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如何抑制多电容并联反谐振峰

2024-5-20 16:09| 查看: 66| 评论: 0

摘要: 在进行电源EMI滤波器设计时,我们常常需要使用多个电容并联去满足总的电容容值,从而达到滤波器插损要求。然而在实际应用中,当用不同容值的电容去并联时,电源传导测试时有时会出现谐振峰,这是由于什么原因导致的 ...
在进行电源EMI滤波器设计时,我们常常需要使用多个电容并联去满足总的电容容值,从而达到滤波器插损要求。然而在实际应用中,当用不同容值的电容去并联时,电源传导测试时有时会出现谐振峰,这是由于什么原因导致的呢?
一|谐振峰产生机理
我们在软件中搭建了测试电容阻抗模型,模型如下图所示。
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电路中我们采用1uf电容和10nf电容的高频模型进行并联,仿真了两者的并联阻抗特性,仿真结果如下图所示。从图中可以看到,在15.9MHz处出现了反并联谐振峰,这是由于当频率处于两个电容的谐振频率之间时,一个电容呈感性,一个电容呈容性,当两者发生并联谐振时,两个电容并联对外表现的阻抗就比较高。此时,如果电源的噪声频点刚好落在反并联谐振频率附近,可能会导致电源传导测试超标。
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二|谐振峰抑制措施
为减小反并联谐振峰值,我们可以采取以下措施:
(1)减小并联电容之间谐振频率的差值。如将C2容值由10nf变为100nf,或者将C1的谐振电感由5nH降为1nH,此时C1、C2两个电容的谐振频率相靠近。仿真结果如下图所示。
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(2)增大电容的寄身电阻ESR,减小并联谐振的品质因数,如将C1电容的ESR由10m欧变为100m欧,仿真结果如下图所示。
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三|结语
从上面的分析可以看出,当多个不同容值的电容进行并联时,会出现反并联谐振峰,虽然可以采取一些措施降低谐振峰值,但会恶化其他性能指标。当需要采用多个电容并联来满足容值要求时,最好采用同类型的电容进行并联。
原文标题:第七期|如何抑制多电容并联反谐振峰?
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