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楼主: wangjing
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发个DDR3布线

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76#
发表于 2012-11-8 17:59 | 只看该作者
多谢!学习了

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77#
发表于 2012-11-8 18:12 | 只看该作者
谢谢楼主的无私分享,我现在正在学习DDR3,要是能够得到楼主的brd原文件的更好!我的邮箱是:455537509@qq.com   谢谢!

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78#
发表于 2012-11-8 18:17 | 只看该作者
不道德,发。。。

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79#
发表于 2012-11-9 08:56 | 只看该作者
wangjing 发表于 2012-11-7 13:27 . P7 P) T. T4 V$ y% w% L
数据线和时钟线做等长,每片地址线等长。数据线和地址线不要求
( F% G# R4 O0 h0 }* C
数据线 跟时钟线等长 没搞错吧

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80#
发表于 2012-11-9 09:09 | 只看该作者
研究研究,xinlai.nudt@gmail.com,谢谢楼主!

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81#
发表于 2012-11-9 10:28 | 只看该作者
984673847@qq.com.  谢谢,

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82#
 楼主| 发表于 2012-11-9 10:59 | 只看该作者
wplian2188 发表于 2012-11-8 18:12
2 [' `* U0 J$ X1 r谢谢楼主的无私分享,我现在正在学习DDR3,要是能够得到楼主的brd原文件的更好!我的邮箱是:   谢谢!

& ~3 ]$ E/ Y3 k  b已上传ddr3部分的brd文件

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83#
发表于 2012-11-9 13:30 | 只看该作者
chenyuyu 发表于 2012-11-8 16:06 : f# f4 _4 ?9 g% B
ddr3?

" L9 j; A) q$ \* qLGA1366!X58主板!

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84#
 楼主| 发表于 2012-11-9 14:07 | 只看该作者
DIA3BLO 发表于 2012-11-9 13:30 # v# D/ S& V( A' T1 R
LGA1366!X58主板!
) U: }$ K$ T; Q
是TI8168

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85#
发表于 2012-11-9 14:13 | 只看该作者
本帖最后由 vincent_xiao 于 2012-11-9 14:14 编辑 # _: q$ x( @1 y5 |9 C" [8 U( G/ z

3 f! E5 d$ L2 S' u) w! m" W6层同样布局类型的DDR3,上传来给大家看看.接受评议~~~{:soso__8961432591078930798_3:}
( `- t( m, k# @$ I. L5 q9 }
- {" Y, a% O6 Z+ D' V

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86#
 楼主| 发表于 2012-11-9 14:21 | 只看该作者
vincent_xiao 发表于 2012-11-9 14:13
2 g. ~% s3 L4 X+ R( T  q2 f; e% |9 X6层同样布局类型的DDR3,上传来给大家看看.接受评议~~~

9 h. ?% [* l( O9 vT型?

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87#
发表于 2012-11-9 14:25 | 只看该作者
359354215@qq.com谢谢楼主

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88#
发表于 2012-11-9 14:33 | 只看该作者
wangjing 发表于 2012-11-9 14:21
0 ]3 u9 z2 N0 a+ U' o! _+ _1 IT型?
4 B- ~, v$ e  \, p
4片SDRAM,每二片时钟各自独立,ADD是4片互连,所以采用T型方式走线方式比较好做等长,有没更好的建议.....

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89#
 楼主| 发表于 2012-11-9 14:54 | 只看该作者
vincent_xiao 发表于 2012-11-9 14:33 % j7 i& l! O9 m9 E! |
4片SDRAM,每二片时钟各自独立,ADD是4片互连,所以采用T型方式走线方式比较好做等长,有没更好的建议.... ...

) o5 n% `3 N2 G4 I) K% ^5 K那并联终端电阻是两边都放了?

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90#
发表于 2012-11-9 15:00 | 只看该作者
wangjing 发表于 2012-11-9 14:54 : q+ B4 V1 r" k) e
那并联终端电阻是两边都放了?
4 F6 w9 T0 T  `+ i5 l
没有用到并联终端电阻。好像DDR3大多都是不加并联终端电阻的吧,DDR2就要求一定要的。
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