DDR与DDR2端接有什么区别?

wdckill

DDR与DDR2端接有什么区别?布局布线有什么不同?

liqiangln

你主要观察电平属性，如果是一样的，那么端接就是一样的，只是DDR2内部集成ODT，也就是VTT上拉端接，这样外部不需要做VTT匹配，但是有的时候，设计中不认为ODT好用，可以做外部的兼容设计。

forevercgh

原帖由 wdckill 于 2008-7-21 15:05 发表
DDR与DDR2端接有什么区别?布局布线有什么不同?

' Y$ F9 p" R# [% p& R" y
( P$ y2 ]' l, S, W1 k两者主要是端接内外的区别，DDR2以ODT的形式在IC内部实现端接（VTT就是端接电压）------ODT on die termination。
另外，DDR2有OCD---off chip driver，加强上下拉驱动控制功能

6 k5 \* a1 Y1 Y% b" I8 a: S走线约束差不多了，主要是同组内信号长度要求严格，再者就是要考虑不同类型（数据，时钟，控制。。。）信号间的分组布线，严格控制串扰和等长。

yun12

关键DDR2 速率为DDR 的2倍 布线比DDR 严格 ，DDR2 看电路设计OCD ODT 等功能是否使用 再看端节

jimmy

布局基本一样.

% o, _7 ]& h& x2 N+ E布线的话,因为DDR2的速率是DDR的一倍,所以对等长的误差要求更为严格.
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9 H+ j& V/ {, f4 S$ H9 @  ^同时,DDR2比DDR多了DQS差分线.DDR只有一根DQS.

- `" m2 T" u0 Q3 W3 C

caiyongsheng

拓扑结构不一样，DDR用菊花链状的，DDR2用T形拓扑，之前不知道DDR用菊花链的结构，看了一个大厂写的文档，上面必须用菊花链的结构，不知其原因。