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本帖最后由 zhu_ally 于 2012-11-2 16:24 编辑
' G4 L0 |0 d' g" `2 }! N# x' X1 p# t2 V- d. E6 o
前段时间对2分支和3分支拓扑结果进行仿真,想通过仿真来了解内部的机理' y: _% G; l( b
用TDR来查看相同拓扑分支长度为4ns/4ns 和2ns /4ns的波形
+ P- i& H) c* [9 c: x6 l分支长度为4ns /4ns的拓扑. }8 k9 S. [# t- D" Y: X
9 m% i( p% z: y' l8 h& m
接收端和发送端的波形
; V4 n3 W0 k* n6 f, x6 S
! Z9 i c. D) D& C% K PINP1接收端波形. S4 J8 e5 Z) \- U9 x
' b; }9 h, F( O1 x3 `/ O! i+ }- r波形图反射理论分析
% b4 t, a0 a3 `$ Y2 f分支长度相同情况下的波形,查看波形无负反射,从时间上和幅值上都传输线反射理论相符,
9 b( F% b) ~5 o2 {. r2 T1 c传输过程,信号经过14ns 幅度为1.334 经过8ns 后幅度增加 445.519$ e: m( Q7 ` l, g& B3 G% s
' q9 J8 ~$ T7 o/ t( g1 _6 [1 r
理论计算:1×2/3×2=4/3=1.33333V$ F4 L' K" v/ {6 |! l" D! q
信号反射INP2 的 2/3的入射 减去 INP1的-1/3的反射
9 s/ i) z- S% y. l, O0 q: }; U' U 2/3×(2/3-1/3)×2=4/9=0.444(和测量数字0.445比较接近)! i5 p5 Z: z* ?, [: l+ f
电压的下凹点应该是接收芯片的MOS管DS 和GS寄生电容导致 6 t1 x0 q8 ^/ T0 J# z' }4 \
电压尖峰凸点,是由末端开路传输线容抗的突然缺失引起的。
7 @9 J; y3 T7 u% |# w8 m% ~
7 V9 ? I0 h' G8 ?& f/ e按常规理解,我们将TL1传输线分支由4ns更改为2ns信号的波形将会变好,我们仿下波形: {& ], D, Z n: o% A
# o) H7 d! B/ \- s
2 e, A! X9 r$ L3 p8 ~由上图可知波形明显不如分支是4ns/4ns的情况,我们开下对比图( d& p3 P" a. l$ g" T* }: u
7 q! f' q$ v! Y$ g3 c
! a- j# e" |5 f* F8 L因为有次培训,有为老师说2分支好,2分支会形成驻波。但在网络上查看了些关于拓扑的资料也有用3分支的。
# f* J2 l% E5 E+ a与就像搞清楚到底哪个好,机理又是什么。
0 k' x& Q r' M3 e8 p- y& n4 i; F下面我们看看3分支的拓扑和仿真结果
6 Q7 f2 @0 O) f
. ^( O% C! a& F: B
3分支的波形
, w3 D" z) D. _, O, {1 o0 q
) R% {1 w; C) S* E$ `# x9 B2 s W9 l
3分支也能够有驻波的效果,负反射在节点处被抵消了
0 m7 B( O, Y! C- L0 J6 c. r J; k$ D% j2 z8 ^
2分支和3分支等长的对比波形 n7 `4 X- A7 D, j
: L4 J- ^" O9 {
等长度目的是为了使分支接的信号都为正反射信号,从而避免产生振铃6 `: |+ [8 j& j o3 @# b" P
结论:二分支和三分支,本身的差异并不是很大,关键是各个分支要等长且对称.
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