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Boost电路参数的一些问题

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Joen0_0

发布时间: 2019-6-8 20:39

正文摘要:

2 c. W0 ?: E Y+ U9 I2 w% o4 X! ^% U* j! E7 }; { K 但我在TI上随便翻了一个boost的datasheet，TPS61256，效率高达93% " z2 i# k' ~1 g2 R5 l7 I7 a+ g/ y' h) z; I" }( d, k4 a 所 ...

yff014250 发表于 2019-9-16 10:14

看一下电路分析

anguchou 发表于 2019-9-16 09:23

:):)

mgcz5566 发表于 2019-6-14 10:42

感谢分享

付显品 发表于 2019-6-13 00:19

学习

“来自电巢APP”

付显品 发表于 2019-6-13 00:18

感谢分析

“来自电巢APP”

Joen0_0 发表于 2019-6-11 12:13

jacky401 发表于 2019-06-10 22:16:39
7 [2 U6 U' T! ^1 e' s( ^请参见：https://www.eda365.com/thread-211440-1-1.html

多谢????

“来自电巢APP”

sunny哥 发表于 2019-6-11 10:30

学习

jacky401 发表于 2019-6-10 22:16

请参见：https://www.eda365.com/thread-211440-1-1.html

Joen0_0 发表于 2019-6-10 21:59

curry_wang 发表于 2019-6-10 10:17
1 |5 h' x0 Z0 f- z3 o+ O3 D. Q2 N感觉很有道理样；1. boost电路电感充电的时候，电流是经过MOS到GND的。但是大部分能能量都存储在电感上。- ?5 Z& l8 d, e! l) E' a
...

哦哦，想明白了，看到这个波形，第一反应是，电流这么大流进GND，效率不是很低~~！
没转过弯来，大电流虽然流进GND，但是功都做在电感里了，晚点翻一下资料贴上来！
多谢

上山砍柴 发表于 2019-6-10 15:48

学习学习

curry_wang 发表于 2019-6-10 10:17

本帖最后由 curry_wang 于 2019-6-10 10:26 编辑

感觉很有道理样；1. boost电路电感充电的时候，电流是经过MOS到GND的。但是大部分能能量都存储在电感上。
2. 损耗的能力主要是电感的DCR，MOS的导通开关损耗。
3. 效率一般实测，输出功率比上输入功率。所以减小损耗，低电流用PFM,大电流PWM等等来提升效率。

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Joen0_0

哦哦，想明白了，看到这个波形，第一反应是，电流这么大流进GND，效率不是很低~~！没转过弯来，大电流虽然流进GND，但是功都做在电感里了，晚点翻一下资料贴上来！多谢详情回复发表于 2019-6-10 21:59

hyz12888 发表于 2019-6-10 08:24

学习

wu6886 发表于 2019-6-10 02:17

看看

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