THL 发表于 2019-12-18 19:07:426 o F" D. y! N3 }3 N+ T( t3 X 6G以上的话,不仅仅是容值的问题,常规的贴片封装电容都很难满足了,寄生参数的影响太大,很难在工作频段内保证去耦电路对芯片来说做到零电容的程度。 具体的相关计算你去参考一下李缉熙写的《射频电路工程设计》这本书,好像在射频电路书籍分享贴子里有下载。2 C D% t/ j- u3 c/ W 不过你看的时候里面的计算结果和公式最好自己也跟着推算一下,不要忙信各种数据结果,还是有一些翻译和编辑上的错误。3 j7 H, u, j! O' [( ]- u5 M4 G4 M/ m [/quote] 1 ^7 V1 @6 |4 t) b 好的 谢谢 |
本帖最后由 THL 于 2019-12-18 19:10 编辑 * Z* ~- d# J Zprain 发表于 2019-12-18 17:27! D* Y9 l' G# m; i, M# }2 k 6G以上的话,不仅仅是容值的问题,常规的贴片封装电容都很难满足了,寄生参数的影响太大,很难在工作频段内保证去耦电路对芯片来说做到零电容的程度。5 ?, c9 s, [2 }! I 具体的相关计算你去参考一下李缉熙写的《射频电路工程设计》这本书,好像在射频电路书籍分享贴子里有下载。 不过你看的时候里面的计算结果和公式最好自己也跟着推算一下,不要忙信各种数据结果,还是有一些翻译和编辑上的错误。 |
THL 发表于 2019-12-18 16:25:03 看你具体电路的工作频段吧,我看这个参考电路的去耦电容配置法,一般也就保证1GHz一下的工作性能,1GHz以上就很难说。* b# l7 B; Q- Y 这个芯片这种对称结构的设计,最好每一边的电源管脚都能就近配置小容值去耦电容,因为小容值电容的去耦半径更小,工作频率越高越需要这么做,这也是我会得出上面结论的原因。1uf这么大的一般丢到这一个电路的电源总入口处 [/quote] 那要做6-18g配置多大电容比较好呢, \4 z# \) Y) J# L |
cariban 发表于 2019-12-18 16:15:13- u6 y2 L3 P1 e https://docs.broadcom.com/docs/AV02-0243EN datasheet里说得很清楚了,底部的pad就是GND,大功率芯片基本都是这种设计,方便散热。, C) G W( T* O- _0 ^ 参考电路注释说了,Pin 2 和Pin 6, Pin 1 和 Pin 7, 两者在芯片内部是连接的,外部连接可以二选一。推荐即使不连的管脚也放一个100pF的电容防止串扰。 ^* l5 K# m9 u3 T* R( w; T 建议楼主把这个链接里的文档都过一遍,你需要的答案都在这里面# E. ]5 X: q' L3 l7 B https://www.broadcom.com/site-search?q=ammp-6408! Z% v* V' A+ Q6 }; ~8 V2 p$ [ ; }* Q; N/ k( y 1 R) p; Y5 ~: _7 h! n0 w2 W; ?3 i [/quote]5 Q3 y3 v: F0 O , b0 J6 m2 |' r% [, b4 n. Z 好的 万分感谢/ I# W* Q( p) p4 H |
prain 发表于 2019-12-18 15:38+ x- t7 g; r9 P j% g- S 看你具体电路的工作频段吧,我看这个参考电路的去耦电容配置法,一般也就保证1GHz一下的工作性能,1GHz以上就很难说。7 m( ]* K9 |- Z5 Q! V 这个芯片这种对称结构的设计,最好每一边的电源管脚都能就近配置小容值去耦电容,因为小容值电容的去耦半径更小,工作频率越高越需要这么做,这也是我会得出上面结论的原因。1uf这么大的一般丢到这一个电路的电源总入口处 |
THL 发表于 2019-12-18 14:42:10: o0 d9 F& `, ~/ G! ] 这样啊,那这两个电容就是引脚7的旁路电容了,但引脚1也是Vgg,需要添加和引脚7一样的电容吗。或者说有两个-0. 8V电源分别给这两个引脚供压,只是这上面没画出来。8 k( T- @1 m& i+ V' y) G |
画错了嘛,是人就会出错的 : A/ o& n& C) K- Y+ W9 T( j7 R, g看起来你框住的那根线应该是多余的 |
cariban 发表于 2019-12-17 18:27:31! l1 s( ?1 B& |6 L7 H+ D) W0 O 刚好合适。。能说说它怎么连吗,拜托了9 H; S: _% ~$ o# ] |
| 这个芯片已经是obsolete了,你确定要用它? |
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