使用万用表测电压，居然烧毁MOSFET，大神们帮我分析下原因吧！！！

lance_hnu

aspire132 发表于 2013-8-23 12:57
5 q- }3 J# r' K2 @2 f. thello,based on你之前的敘述，我去check datasheet，粗略的分析了一下如下圖，有可能是超過了Vgs值.
你 ...

7 X& v/ J3 u8 @+ p0 m说得非常有道理，我会再做实验验证的，有了结果通知你~~

lance_hnu

zmsok163 发表于 2013-8-22 00:15
G被拉零，Vgs不是已经48V了吗？最大才20V呀。

. g" t) E3 B; }
8 u1 W' ?+ \3 h% @可是你看看 LM5067芯片内部有钳位作用哦，所以不会超过13V啊理论上讲。

rainbowII

用万用表电阻档，显然错误，因为会给G/D叠加一个9V左右的电压，导致当你的电路负载短路后，MOSFET没有关闭，由于短路电流很大，所以烧毁MOSFET

aspire132

楼主用的是電压档，不電阻

lance_hnu

rainbowII 发表于 2013-8-24 08:30
# p* L1 m+ k; \# u用万用表电阻档，显然错误，因为会给G/D叠加一个9V左右的电压，导致当你的电路负载短路后，MOSFET没有关闭 ...

是电压档的~

rainbowII

lance_hnu 发表于 2013-8-25 18:04
7 h' p% J" U' [; B) ~是电压档的~

这么分析，那不可能是由于电压表引起烧毁的，因为电压档是高阻抗输入，不会改变MOSFET的驱动电压，唯一的可能是楼主接错万用表的接头，或者打到电阻档了

lance_hnu

rainbowII 发表于 2013-8-26 20:31
这么分析，那不可能是由于电压表引起烧毁的，因为电压档是高阻抗输入，不会改变MOSFET的驱动电压，唯一的 ...

这个我敢肯定不会的，因为反复验证了多次，烧坏了好几个管子，而且在烧之前，都用相同的档位量过其他位置的电压的。

rainbowII

lance_hnu 发表于 2013-8-26 23:58
" Y# E; R3 U- t% j- n) l这个我敢肯定不会的，因为反复验证了多次，烧坏了好几个管子，而且在烧之前，都用相同的档位量过其他位置 ...

3 \+ m& J; o- u5 o! ^$ C6 k你的万用表多少钱一块？如此估计是叠加了电压导致MOSFET导通，电流过大烧毁。如果你在电路中串联电阻，保证电路不在过流状态，看看是否会烧毁？或者看看是否MOSFET是不是导通的？

gn165625076

G和S之间接个10K电阻，感觉GATE好像是OC或者OD输出的

whylove0707

有没有可能你万用表一时没拿好，或放歪了，不小心导致短路而烧掉的呢，我之前有过类似经历

aspire132

hello...樓主你的實驗找出問題了嗎?求你的正解

lance_hnu

aspire132 发表于 2013-8-30 09:21
: o% i; K/ Q. w. I# X& Ehello...樓主你的實驗找出問題了嗎?求你的正解

) z3 m# [, {$ h7 [- n哈哈，这个必须要反馈一下，多谢大家提供这么多意见~

8 z$ ^# g) K2 h我换了一块电路板以后，用同样的方法测试，发现万用表的电压档无论怎样连接MOSFET的三个电极，都不会导致MOSFET烧毁了，但是由于电路一直处于短路状态，控制芯片将MOSFET关断后，电路中电流减小了，所以控制芯片隔一段时间会将MOSFET重新开启，这样开启和关断的动作一直在进行，导致MOSFET发热严重，就算不连接万用表，10分钟以内MOSFET也会被击穿，示波器波形显示，MOSFET击穿都发生在芯片将MOSFET开启的那一瞬间，此时冲击电流达到100A以上。反复上下电会加速MOSFET击穿，一般反复上下电10次就可以让击穿发生~~由于公司不允许技术资料外传，所以波形图就没办法给大家看了~~~

# e2 U0 ^3 T2 Q" o5 I/ a最后的结论是，MOSFET击穿是过热引起的，并非万用表直接导致，所以大家以后放心使用万用表，没关系的，哈哈~~

aspire132

aspire132 发表于 2013-8-30 09:21
hello...樓主你的實驗找出問題了嗎?求你的正解

! z8 f6 F0 E. s( v- L所以，在gate極需要加幾十k or數百Kohm的限流電阻嗎