joy_show_wb 发表于 2015-2-2 09:39! C: |# @1 Y9 p( `+ M* w8 p 没啥问题,负载电流比较小的时候,二极管的压降很小,3.9V也算是正常。 当负载电流变大的时候,二极管的压降增大,会接近3.4V。: x, t9 V2 M2 Y4 l 话说,现在LDO也很便宜了,才0.15RMB,至于这麽抠门么? |
fallen 发表于 2015-2-2 10:31 哈哈!我目前是跟着学硬件!有很多不懂的,慢慢在学习。 还有我等下去问下为什么这么抠门..........哈哈' c% l0 x2 W. B0 u, P. R |
| 真省,负载决定电压 |
| 3.3V是供給什麼負載在用的?這樣的設計應該是在COST DOWN... |
| 你不会用这个在产品上面吧 会害死人的 |
| 不明白为啥不用LDO才几毛钱而已,你这一个MOS管就2.3毛钱了,省不了成本,还一堆元件占位置 |
| 我觉得这样是在给工程师自己找麻烦。 |
| 如果负载变化不大,就可以使用。 |
再打样一次![]() |
| 这个是二极管的特性决定的,轻负载和大负载的时候,压降是不一样的。 |
| 1N4001的管压降和电流有关,详见相关手册,当电流在800-900mA时大约压降是0.85V,2个正好1.7V输出3.3V |
感谢楼主分享,学习了![]() |
| 你带负载测,如果还是3.9的话那你还得想办法所他降到3.3V,现在看来这个3.3V原理图设计不合理,后面调试时要进行改进。 |
| 我认为是利用两个二极管的压降。硅管压降大概是0.6~0.7V,锗管大概是0.2~0.3V。 |
| 电路有问题的 |
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