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询问关于手机板的DDR2 的规则问题,谢谢

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1#
发表于 2012-11-28 10:32 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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询问关于手机板的DDR2 的规则问题,谢谢+ e1 W& f- q+ S+ o% O" G$ k; ^
1.走线等长问题:$ W  z" _8 E  L1 y
每组11根线的等长误差:              与CLK误差:7 t% y' Y: b8 |& K3 q1 O. g" V
CLK差分误差:. B, `' Y9 w; a; |% Z& P
地址线和其它线与CLK误差:' W( z- h2 ^( H4 N0 R5 V7 j
2、走线层问题 (主要是DQ) ?
$ L: A  x  U4 G4 l1阶板:lay2
; u% R" ]  t/ o- t1 \7 E2阶板:lay2 lay3
  _3 @* s* n6 D. _3、阻抗需要控制问题(50欧),如需控制2阶板阻抗如何控制?
9 @" h0 j. G0 z3 X: i. y9 ]+ w2 `
因为手机板走线密面积小,所以请高手能给出参考,谢谢

该用户从未签到

2#
发表于 2012-11-28 13:05 | 只看该作者
DDRII数据线同组同层走线(DQS0/DQS0#、DMN0、DQN[7:0])组内等长围绕DQS差分做等长误差为20mil\10mil,不同lane组的等长范围为20mil\30mil,地址、控制、时钟线(远端分支结构)同组围绕时钟差分做等长,误差范围为50mil\100mil,所有差分线的等长范围为5mil,地址、控制、时钟组与数据组误差500mil;单端阻抗50欧姆,差分100欧姆;[数据低位、高位每组11根信号同层布线]
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