indenpendence 发表于 2015-3-19 12:00
+ B# C4 v' }6 H, _' _- h顺便也讨论下emmc，现在用的比较多啊，也是有很多NC引脚的...

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liaotingkang1 发表于 2015-3-21 10:27
8xNAND使用CE1 可以不接了，

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超級狗 发表于 2015-3-20 13:40
一般 IC 上不使用的管腳定義有幾種︰

8xNAND使用CE1 可以不接了，
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超級狗 发表于 2015-3-20 13:40
3 t/ U4 P1 G. p/ s5 k  X; d4 k5 ?一般 IC 上不使用的管腳定義有幾種︰

曾經有一群人，擅自作主將DNU（Do Not Ｕse）接到GND，要加強 BGA 和 PCB 之間落下拉力，結果死板成堆。

fangxiaoyan 发表于 2015-3-19 10:03
5 G7 R9 V+ ]3 s" y) I楼主,这样理解对么?1.一个nand里有2个die,如图2所示，这种nand进行多片同时编程(Simultaneously Program  ...

一般 IC 上不使用的管腳定義有幾種︰
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• NC（No Connection or Not Connected）
  ) o2 \/ ^+ c8 ]# x9 y- t管脚沒接到內部芯片，這種管脚通常接不接信號都無所謂。
• RFU (Reserved  for Future Use)
  * W3 }/ w$ W6 ~# h目前管脚未使用，但未來功能擴充時可能會用到，建議不要使用以保持彈性。這種管脚通常接不接信號也無所謂！
• DNU（Do Not Ｕse）
  : \. m) W; |5 a8 p" M0 f管脚對使用者來說可能用不到，但芯片廠或設計者用得到，例如生產測試或偵錯模式。這種管脚通常禁止接任何東西，接了可能會死人。
  

fangxiaoyan 发表于 2015-3-19 10:03
( {, X9 b, [* M/ D! @楼主,这样理解对么?1.一个nand里有2个die,如图2所示，这种nand进行多片同时编程(Simultaneously Program  ...

$ D( l: v; Y' ^  k: a& n是問我嗎？發帖人才叫樓主吧？
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• NC 對芯片就是空接的意思，你接不接訊號大多沒有影響。
• 兩個芯片堆疊（Stack）的封裝，最主要是早期製程還不是那麼先進，大芯片良率不佳的狀況下，又想增加如容量的作法。例如，如果現在製程最大只能做到 2GB 的容量，有人想要用 4GB 但又沒有空間放兩顆封裝的狀況下，堆疊芯片（Stack Die）就是一個不錯的選擇。
• 雙平面（2 Plane）和堆疊芯片（Stack Die）的概念類似，唯一的差別是堆疊芯片（Stack Die）是多顆芯片組合而成的。雙平面（2 Plane）是一顆芯片，半導體設計時把內部分割成兩個區域，猶如兩顆芯片在其中。
• NC 管腳的位置據我所知，每家閃存芯片廠大致相同，但並沒有強制的標準或規定。不同供應商間，可能還是有少數幾個管腳的差異，設計上若是要多家供應商兼容，各供應商的管腳定義還是要仔細核對一下。
  

你用的是一个die的，所以有很多NC引脚，同样有兼容的两个die的，楼主用的Nandflash小心停产，

超級狗 发表于 2015-3-18 23:05

有的 NAND 閃存是兩個芯片疊起來的封裝，會多出一組 CE 和 R/B 管腳。

三爽（Samsung）曾經出過 1 ...

; C- k9 {# V' C* c1 G' g顺便也讨论下emmc，现在用的比较多啊，也是有很多NC引脚的...

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• 有的 NAND 閃存是兩個芯片疊起來的封裝，會多出一組 CE 和 R/B 管腳。
• 三爽（Samsung）曾經出過 16 bit I/O 的 NAND 閃存，容量是沒較大、但匯流排（Data Bus）變大；資料（Data）吞吐量變大、讀寫速度跟著變快。不過 16 bit I/O 的 NAND 閃存後來並沒有流行起來，因為 NAND 閃存速度，最主要並不是卡在資料進出的時間，而是卡在閃存內部寫入（Write）和抹除（Erase）的時間。2 Plane 架構的 NAND 閃存，能讓內部的兩個區塊交替（Interleave）作業，不用增加管腳也能加快速度。
• MLC 和 TLC 有時候需要較多的接地管腳，以減低工作時產生的雜訊，避免干擾（Disturb）造成內部資料錯誤＊
  

. {: e# B3 S) c1 t& y3 k/ _! K% r綜合上述諸多因素，NC Pin 就一大堆了。

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我也纳闷，一般IC生产后，厂家会做更新？既然NC了干嘛不直接去掉这几个引脚