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[仿真讨论] IBIS中的Rref和R_fixture有什么区别?

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1#
发表于 2013-11-26 10:32 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
1金币
研究过IBIS的大牛们,IBIS中的Rref和R_fixture有什么区别呢?网上找了些材料:Rref:Test load applied to the output that the semiconductor vendor uses to define timing such as propagation delay and/or output switching time of the model.  R_fixture: describe how the buffer was loaded when generating the waveforms. These numbers are useful in calculating the current during HIGH to LOW or LOW to HIGH transitions. 看了之后感觉还是不理解,总感觉两个东西是一样的。测量Propagation delay 与 上升沿下降沿的测试阻抗为啥要不一样呢?求解答。

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值通常都是一样的。Rref模拟负载测试输出特性,R_fixture是测试buffer的VI/VT曲线特性时用与外接-2VCC~2VCC的测试电阻

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2#
发表于 2013-11-26 10:32 | 只看该作者
值通常都是一样的。Rref模拟负载测试输出特性,R_fixture是测试buffer的VI/VT曲线特性时用与外接-2VCC~2VCC的测试电阻

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3#
 楼主| 发表于 2013-11-27 09:55 | 只看该作者
jomvee 发表于 2013-11-26 16:27
/ W  x. @& C9 H值通常都是一样的。Rref模拟负载测试输出特性,R_fixture是测试buffer的VI/VT曲线特性时用与外接-2VCC~2VCC ...

$ y/ b9 @: D( k$ a" z; W谢谢,版主,还有个疑惑,就是R_Load是测量Ramp的,而R_fixture 是测量波形的,貌似这两个都是跟波形有关,是不是可以认为其实也是一样的呢
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