2025国产新品：Trench工艺与极低导通MOS管，FHP160N06V型号参数值得了解

幕刃1

Trench工艺通过其深且窄的沟槽结构、高精度刻蚀与填充、垂直结构集成、兼容性强等特点，能够满足大多数电子设备对高性能、高密度和高可靠性的需求，广泛应用于逆变器、同步整流、电机控制等领域。

8 t/ r- k# C/ M9 z. _, y2025年飞虹半导体首发新品FHP160N06V型号MOS管，正是拥有上述特点，而且还拥有极低导通电阻，让其可以无缝代换HY3606P、IRFB3306PbF型号场效应管。

0 q  [5 H* F- W* X9 |FHP160N06V作为N沟道增强型场效应晶体管，它采用先进的trench技术，在降低了导通损耗的同时，还提高了雪崩能量和开关性能。

) M  R: r: p  w+ m该晶体管可用于各种功率开关电路，产品外形是TO-220封装，符合JEDEC标准，在环保上符合RoHS和REACH标准、无卤环保。
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下述将围绕FHP160N06V场效应管的产品特点、友商参数对比、推荐应用范围、部分典型特性曲线来介绍：

一、产品特点
（1）100% EAS测试。
（2）100% Rg测试。
（3）100% DVDS瞬间热阻测试。
7 `+ _" n5 x$ }, V" q# h/ c（4）采用细化分档Vth,进一步提高了产品的一致性高。
（5）通过采用特色的trench工艺，结合优秀的封装BOM材料，使产品拥有高可靠性，开关速度快。
（6）拥有极低的导通内阻RDS(on)，优秀的品质因子FOM(RDS(on)*Qg)。
（7）雪崩耐量高，抗冲击性能强。

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5 h3 l5 m2 ]; i+ n4 P二、友商参数对比
, P3 \& {" y! ]2 W, H8 B1、FHP160N06V对比HY3606P拥有更低的导通内阻，降低了导通损耗，同时提高品质因数FOM(RDSON*Qg)，让MOS管的性能更优。
2 v4 l' ]3 ~( m0 @7 p6 n5 p+ [8 V2、FHP160N06V与IRFB3306PbF相比，降低了导通损耗，并且国产化在性能与价格的综合方面更有优势。

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# a' t0 g8 L0 X" L+ ~) G三、推荐应用范围
2 E  P( a8 b, w1、适合全桥拓扑结构的工频逆变器应用。
* |8 z: ^* f0 K2 F! Z( k% K2、适合24-36V BLDC电机驱动控制器
3、适合24V蓄电池供电的UPS不间断电源。
4、适合大功率高频开关电源上的同步整流。
6 G" z- ~( W& }3 l6 I" I5、高频逆变器应用：12V蓄电池输入的车载高频逆变器中的DC/DC推挽拓扑升压电路。
6、适合5串磷酸铁锂电池组搭配的户外储能电源，其逆变模块中的DC-DC推挽拓扑升压电路上使用。

四、部分典型特性曲线
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对于常需要用于逆变器、同步整流、电机控制等领域的产品建议可以多看看这一款优质的国产化MOS管。FHP160N06V新产品的发布为电子厂商提供更低导通电阻的产品选择，也提供更高性价比的场效应管。

5 @! ?' a$ b0 H飞虹半导体致力于大功率分立器件、集成电路、功率器件的研发、生产及销售，给厂家提供可持续稳定供货。至今已经有35年半导体行业经验以及20年研发、制造经验。除可提供免费试样外，更可根据客户需求进行量身定制MOS管产品。
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