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关于mmic的偏置电路

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发布时间: 2019-12-17 14:47

正文摘要:

如图,这是AMMP-6408的偏置电路,画圈这里的线是连接到芯片下面的ExposedPad吗,那EP还要接地吗

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prain 发表于 2019-12-19 09:12
THL 发表于 2019-12-18 19:07:426 o  F" D. y! N3 }3 N+ T( t3 X
本帖最后由 THL 于 2019-12-18 19:10 编辑 2 o  ~0 r* I, Y# F8 j

: a$ f, L/ [0 R[quote]prain 发表于 2019-12-18 17:273 g0 K! x" }, |
看你具体电路的工作频段吧,我看这个参考电路的去耦电容配置法,一般也就保证1GHz一下的工作性能,1GHz以 ...
$ g' Q5 A3 a' j2 P" [! `5 G& d  ?3 u
6G以上的话,不仅仅是容值的问题,常规的贴片封装电容都很难满足了,寄生参数的影响太大,很难在工作频段内保证去耦电路对芯片来说做到零电容的程度。
9 v. i, v5 [: I3 e" c具体的相关计算你去参考一下李缉熙写的《射频电路工程设计》这本书,好像在射频电路书籍分享贴子里有下载。2 C  D% t/ j- u3 c/ W
不过你看的时候里面的计算结果和公式最好自己也跟着推算一下,不要忙信各种数据结果,还是有一些翻译和编辑上的错误。3 j7 H, u, j! O' [( ]- u5 M4 G4 M/ m
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好的 谢谢
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THL 发表于 2019-12-18 19:07
本帖最后由 THL 于 2019-12-18 19:10 编辑 * Z* ~- d# J  Z
prain 发表于 2019-12-18 17:27! D* Y9 l' G# m; i, M# }2 k
看你具体电路的工作频段吧,我看这个参考电路的去耦电容配置法,一般也就保证1GHz一下的工作性能,1GHz以 ...

: L5 g1 O# S  [% x$ N6G以上的话,不仅仅是容值的问题,常规的贴片封装电容都很难满足了,寄生参数的影响太大,很难在工作频段内保证去耦电路对芯片来说做到零电容的程度。5 ?, c9 s, [2 }! I
具体的相关计算你去参考一下李缉熙写的《射频电路工程设计》这本书,好像在射频电路书籍分享贴子里有下载。
& ]* I. E9 I7 G" t: D+ m7 ^不过你看的时候里面的计算结果和公式最好自己也跟着推算一下,不要忙信各种数据结果,还是有一些翻译和编辑上的错误。
2 g' G% ]% A" }7 O! W/ C6 f
prain 发表于 2019-12-18 17:27
THL 发表于 2019-12-18 16:25:03
& B. }6 f. r. v' y; }[quote]prain 发表于 2019-12-18 15:38' w: P# Y! S2 B! [2 k3 r4 ^$ N
这样啊,那这两个电容就是引脚7的旁路电容了,但引脚1也是Vgg,需要添加和引脚7一样的电容吗。或者说有 ...
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看你具体电路的工作频段吧,我看这个参考电路的去耦电容配置法,一般也就保证1GHz一下的工作性能,1GHz以上就很难说。* b# l7 B; Q- Y
这个芯片这种对称结构的设计,最好每一边的电源管脚都能就近配置小容值去耦电容,因为小容值电容的去耦半径更小,工作频率越高越需要这么做,这也是我会得出上面结论的原因。1uf这么大的一般丢到这一个电路的电源总入口处
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7 }- P7 \: g6 P! g+ y8 y: W那要做6-18g配置多大电容比较好呢, \4 z# \) Y) J# L

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THL
6G以上的话,不仅仅是容值的问题,常规的贴片封装电容都很难满足了,寄生参数的影响太大,很难在工作频段内保证去耦电路对芯片来说做到零电容的程度。 具体的相关计算你去参考一下李籍熙写的《射频电路工程设计》这  详情 回复 发表于 2019-12-18 19:07
prain 发表于 2019-12-18 17:27
cariban 发表于 2019-12-18 16:15:13- u6 y2 L3 P1 e
本帖最后由 cariban 于 2019-12-18 16:20 编辑
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1 M$ X% P$ W" g5 b5 z[quote]prain 发表于 2019-12-18 15:38
% n& ~! X$ [( M这样啊,那这两个电容就是引脚7的旁路电容了,但引脚1也是Vgg,需要添加和引脚7一样的电容吗。或者说有 ...

9 g9 t4 U. P4 f% J- A) ?" s' Fhttps://docs.broadcom.com/docs/AV02-0243EN
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2 d; _, P) K+ c% s7 l. S5 Edatasheet里说得很清楚了,底部的pad就是GND,大功率芯片基本都是这种设计,方便散热。, C) G  W( T* O- _0 ^

! q# s' N& x/ r- w* {! `参考电路注释说了,Pin 2 和Pin 6, Pin 1 和 Pin 7, 两者在芯片内部是连接的,外部连接可以二选一。推荐即使不连的管脚也放一个100pF的电容防止串扰。
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$ M0 a3 i( b7 v( `9 b% x  ^* l5 K# m9 u3 T* R( w; T
建议楼主把这个链接里的文档都过一遍,你需要的答案都在这里面# E. ]5 X: q' L3 l7 B

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好的 万分感谢/ I# W* Q( p) p4 H

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THL 发表于 2019-12-18 16:25
prain 发表于 2019-12-18 15:38+ x- t7 g; r9 P  j% g- S
这样啊,那这两个电容就是引脚7的旁路电容了,但引脚1也是Vgg,需要添加和引脚7一样的电容吗。或者说有 ...

& m- z  o+ i# v" D- e4 m) ~看你具体电路的工作频段吧,我看这个参考电路的去耦电容配置法,一般也就保证1GHz一下的工作性能,1GHz以上就很难说。7 m( ]* K9 |- Z5 Q! V
这个芯片这种对称结构的设计,最好每一边的电源管脚都能就近配置小容值去耦电容,因为小容值电容的去耦半径更小,工作频率越高越需要这么做,这也是我会得出上面结论的原因。1uf这么大的一般丢到这一个电路的电源总入口处
  F* g' l# X! P/ O& l0 B
prain 发表于 2019-12-18 15:38
THL 发表于 2019-12-18 14:42:10: o0 d9 F& `, ~/ G! ]
画错了嘛,是人就会出错的$ ?6 G9 s0 w+ M% z
看起来你框住的那根线应该是多余的

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2 @, W1 f2 |4 s2 \8 {  N7 @$ `. {这样啊,那这两个电容就是引脚7的旁路电容了,但引脚1也是Vgg,需要添加和引脚7一样的电容吗。或者说有两个-0. 8V电源分别给这两个引脚供压,只是这上面没画出来。8 k( T- @1 m& i+ V' y) G

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看你具体电路的工作频段吧,我看这个参考电路的去耦电容配置法,一般也就保证1GHz一下的工作性能,1GHz以上就很难说。 这个芯片这种对称结构的设计,最好每一边的电源管脚都能就近配置小容值去耦电容,因为小容值电  详情 回复 发表于 2019-12-18 16:25
https://docs.broadcom.com/docs/AV02-0243EN datasheet里说得很清楚了,底部的pad就是GND,大功率芯片基本都是这种设计,方便散热。 参考电路注释说了,Pin 2 和Pin 6, Pin 1 和 Pin 7, 两者在芯片内部是连接  详情 回复 发表于 2019-12-18 16:15
THL 发表于 2019-12-18 14:42
画错了嘛,是人就会出错的: A/ o& n& C) K- Y+ W9 T( j7 R, g
看起来你框住的那根线应该是多余的
prain 发表于 2019-12-17 22:28
cariban 发表于 2019-12-17 18:27:31! l1 s( ?1 B& |6 L7 H+ D) W0 O
这个芯片已经是obsolete了,你确定要用它?

* z1 r( [0 Z/ ^* n! p4 `' I
' ]2 `( \# w0 U  u1 A7 v刚好合适。。能说说它怎么连吗,拜托了9 H; S: _% ~$ o# ]

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cariban 发表于 2019-12-17 18:27
这个芯片已经是obsolete了,你确定要用它?
prain 发表于 2019-12-17 16:56
还有引脚1和引脚7闯过RFin那根线怎么做,一般是背线还是跳线呢

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