本帖最后由 超級狗 于 2018-5-5 23:48 编辑 % ^) ^1 A+ h1 I4 U1 m& `3 |$ Cbaijin232911 发表于 2018-5-5 14:38 以前的閃存 Vpp 都要加 12V 高電壓才能做清除或寫入,現在的閃存 Vpp 可以加 Vcc 的電壓就能寫入,只不過有些閃存仍保留 Vpp 加高電壓能加速清除或寫入的功能。6 `3 V" m3 q2 c! K 8 {" V! t, l( m [$ [; P) L. F- c 外接萬用燒錄器通常會這樣設計,因為我沒有你的原理圖,不知到電路上是否有 Vpp 高壓的設計,所以做一下提醒(怕電壓過高把新型號的閃存弄壞了)。原則上 Vpp/WP# 有接 Vcc 就可以,清除及寫入會慢一些罷了。 S: o) N E5 v, T 另外請教一件事,0xE0040000 是系統中閃存起始的位址嗎?我只是要確認,是不是寫入第一個 Byte 或 Word 就發生問題了。1 f) W6 n/ M8 V' j* z0 Y+ _ ![]() |
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baijin232911 发表于 2018-5-5 14:38 哈!如果只有一塊板子這樣,那極有可能是有高位址(High Address)銲接不良。+ j' {- w8 Y5 U9 o& B K4 B0 s, A 因為讀取 CFI、下 Commanad Erase ……都只要低位址(0x555 或 0xAAA),所以 Link 階段及 Erase 可以成功。低位址的 Sector 也都能寫入,但到高位址就失敗了。3 V0 S4 n% ~+ y/ a' a $ F/ k& N: r; q |
超級狗 发表于 2018-5-5 11:21) V$ l9 w/ K A5 {% ?3 ? 超级狗,有个问题请教一下:擦出电压不同,这点我没有注意,也不是很理解,如果按照数据手册描述,这个电压是从哪里来的呢?板子上没有这么高的电压。如果是这点导致的,怎么做相应的修改呢。准备再换一块试一下,先排除一下焊接的问题。 |
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本帖最后由 超級狗 于 2018-5-5 12:50 编辑 3 \) Y5 H: N7 b4 Z+ o3 d + z; z8 h% t# t MT28EW VHH Recommendation3 x9 N: k6 `9 q3 T2 D) w0 o2 r 9 \8 K; C8 a4 x* R6 `" ^ 呵~規矩還挺多的! ![]() . h5 H1 \! }* {8 D |
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baijin232911 发表于 2018-5-5 09:23# w: ?4 i3 ]! Q' k' w 還有一個提醒︰ 容量從 512M bit 變成 1G bit,當初 PCB Layout 有多留一條 Address 訊號 A25 吧? ![]() " C) S) s' h' L |
本帖最后由 超級狗 于 2018-5-5 12:37 编辑 baijin232911 发表于 2018-5-5 09:23; ~$ X, t6 z+ Y. [ }$ U 加速寫入及擦除電壓也不同!: x8 J( ~. v1 ^1 Z4 `2 ]* W# a ( u. s7 ^. l, { ![]() |
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MT28EW01GABA1LJS VHH Voltage.jpg (100.38 KB, 下载次数: 6)
超級狗 发表于 2018-5-5 10:44 谢谢,资料很到位。我再看一下,把blank check 做一下。5 H1 W0 B' I |1 c5 f5 W |
baijin232911 发表于 2018-5-5 09:20 擦除成功只是檢查 Erase Complete bit 回應工作完成,你最好執行 Black Check 確認。 ![]() / V7 A/ E2 d0 X( |4 n1 c Q |
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