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钽电解 ,铝电解,MLCC瓷片电容,作为信号耦合电容的差别在哪里呢?

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发表于 2013-7-26 13:33 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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同样是电容,用在放大电路中作为信号耦合电容,这3种不同介质的电容有啥区别呢?8 N0 L# G, f- r0 q( L
ADI的"AN348 - 避开无源元件的陷阱里"谈到了"电介质吸收",是这个参数在影响着?* j8 \# D; N4 y# j

1 N$ t5 B: H3 X2 E, _- t6 u) L电介质吸收特性用充电电压的百分比表示,对于特氟龙、聚苯乙烯和聚丙烯电容,该值低至 0.02%;对于一些铝电解电容,该值则高达 10% 或更大。在一定时间期限内,聚苯乙烯电容的电介质吸收率可以低至 0.002%。
4 q" x, A; x" P2 s- k+ M1 O一般陶瓷和聚碳酸酯电容的典型电介质吸收率为 0.2%,这相当于8 位分辨率时的半个 LSB!) t# b7 j3 ^' j
银云母、玻璃和钽电容的电介质吸收率通常较大,介于 1.0% 至 5.0% 之间;聚酯电容的电介质吸收率为 0.5% 左右。
4 V( j$ }1 I; T  ^, W一般而言,如果电容技术规格表没有说明所需时间期限和电压范围内的电介质吸收率,则应格外谨慎。

# h& s) K3 L8 a, k5 y  B7 o" t+ }3 _" D
有没有一些经验结论,比方说(只是打比方~),同样的电路配置,铝电解对高频衰减得更快些,瓷片对低频衰减得更快些。。。. Z2 o, v$ _+ ]1 H1 ]( Q

" m' \* J  n  G" }: _对这个有过研究的,请不吝赐教
) X2 {! |2 R& E& A' v
8 O4 C$ u) I) e! ^3 _: t
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