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ARM:SC2410与SDRAM:k4s561632c之间的数据信号仿真问题

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发布时间: 2010-2-3 21:11

正文摘要:

本帖最后由 Iphone 于 2010-2-3 21:13 编辑 / B  c( F8 N, z0 n2 f& ^9 B- _" _ 7 R; b1 F) b( k有哪位朋友用三星的ARM板设计过?——CPU:SC2410,SDRAM:k4s561632c,你们设计的CPU和SDRAM之间的时钟 ...

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jang2lin 发表于 2012-8-2 09:58
Iphone 可否把你的模型共享下7 }' m3 ?. }3 _0 g+ o4 r* v
chuxuezheyao 发表于 2012-7-21 08:05
楼主,问题怎么解决的?
$ J% G, l) J5 R我也有这样的问题,过冲没有你那么大(CPU:LPC3250,K4S561632C),但也超越门限值了,
6 m4 [) ?$ L7 D6 X" k" T* D' i通过仿真发现,要匹配至少47欧才能达到要求,而且要靠近SDRAM放置!- G4 V. G: b" h5 w' G- b; [8 [
cindy0924 发表于 2011-4-22 16:50
回复 wzh6328 的帖子
5 y1 b/ X: k# M3 ?+ p) x- P2 R" m% p6 `) G( n
标准参考不是应该上升时间1NS,走线长度在1INCH以内.不能单纯讲长度的吧
cindy0924 发表于 2011-4-22 16:44
我们的设计里,SDRAM没加过端接.我们一直做的三星的AP.
liuzhenyaEDA 发表于 2011-3-29 23:15
我也想这个问题呢
iversn 发表于 2010-2-27 23:24
学习一下,我也想设计ARM板,请问一下仿真是如何做的,用什么软件,要哪些模型,谢谢!
honejing 发表于 2010-2-7 22:54
不想加端接,就要調你的特性阻抗,Z0儘可能小些,过冲就不會那麼大。
wzh6328 发表于 2010-2-4 22:12
线长在2inch以下都可以不加,好像说不算做传输线
Iphone 发表于 2010-2-4 15:22
这种事情千万别参考别人的端接" t. `9 N! T* ]& L' Z% h
要以自己的实际情况为准& ~8 X. E- X* n+ _
有几种情况可能导致不一致,消除过冲的端接不要借 ...' G# z1 F- u' ~  s% b2 D0 `7 m# z
袁荣盛 发表于 2010-2-4 12:43

. E5 s  P4 M/ k: b6 \% e+ W! U2 e9 C7 Z) n5 j

, [' r+ r7 H, \' V    呵呵,谢谢您的建议!我理解您说的!
- ?8 N; |5 R8 I( |5 n4 ?在读状态的时候,SDRAM的输出阻抗只有7.8ohms左右,按理说需要端接电阻(当然大小要视您说的实际情况来定)来和传输线匹配,以消除反射;
+ g# n0 H6 H- l我只是很奇怪为什么前人设计的都没有加端接电阻呢?
袁荣盛 发表于 2010-2-4 12:43
这种事情千万别参考别人的端接* ?: m  U( e  W. m6 t
要以自己的实际情况为准; d' L; t+ r7 f  K: o0 u' d! h
有几种情况可能导致不一致,消除过冲的端接不要借鉴
! t; C. R" l* r6 P. H7 ~; z% V5 B/ ]! Z
首先叠层不一样,线宽不一样,导致阻抗不一样
/ R( l" u, x% F; W其次线长不一致
0 {  ?1 b1 ?: V- H6 m- T再者,可能驱动源的驱动能力选择不一样1 p, P; h$ W4 m  G& U5 I
种种情况表明端接要联系实际去解决9 R* d* \- R: Y7 v& S6 B
不要参考
Iphone 发表于 2010-2-4 09:51
呵呵,就是
. f. P+ q* V) E: D) R& P我是想加端接电阻,不过我看前人做的都没有加电阻,不知道有没有朋友设计过这款ARM呢?
袁荣盛 发表于 2010-2-3 22:39
这过冲忒大了点
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