2025国产MOS管：极低导通电阻、BVDSS_typ=55V更适合12V输入电路

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针对12V输入电路的产品电路设计，需要有更高的电压安全系数。这一款2025年新推出到市场的国产MOS管以BVDSS_typ=55V的参数性能帮助解决上述问题。

% S7 h1 m; z1 d# e它的创新性设计是基于已有成熟的产品体系而来的，可以稳定且可靠的应用于各种12V输入的逆变器、12V输入的音响电源中。

它就是飞虹半导体首发新品FHP1404V型号MOS管，正是拥有上述特点，而且还拥有极低导通电阻，让其可以无缝代换CS1404、IRF1404PbF、HY4004、FTP1404型号场效应管。

FHP1404V作为N沟道增强型场效应晶体管，它采用先进的沟槽技术，降低了导通损耗，提高了开关性能，提高了雪崩能量。
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该晶体管可用于各种功率开关电路，产品外形是TO-220封装，符合JEDEC标准，在环保上符合RoHS和REACH标准、无卤环保。

: k9 s- o% R! {. B, P" J, l( n下述将围绕FHP1404V场效应管的产品特点、友商参数对比、推荐应用范围、部分典型特性曲线来介绍：

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一、产品特点
（1）100% Rg测试。
8 v* e6 R5 k& H2 r( X（2）100% EAS测试。
5 j4 F! C, E' i! O& A, P（3）100% DVDS瞬间热阻测试。
（4）采用细化分档Vth,进一步提高了产品的一致性高。
9 d' _3 e& T1 I（5）通过采用特色的trench工艺，结合优秀的封装BOM材料和生产管控，产品满足工业级需求。
（6）拥有极低的导通内阻RDS(on)，FHP1404V的导通内阻典型值相比IRF1404PbF的低44%。导通损耗低。
! o6 Q8 @# W  R" _# k（7）雪崩耐量高，抗冲击性能强。
（8）FHP1404V拥有更高的电压余量，BVDSS_typ=55V，应对12V输入电压系统，电压安全系数更高。
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+ e0 f  D  S9 s( ?二、友商参数对比
. f, n. G$ T  a& |/ I3 @, ~（1）与HY4004相比拥有更低的导通内阻，降低了导通损耗，同时提高了品质因数FOM(RDSON*Qg)，性能更优。
（2）与IRF1404PbF相比，降低了导通损耗，栅极电荷更小（160nC vs 210nC），开关速度更快，可提供更高性价比的国产化替代产品。
8 H8 ^5 m: g1 ^8 k! N（3）与CS1404、FTP1404对比导通电阻更优，适合追求极致效率和电流能力的产品。

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三、推荐应用范围
（1）高频逆变器应用：12V蓄电池输入的车载高频逆变器中的DC/DC推挽拓扑升压电路。
（2）适合12V的全桥拓扑结构的太阳能工频离网逆变器应用。
3 q6 R9 X) [* `3 [! g（3）适合12V输入的音响电源中的DC-DC推挽拓扑升压电路。
（4）适合12V蓄电池供电的UPS不间断电源。
) f5 c1 I) ~5 s* k（5）适合大功率高频开关电源上的同步整流。

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四、部分典型特性曲线

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0 D0 v! ], l) q. i7 x1 _对于常需要用于高频逆变器、UPS电源、同步整流等领域以及针对需要12V输入电路设计的产品建议可以多看看这一款优质的国产化MOS管。
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FHP1404V超低导通电阻、高电流能力、优异热管理，适合高功率密度应用（如大电流逆变器、UPS），在同领域产品中适合追求极致效率和电流能力的电路设计。
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