ykwym 发表于 2018-7-25 09:22
! }4 o; x2 b. J2 I那个差异几乎可以忽略不计。

噢~

we167527 发表于 2018-7-24 19:31
是不是可以理解为是为了妥协！
100Ohm的。做85Ohm是为了更容易制作。
但是100Ohm信号比85差不了多少。 ...

那个差异几乎可以忽略不计。
" U# ]& W2 m- s/ s. g# g' P; S

ykwym 发表于 2018-7-23 09:54
, }% T4 p, b. m当然可以100OHM，不过你会发现更多层的时候85OHM更容易实现。

是不是可以理解为是为了妥协！
100Ohm的。做85Ohm是为了更容易制作。
2 T3 n2 G; y8 x7 J但是100Ohm信号比85差不了多少。但是会比85Ohm好？
; {! E; N* S+ t$ v

当然可以100OHM，不过你会发现更多层的时候85OHM更容易实现。

Aubrey 发表于 2018-7-19 10:58
% k* r7 F$ D4 t* w: X, ?这个跟DDR3到底要走fly-by拓扑还是T型拓扑结构的选择道理一样，有专门的说明就按要求来协议规定确实是这 ...

我想问这是为什么？
6 G5 d2 M" d; e+ n1 y0 z  c为什么要怎么做阻抗？
1 m1 f+ m2 M. F

we167527 发表于 2018-7-16 08:15
6 }+ }6 G! y( y3 ]- v6 s( Y2 I谢谢！这个贴没回答为什么会不同层数。设计的阻抗要不同呢？
单根50欧姆。差分100欧姆这难道不是固定的 ...

这个跟DDR3到底要走fly-by拓扑还是T型拓扑结构的选择道理一样，有专门的说明就按要求来协议规定确实是这样：
7 O5 E# P' n8 V  I3 x6 x/ A0 d0 P
3 j0 U  E$ |, e; ^1 E  Z* l PCI Express layout guide.pdf (491.08 KB, 下载次数: 1)

2018-7-19 10:57 上传

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学习一下

Aubrey 发表于 2018-7-13 19:14
7 t$ ~! m# A3 o先把这篇看懂
" b# \2 j0 ^# V! {$ Rhttps://www.eda365.com/forum.php?mod=viewthread&tid=55684&highlight=POLAR

: x( S7 [" i# F2 U谢谢！这个贴没回答为什么会不同层数。设计的阻抗要不同呢？
单根50欧姆。差分100欧姆这难道不是固定的吗？

V-zhong 发表于 2018-7-13 15:19
# {" R1 \# k4 O/ _4 @* _  G+ x阻抗跟层厚有关哦

9 I$ r( L5 T8 d请问具体是为什么？该如何计算呢？
一般不都是规定单根50欧姆。差分100欧姆吗？
9 T1 l$ L/ |8 @+ s' b) W

8 r6 s, n5 Z6 |

先把这篇看懂
https://www.eda365.com/forum.php? ... amp;highlight=POLAR
+ n1 \- e1 Q" P; r/ q% S

阻抗跟层厚有关哦