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从工程经验来说:考虑到电源线一般比较长,途径的器件多。 - [, T" R w# u7 W( z 1、Vcc星型拓扑的主节点处最好放置一个大容量的电容器,如2.2μF。有条件时,同时要加上10nf和对应频率的小电容, 在电源接芯片管脚处一定要再加上一个高频小电容,至少要一个。一般电源线两端的电容组合是 【2.2uF+10nF(+10pF' y6 h: `4 ? f1 {5 } ),10pF(+10nF)】1 A' x: E: N3 K$ v. L 2、考虑到电容的容值精度误差之类的,尽量要远离而不属于接近SRF。 |
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0 f% X* A: w/ I+ s ! [ I* l9 Z7 F& `2 t0 b$ I 1 U5 z* B+ C# i3 r+ \4 {3 _ ) b1 Z% Q0 g/ P8 w1 t9 v2 b9 \ " @5 L7 ]1 w; |6 u$ s/ D. l( ^ ' m S. A% V" u( ?. X5 m2 p ; a$ [* F W s2 K) @& i 9 l& B( K3 Q# r' U 66666666666666666 |
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看看。 |
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本帖最后由 funeng3688 于 2018-12-26 10:10 编辑 很好的内容!- e+ m8 i2 U! W2 _0 r- O 层叠结构方面,在射频区域不需要电源平面,只布电源线。 理由是,电源无论如何干净,总是有噪声的,这种噪声不能耦合入LNA,否则接收灵敏度会出问题。 电源噪声也不能进入PLL电路,产生相噪,导致EVM超标。 |
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