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楼主: dqd7411
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【精品】2012年IPC第一届PCB设计大赛(中国区)作品下载

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该用户从未签到

481#
发表于 2012-12-18 17:53 | 只看该作者
2012年IPC第一届PCB设计大赛(中国区)作品点评。只代表个人意见。
" Q$ [/ O. z* v  N7 d7 Y* t/ A
* g6 Y4 G: }3 b; P$ @先来看下冠军的作品
9 }, Q" E" g: T! V, q1.光绘设置好,看图自然就方便多了,我们选ART03(黄色)看地址的走线,拓朴结构走得蛮顺,上面DDR颗粒之间绕线很少,且误差都在+/-30MIL内。还有一组DDR3数据线(红色)能做到同组同层,看此层线间距很均匀等长也很美观。空的地方都铺上了地铜与POWR04的电源耦合非常合理。; w; T( A8 [* I8 G8 t- R1 X& e

5 P. p+ u8 ?" q9 |9 d( t  l' ?) D% m9 u7 j7 h
2.再来选ART06看下走线。一部分是地址线(黄色),另一部分(紫色)是DDR3的两组数据线也是做到了同组同层,所有走线没有跨分割(平面层都是整个平面),地址线分两层走比较合适,做到线间距均匀合理,蛇形线也很美观,此层空的地方也有铺上GND,这样能考虑到板子的信号质量和板子的平衡防翘曲。
/ o0 f, u9 _/ ~& e3 s7 q: |  m3 |
: A/ U( {" F, f0 h" n  Q4 A" D  n2 L) C+ Y, c0 l7 k
3.选TOP加上丝印来看,TC3216钽电容能均匀整齐的摆放到板子上,且每个焊盘都有两个VIA。此层空余处也有铺GND并打上了地孔。
. ^' X) i# t- w/ C4 f9 b " l- a/ d$ A+ w8 j. M, K6 r( {
7 l2 C) N. v) z) x7 o8 D
4.选BOTTOM加上丝印来看。地址线的上拉(黄色)电阻长度很短,有一组DDR3数据(红色)也是同组同层走,还有一根REF线左右穿插稍微有点绕。/ Q; ^* l. {6 Z  r5 |5 U

/ H4 t# q  C. \, [0 }5 l% N4 X8 i- ^8 W& ?; T
5.所有DDR3的数据线误差都是+/-10MIL,在这么有限的时间内等长、文字、设置光绘都能做得如此的到位是非常的不容易!
$ f0 y9 _% Y7 F& X- G
/ u% a# q( s& y) Q1 f( D3 O: E/ c3 R, @4 z" ?& \$ b
6.我们整体看下电源,DDR1.5V的电源供电在CPU下面有点过远,这是美中不足,布局时考虑不够全面。3 H+ l- q3 j4 k( [

% ^( [/ m: j! c. x
# p6 `5 j, h. J' g; e2 ]9 {1 G下面来看下亚军的作品; `7 B8 v9 q" B% t+ O4 @. i
1.光绘没设置好,我们只能选ART03加开板框来看了。地址线(黄色)看起来右边的空间很充足,感觉线之间有点紧凑,DDR3颗粒间的蛇形线有两处重叠,估计时间来不及了,红色线和紫色的两组DDR3数据线走得非常好,同组同层没有跨分割(平面都是整块)线间距也很均匀。空的地方没有铺铜,估计时间不足。9 h- q+ o1 h' V. R6 A0 y% c+ f7 g

' x' M. g7 E$ r$ c& M* W
1 j4 }8 P8 b- _- D2.选ART06加开板框来看。此层的地址和数据线都做到同组同层,地址和数据也是平均分配到两个内层,此层看起来感觉非常美观。$ W- y* t& n5 H4 J* {

1 n9 P, X$ g% E$ d7 m$ o
$ e$ s2 ~+ i- V& J7 f& N/ J6 Y3.我们开所有走线层和丝印层来看。TC3216的钽电容都有均匀的布局,VTT上拉供电路径很短,电源部分都有先过电容输入,过电容输出,DDR3/1.5V电源供电也很近,电源控制部分也很短.CPU在右边DDR3的出线也很好接线,这是一个非常完美的布局。REF走线只有12MIL要是再加粗点更好。) o+ F; O, y& G# w" I; G

9 k( Z3 [/ a" J& E  M+ U0 O+ |
% \+ n6 Y5 B# Z: j下面再来看下季军的作品0 K  F. m& E7 ]. d- |1 V
1.我们开L3层来看。地址线(黄色)走线很靠板边,红色和紫色DDR3的三组数据线走得有长有短,明显是空间太紧张。现在接通已经是很不错了,等长应该是没有空间做了。季军此布局欠考虑,是影响布线的关键。
+ |: K- a) }2 N* ~$ }4 R- F% ]
. C4 A/ C4 h0 R- W5 j+ p! L
5 d  R& N- e% i6 v- s6 Q8 f2.我们接着看L6层。黄色地址线右边有希希的几根,DDR3颗粒之间的线太密了,线没有合理的分层,紫色DDR3数据线只有DQS差分在TOP层走很长才在此层换,相对来说这组线走得比较好。
1 `. D) N1 K. h/ }. \' H+ k- X; @" v & [/ l8 ^* e- D" ~$ L2 a

  \6 Q, }; X) ^5 S# L3.我们接着看BOTTOM层。地址线(黄色)在背面这么多小滤波电容的情况下真是太难走了,最左边RST/OTD两根地址线已经不是走菊花链,已违背DDR3的设计要求。( ~& Y% y7 P' W+ \

$ F3 K/ s" Y5 n  t8 v: p: A5 f# J5 I! J( b$ R. f; l2 e
4.我们接着看TOP层。有一根黄色CSN0在其它层没法接,就在此层绕来接通。红色的DDR3数据线也是参差不齐的换层。还有TC3216钽电容摆在CPU上部没有多大意义。+ l7 P9 }  m% H  e/ g
5 ], Q. i( L/ N: Y1 e

- ~% F6 L4 c( t6 m5.再来看电源部分。12V电源输入到MOS管处只有12MIL线宽,输出也是一样过细。1.5V经过电感到电容再给DDR3供电太远了。与亚军的相比布局正好是倒过来了。+ c) f# g$ ]$ K- H, V; H1 D) f
  x( J  H3 O+ \3 R# J0 ?# |" ^
往下看VTT部分的供电吧!; E& L  y5 _# d  l5 Y+ W0 }  t* J
U7输入1.5V转出VTT,没有经过两个TC3528钽电容滤波进来,这里是设计上的失误。. B4 N0 }& g' j) ?

4 R; D6 l9 ?  w; I再来看DDR3REF。
% C" G0 r: A( c# w8 v+ A% |REF电流小于100MA,没必要用一个平面层分割来处理,这样走在L6与BOTTOM层的线就会跨分割,信号完整性的考虑欠佳,估计以前设计DDR3太少了。
& k5 b( F- l  J+ K& {; l $ N& [2 \7 b$ F8 h% K' a

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该用户从未签到

482#
发表于 2012-12-18 18:02 | 只看该作者
太牛了) F3 X# \' z" Z  E/ I

, F! f6 B# Q. ?) e4 m* U大牛啊1 R! T# y: I! [) Z# v

该用户从未签到

483#
发表于 2012-12-18 18:14 | 只看该作者
下载下来才知道  这不是用AD画的2 T" D" V, k6 `. D$ f

该用户从未签到

484#
发表于 2012-12-18 18:26 | 只看该作者
欣赏欣赏。
% L7 x$ S- q: `: J1 v0 @6 Z" S

该用户从未签到

485#
发表于 2012-12-18 18:42 | 只看该作者
好东西,要学习!

该用户从未签到

486#
发表于 2012-12-18 19:20 | 只看该作者
学习学习,谢谢了。。。。。。。。。。。。。。
  • TA的每日心情

    2020-3-31 15:45
  • 签到天数: 1 天

    [LV.1]初来乍到

    487#
    发表于 2012-12-18 20:39 | 只看该作者
    看看

    该用户从未签到

    488#
    发表于 2012-12-18 20:49 | 只看该作者
    看看高手是怎么设计的~

    该用户从未签到

    489#
    发表于 2012-12-18 22:08 | 只看该作者
    !拿来看看

    该用户从未签到

    490#
    发表于 2012-12-18 22:53 | 只看该作者
    给力!

    该用户从未签到

    491#
    发表于 2012-12-18 23:00 | 只看该作者
    好好好看看

    该用户从未签到

    492#
    发表于 2012-12-18 23:04 | 只看该作者
    用什么软件打开啊,我怎么打不开呢?求救!!!!!

    该用户从未签到

    493#
    发表于 2012-12-19 06:47 | 只看该作者
    学习学习

    该用户从未签到

    494#
    发表于 2012-12-19 08:21 | 只看该作者
    楼主威武

    该用户从未签到

    495#
    发表于 2012-12-19 08:55 | 只看该作者
    学习学习
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