CStaller 发表于 2015-6-26 18:36
我估计至少mH级的，额定5A电流左右，体积不会小。。。
  A: q+ b7 m' r) [% K具体参数可以仿真一下，或者试一下

使用一个2000uH/1A的电感测试过，确实对冲击电流有很大抑制作用，但是同时也有2个问题：1、电感体积过大。测试用的2000uH/1A电感体积就已经过大了，如果要选择2000uH/4A左右的电感，那么体积就更大了，不可接受。
2、电感直流阻抗过大。2000uH/4A左右的电感，直流阻抗RDC可达几个Ω，导致输出压降太大，也不能接受。
所以，在我们的电路中，使用电感来抑制冲击电流的方案行不通，只能另辟蹊径了。


3 h$ Q2 m2 Y4 Q5 n3 c5 [2 X

斯坦隆平 发表于 2015-6-23 08:37
使用软启动应该可以的吧，管子2 3脚并联启动电阻。

9 q& _1 [2 C8 `" Y. `! c! |! b电路本来就带有缓启动，G极控制信号是采用PWM来控制的，有20多个ms的爬坡时间。
% r5 n! ]8 y0 J: n电路的后级通过连接器直接输出，挂的是液晶屏LED模组，这种LED模组本来就是容性的，所以就会导致上电时的冲击电流。现在我们就要抑制这个冲击电流。
4 g  L0 k. H  D( L: n# }5 v这个电路后级接阻性负载，是没有冲击电流的，这个已经测试验证过。
后面串一个电感，这个冲击电流也没有减小优化，基本上没有改善效果。
0 ?# w: v) N- t8 H

: U# l: ]! v/ v

cmg227 发表于 2015-6-15 16:31
为什么是N管呢，你确定能完全打开？

: h# q# ~5 z+ |$ D+ \+ rG极使用了升压电路，可以满足GS之间的压差要求，可以正常打开NMOS。
6 t& T% y, p$ Z& B1 g: A之所以选择NOMS，而不使用PMOS，是因为一般PMOS的导通阻抗RON都比较大，NMOS的小些。
4 U% ]% L: {8 I+ A( q

PTC  电阻来解决

上次用稳压电源测的，一个220uF的电容上电冲击电流最大多到了40/50A，不过我用的是48V转15V电路，前面接了个50欧的2512电阻。  也有48V的并联电容不多他上电冲击抑制。

串电感呗

在NMOS前面串电感试试

在管子两端并联一个电阻，较合适的电阻规格500ohm/5w；这样可以避免你说的问题；或者可以加个限流支路，限制无功充电电流。

串聯電感是最好的選擇，但是要試驗感值大小。 buck電路就是利用電感限流；

光辉 发表于 2015-6-26 11:23
那应该怎么选择电感呢？一般需要选择多大的电感？
  [( ]4 I8 H4 O! o受单板空间的限制，电感的体积不能太大。

3 N) E" W0 c2 Z7 }- a, @- S我估计至少mH级的，额定5A电流左右，体积不会小。。。
- r; |! {% k5 K4 E具体参数可以仿真一下，或者试一下

CStaller 发表于 2015-6-24 14:06
: x7 e8 p% L! n: j7 c估计你加电感太小了，要仔细看电感参数，不要饱和了

那应该怎么选择电感呢？一般需要选择多大的电感？
受单板空间的限制，电感的体积不能太大。
8 s' P6 L' F3 n9 h1 T6 b

斯坦隆平 发表于 2015-6-26 08:41
/ w6 d$ t6 x- W) \" l对应用有影响吗，这应该是正常情况

6 {' G& k7 K4 F9 Z% t0 D有影响，电路要求有电流检测和过流保护功能，上电时的冲击电流，会导致电路误保护和过流告警。

光辉 发表于 2015-6-23 09:56
电路本来就带有缓启动，G极控制信号是采用PWM来控制的，有20多个ms的爬坡时间。
电路的后级通过连接器直 ...

( @  |# }1 v& ?. Y6 W估计你加电感太小了，要仔细看电感参数，不要饱和了