热管理与仿真 597
28．4 射频系统集成SiP的组装与测试 598
28．4．1 RF SiP的组装 598
7 M; v6 P0 U( G& j* w, |  ~" Y/ G28．4．2 RF SiP的测试 599
第29章 基于PoP的RF SiP设计案例 602
6 a( N) g6 J3 J7 F29．1 PoP技术简介 602
29．2 射频系统架构与指标 603
6 @  m/ f" P9 {" z  ^% O1 H29．3 RF SiP结构与基板设计 606
" E3 F9 |& Q, ^+ L: G29．3．1 结构设计 606
! ]$ P' I$ y9 n29．3．2 基板设计 607
29．4 RF SiP信号完整性与电源完整性仿真 610
29．4．1 信号完整性（SI）仿真 610
# R  w% k) ?; s: s' c/ K8 _29．4．2 电源完整性（PI）仿真 610
29．5 RF SiP热设计仿真 612
( i$ [* Z+ a1 X$ M! B29．6 RF SiP组装与测试 613
) t0 ^( X* z" S7 a3 G9 W第30章 SiP基板生产数据处理案例 616
30．1 LTCC、厚膜及异质异构集成技术介绍 616
30．1．1 LTCC技术 616
30．1．2 厚膜技术 617
30．1．3 异质异构集成技术 617
- J) f% q/ Z0 H2 r# o2 N# V$ [30．2 Gerber数据和钻孔数据 618
30．2．1 Gerber数据的生成及检查 618
  p3 y% U' Z' d. d30．2．2 钻孔数据的生成及比较 621
' b) E+ |% M8 X( b* A30．3 版图拼版 622
30．4 多种掩模生成 624
30．4．1 掩模生成器 624
2 |; k5 r* _; f" L, l; e! O7 `30．4．2 掩模生成实例 626
# O8 p5 Q2 B) g* R' X- [. _3 G第3部分参考资料 630
2 b; s+ n/ ~) }: B) F后记和致谢 632